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    VERBESSERTE LENKUNG VON IONEN AUS EINEM PLASMA AUF EIN ZU BESCHICHTENDES SUBSTRAT
    1.
    发明申请
    VERBESSERTE LENKUNG VON IONEN AUS EINEM PLASMA AUF EIN ZU BESCHICHTENDES SUBSTRAT 审中-公开
    改善对待涂覆基材上等离子体的离子转向

    公开(公告)号：WO2018019482A1

    公开(公告)日：2018-02-01

    申请号：PCT/EP2017/065185

    申请日：2017-06-21

    Applicant: ROBERT BOSCH GMBH

    Inventor： GUENTHER, Marcus ,  SCHMIDT, Oliver ,  DOBRYGIN, Wladislaw

    IPC: C23C14/50 ,  C23C16/44 ,  H01J37/32

    CPC classification number: C23C14/50 ,  C23C16/4401 ,  H01J37/32403 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32706 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32862

    Abstract: Substrathalter (1), umfassend einen ersten Kontakt (3) für die Zuführung eines Potentials U s zum Substrat (2), wobei ein Ladebereich (12) auf der Oberfläche (11) des Substrathalters (1) als durch von der lonenquelle (104) einer Beschichtungsanlage (100) eintreffende Ionen (101, 102) aufladbar ausgebildet ist (13), und/oder wobei ein zweiter Kontakt (4) vorgesehen ist, über den ein Elektrodenbereich (14) auf der Oberfläche (11) des Substrathalters (1) mit einem vom Potential U s verschiedenen, frei wählbaren Potential U H beaufschlagbar ist. Beschichtungsanlage (100) mit mindestens einer lonenquelle (104) und einer ersten Spannungsquelle (106), die mit dem zu beschichtenden Substrat (2) verbindbar ist, so dass Gasionen (101), und/oder Ionen (102) eines Beschichtungsmaterials (103), aus der lonenquelle (104) durch ein von der ersten Spannungsquelle (106) am Substrat (2) angelegtes elektrisches Potential U s in Richtung auf das Substrat (2) beschleunigt werden können, wobei mindestens eine Nebenfläche (11, 105), auf die sich das Substrat (2) verfehlende Ionen (101, 102) zubewegen, als durch eintreffende Ionen (101, 102) aufladbar ausgebildet ist (13, 113), und/oder wobei mindestens eine zweite Spannungsquelle (107) vorgesehen ist, die mit der Nebenfläche (11, 105) verbindbar ist, so dass diese Nebenfläche (11, 105) mit einem vom Potential U s verschiedenen, frei wählbaren Potential U H beaufschlagbar ist. Verfahren zum Betreiben und Computerprogrammprodukt.

    Abstract translation:

    衬底支架（1），包括第一接触（3）F导航用途R A电位U <子>的Zuf导航使用指南■为衬底（2），装载区（12） 表面＆AUML上;在所述衬底保持器（1）比从涂覆设备的离子源（104）的入射面（11）（100）的离子（101,102）是形成可再充电的（13），和/或其中一个第二触点（4） 在衬底夹持器（1）的表面（11）上以与电位U s不同的自由选择电位U H提供电极区域（14） 可以采取行动。 其连接到所述衬底包衣机（100）具有至少一个离子源（104）和第一电压源（106）被涂覆（2）连接，使得气体离子（101），和/或离子（102）的涂层材料（103） ，从基板上的第一电压源（106）的离子源（104）通过一个（2）施加的电势是U <子>取值在衬底（2）的方向上被加速K＆ouml;罐，至少一个 溪威斯康辛BEAR表面（11，105）到所述衬底（2）问题的离子（101,102）移动，不是进入离子（101,102）形成的可再充电（13，113），和/或其中至少一个 第二电压源提供（107）连接到所述溪威斯康辛BEAR表面（11，105）可以被连接，使得这些溪威斯康辛BEAR表面（11，105），其具有从电位V不同的<子>取值中，w游离AUML ;可以采取一定的措施。 操作和计算机程序产品的程序。

    INSTALLATION POUR LE TRAITEMENT D'OBJETS PAR PLASMA, UTILISATION DE CETTE INSTALLATION ET PROCÉDÉ DE MISE EN OEUVRE DE CETTE INSTALLATION
    3.
    发明申请
    INSTALLATION POUR LE TRAITEMENT D'OBJETS PAR PLASMA, UTILISATION DE CETTE INSTALLATION ET PROCÉDÉ DE MISE EN OEUVRE DE CETTE INSTALLATION 审中-公开
    用等离子体处理物体的装置，本装置的使用以及使用本装置的方法

