公开(公告)号：WO2017222974A1

公开(公告)日：2017-12-28

申请号：PCT/US2017/038117

申请日：2017-06-19

申请人： APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： CUI, Yi ,  TINER, Robin L. ,  PARK, Beom Soo ,  CHOI, Soo Young ,  KURITA, Shinichi

IPC分类号： H01J37/32 ,  H01L21/205

CPC分类号： H01J37/32651 ,  C23C16/4585 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/505 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32467 ,  H01J37/32532 ,  H01J37/32577 ,  H01J37/32715 ,  H01J2237/3321 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68785 ,  H05K9/002

摘要： Embodiments described herein generally relate to a substrate support assembly having a shield cover. In one embodiment, a substrate support assembly is disclosed herein. The substrate support assembly includes a support plate, a plurality of RF return straps, at least one shield cover, and a stem. The support plate is configured to support a substrate. The plurality of RF return straps are coupled to a bottom surface of the support plate. At least one shield cover is coupled to the bottom surface of the support plate, between the plurality of RF return straps and the bottom surface. The stem is coupled to the support plate.

摘要翻译： 这里描述的实施例一般涉及具有屏蔽罩的衬底支撑组件。 在一个实施例中，本文公开了衬底支撑组件。 基板支撑组件包括支撑板，多个RF返回带，至少一个屏蔽盖和杆。 支撑板构造成支撑基板。 多个RF返回带连接到支撑板的底表面。 至少一个屏蔽盖联接到支撑板的底表面上，在多个RF返回带和底表面之间。 杆连接到支撑板。

公开(公告)号：WO2017127847A1

公开(公告)日：2017-07-27

申请号：PCT/US2017/014663

申请日：2017-01-24

申请人： APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： SUBRAMANI, Anantha, K. ,  HOUSHMAND, Farzad ,  KRAUS, Philip, A. ,  CHOWDHURY, Abhishek ,  FORSTER, John, C. ,  BERA, Kallol

IPC分类号： H01L21/02 ,  H05H1/46 ,  H01J37/32 ,  H01J49/10

CPC分类号： H01J37/32091 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/4554 ,  C23C16/50 ,  C23C16/505 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32532 ,  H01J37/32577 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/67069

摘要： Plasma source assemblies comprising a housing with an RF hot electrode having a body and a plurality of source electrodes extending vertically from the RF hot electrode toward the opening in a front face of the housing are described. Processing chambers incorporating the plasma source assemblies and methods of using the plasma source assemblies are also described.

摘要翻译： 描述了包括具有RF热电极的壳体的等离子体源组件，该壳体具有主体和从RF热电极垂直地向壳体正面中的开口延伸的多个源电极。 还描述了包含等离子体源组件的处理室以及使用等离子体源组件的方法。

公开(公告)号：WO2017074514A1

公开(公告)日：2017-05-04

申请号：PCT/US2016/035313

申请日：2016-06-01

申请人： APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： DORF, Leonid ,  COLLINS, Kenneth, S. ,  RAUF, Shahid ,  RAMASWAMY, Kartik ,  CARDUCCI, James, D. ,  TAVASSOLI, Hamid ,  REGELMAN, Olga ,  ZHANG, Ying

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/67 ,  H05H1/46

CPC分类号： H01J37/32174 ,  H01J37/06 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/3233 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32458 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/3151 ,  H01J2237/3174 ,  H01J2237/334 ,  H01J2237/3348 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116

摘要： The disclosure concerns a method of operating a plasma reactor having an electron beam plasma source for independently adjusting electron beam energy, plasma ion energy and radical population. The disclosure further concerns an electron beam source for a plasma reactor having an RF-driven electrode for producing the electron beam.

摘要翻译： 本公开涉及一种操作具有用于独立调节电子束能量，等离子体离子能量和自由基群体的电子束等离子体源的等离子体反应器的方法。 本发明还涉及具有用于产生电子束的RF驱动电极的等离子体反应器的电子束源。

公开(公告)号：WO2016104076A1

公开(公告)日：2016-06-30

申请号：PCT/JP2015/083792

申请日：2015-12-01

申请人： 旭硝子株式会社

发明人： 河原　弘朋 ,  前重　和伸 ,  青峰　信孝 ,  羽根川　博

IPC分类号： C23C16/503 ,  C23C16/44 ,  H01L21/31 ,  H01L21/365 ,  H05H1/46

CPC分类号： C23C16/50 ,  C23C16/44 ,  C23C16/458 ,  C23C16/503 ,  H01J37/32532 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32669 ,  H01J37/32733 ,  H01J2237/3321 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31 ,  H05H1/46

摘要： 　プラズマＣＶＤ装置であって、１または２以上の交流源に接続され、プラズマを発生させるプラズマ源と、複数の磁石で構成された磁石配列と、を有し、前記プラズマ源は、電極群を有し、該電極群は、第１の電極および第２の電極を含むｎ個（ただし、ｎは２以上の偶数）の電極を、前記第１の電極から番号順に配列することにより構成され、前記電極群の各電極は、前記交流源に接続され、前記電極群の隣接する電極同士の間には、原料ガス用の流路の出口が形成され、前記磁石配列は、各磁石のＮ極またはＳ極が前記プラズマ源と対向するように配置され、前記磁石配列において、少なくとも一組の隣接する２つの磁石は、前記プラズマ源に対向する側の極性が等しくなるように配置されることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。

摘要翻译： 等离子体CVD装置的特征在于：等离子体CVD装置包括连接到一个或多个交替源并产生等离子体的等离子体源和包括多个磁体的磁体阵列; 等离子体源具有电极组; 电极组包括包括第一电极和第二电极的n个电极（n是两个或更多个的偶数整数），电极以第一电极的顺序排列; 电极组的电极连接到交流源; 在电极组的相邻电极之间形成材料气体流路的出口; 磁体阵列布置成使得每个磁体的北极或南极面对等离子体源; 并且磁体阵列中的至少一对相邻的磁体被布置成在等离子体源侧面具有相同的极性。

公开(公告)