    公开(公告)号：WO2016156728A1

    公开(公告)日：2016-10-06

    申请号：PCT/FR2016/050699

    申请日：2016-03-29

    Applicant: COATING PLASMA INDUSTRIE

    Inventor： VIARD, Jocelyn

    IPC: H01J37/32 ,  H01L21/677

    CPC classification number: H01J37/32889 ,  H01J37/32403 ,  H01J37/32669 ,  H01J37/32733 ,  H01J37/32779 ,  H01J37/32899 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/6776

    Abstract: Installation de traitement de surface d'objets par plasma, comprenant -une enceinte (10; 110) -des moyens (P45, P46)de mise sous vide de cette enceinte, -une zone de stockage des objets à traiter, dite zone de stockage amont (20; 120) -une zone de stockage des objets traités, dite zone de stockage aval (70; 120), -au moins deux chambres (40, 50, 60; 140, 150) de traitement plasma comprenant des moyens (42A, 42B; 42A; 142B) d'injection d'un mélange gazeux actif, des moyens (43; 143) de création d'une décharge électrique et des moyens de confinement du plasma dans le volume intérieur de la chambre, -des moyens de transport (30; 130) entre les zones de stockage et les chambres, caractérisée en ce que les moyens de transport sont des moyens de convoyage (30; 2 30) définissant une direction de convoyage (F30; F130), en ce que les différentes chambres sont placées les unes derrière les autres, selon la direction de convoyage, et en ce que les atmosphères des différentes chambres de traitement plasma ne sont pas hermétiques l'une par rapport à l'autre.

    Abstract translation: 用于用等离子体处理物体表面的设备，包括：外壳（10; 110）; 用于将该外壳置于真空下的装置（P45，P46） 用于存储被处理物体的区域，称为上游存储区域（20; 120）; 用于存储被处理物体的区域，称为下游存储区域（70; 120）; 包括用于喷射活性气体混合物的装置（42A，42B; 42A; 142B）的至少两个等离子体处理室（40,50,60; 140,150），用于产生放电的装置（43; 143） 等离子体到室内的体积; 以及用于在所述存储区域和所述室之间传送的装置（30; 130），其特征在于，所述传送装置是限定传送方向（F30; F130）的传送装置（30; 230），并且所述各个室被放置 一个在输送方向上彼此接近，并且各种等离子体处理室的气氛彼此不被密封地密封。

    VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUM BESCHICHTEN UND/ODER ZUM ABTRAGEN VON MATERIAL MITTELS PECVD/CDE
    6.
    发明申请
    VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUM BESCHICHTEN UND/ODER ZUM ABTRAGEN VON MATERIAL MITTELS PECVD/CDE 审中-公开
    DEVICE AND METHOD FOR涂层和/或材料的脱除PECVD / CDE

    公开(公告)号：WO2012164050A1

    公开(公告)日：2012-12-06

    申请号：PCT/EP2012/060318

    申请日：2012-05-31

    Applicant: SURCOATEC AG ,  REINER, Dirk

    Inventor： REINER, Dirk

    IPC: H01J37/32

    CPC classification number: H01J37/32394 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32403 ,  H01J37/32577

    Abstract: Gegenstand der Erfindung ist eine Vorrichtung (10) zum Beschichten zumindest eines Oberflächenbereichs (28) und/oder zum Abtragen von Material aus zumindest einem Oberflächenbereich (28) eines beliebig geformten Werkstücks (22) mittels plasmagestützter chemischer Gasphasenabscheidung, mit einer Kammer (14), die eine Hochfrequenz-Elektrode (22), eine Referenz-Elektrode (29) und eine elektrisch leitfähige Werkstückhalterung (24) aufweist und mit einer Schaltungsanordnung (30) zum Einspeisen von Hochfrequenz, die zumindest einen Hochfrequenz-Generator (32) und Hochfrequenzleitungspfade (36, 38, 40) aufweist, wobei der Hochfrequenz-Generator (32) über Hochfrequenzleitungspfade (36, 38, 40) mit an voneinander räumlich getrennten Einspeise-Stellen (42, 44, 46) der Hochfrequenz- Elektrode (22) angeschlossen ist. Es ist vorgesehen, dass die Hochfrequenz-Elektrode (22) mit der Mehrzahl von Einspeise- Stellen (42, 44, 46) elektrisch leitend mit der Werkstückhalterung (24) verbunden ist.

    Abstract translation: 本发明涉及一种用于涂料的至少一个表面区域上的装置（10）（28）和/或用于由等离子体增强化学气相沉积法从任意形状的工件（22）的至少一个表面区域（28）去除材料，包括：腔室（14）， 和所述高频电极（22），参比电极（29）和导电的工件支承件（24）的电路装置（30），用于耦合射频（至少一个高频发生器（32）和高频导电路径36 ，38，40），其特征在于，通过高频电极（22）的高频导电路径（36，38，40），其具有间隔开的馈入点（42，44在空间上分离，46）的高频发生器（32）相连。 可以设想，在高频电极（22）与所述多个馈入点（42,44，46）电传导地连接到所述工件保持器（24）。

    TECHNIQUES FOR MANIPULATING PATTERNED FEATURES USING IONS
    7.
    发明申请
    TECHNIQUES FOR MANIPULATING PATTERNED FEATURES USING IONS 审中-公开
    使用离子来操纵图案特征的技术

    公开(公告)号：WO2017155872A1

    公开(公告)日：2017-09-14

    申请号：PCT/US2017/020909

    申请日：2017-03-06

    Applicant: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.

    Inventor： RUFFELL, Simon ,  DAI, Huixiong ,  LANG, Jun ,  HAUTALA, John

    IPC: H01L21/027 ,  H01L21/3065 ,  G03F1/74 ,  H01L21/768

    CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32366 ,  H01J37/32403 ,  H01J37/32422 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/3085 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76883

    Abstract: A method may include providing a surface feature on a substrate, the surface feature comprising a feature shape, feature location, and dimension along a first direction within a substrate plane; depositing a layer comprising a layer material on the surface feature; and directing ions in an ion exposure at an angle of incidence toward the substrate, the angle of incidence forming a non-zero angle with respect to a perpendicular to the substrate plane, wherein the ion exposure comprises the ions and reactive neutral species, the ion exposure reactively etching the layer material, wherein the ions impact a first portion of the surface feature and do not impact a second portion of the surface feature, and wherein an altered surface feature is generated, the altered surface feature differing from the surface feature in at least one of: the dimension along the first direction, the feature shape, or the feature location.

    Abstract translation: 一种方法可以包括：在衬底上提供表面特征，所述表面特征包括在衬底平面内沿第一方向的特征形状，特征位置和尺寸; 在表面特征上沉积包括层材料的层; 以及以朝向所述衬底的入射角的离子暴露方式引导离子，所述入射角相对于与所述衬底平面的垂线形成非零角度，其中所述离子暴露包括所述离子和反应性中性物质，所述离子 暴露反应性地蚀刻所述层材料，其中所述离子撞击所述表面特征的第一部分并且不撞击所述表面特征的第二部分，并且其中产生改变的表面特征，所述改变的表面特征不同于所述表面特征中的at 以下中的至少一个：沿第一方向的尺寸，特征形状或特征位置。

    SELECTIVE ATOMIC LAYER DEPOSITION PROCESS UTILIZING PATTERNED SELF ASSEMBLED MONOLAYERS FOR 3D STRUCTURE SEMICONDUCTOR APPLICATIONS
    9.
    发明申请
    SELECTIVE ATOMIC LAYER DEPOSITION PROCESS UTILIZING PATTERNED SELF ASSEMBLED MONOLAYERS FOR 3D STRUCTURE SEMICONDUCTOR APPLICATIONS 审中-公开
    选择性原子层沉积工艺利用图形自组装单层3D结构半导体应用

    公开(公告)号：WO2015156912A1

    公开(公告)日：2015-10-15

    申请号：PCT/US2015/017078

    申请日：2015-02-23

    Applicant: APPLIED MATERIALS, INC.

    Inventor： NEMANI, Srinivas D. ,  YIEH, Ellie Y. ,  GODET, Ludovic ,  FAN, Yin

    IPC: H01L21/336 ,  H01L21/205

    CPC classification number: H01L21/02304 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32403 ,  H01J37/32422 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02321 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/31155 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/66803

    Abstract: Methods for forming fin structure with desired materials formed on different locations of the fin structure using a selective deposition process for three dimensional (3D) stacking of fin field effect transistor (FinFET) for semiconductor chips are provided. In one embodiment, a method of forming a structure with desired materials on a substrate includes forming a patterned self-assembled monolayer on a circumference of a structure formed on a substrate, wherein the patterned self-assembled monolayer includes a treated layer formed among a self-assembled monolayer, and performing an atomic layer deposition process to form a material layer predominantly on the self-assembled monolayer from the patterned self-assembled monolayer.

    Abstract translation: 提供了使用用于半导体芯片的鳍状场效应晶体管（FinFET）的三维（3D）堆叠的选择性沉积工艺在翅片结构的不同位置形成所需材料的翅片结构的方法。 在一个实施例中，在衬底上形成具有期望材料的结构的方法包括在形成在衬底上的结构的圆周上形成图案化的自组装单层，其中所述图案化的自组装单层包括在自身中形成的处理层 并且执行原子层沉积工艺，以从图案化的自组装单层形成主要在自组装单层上的材料层。

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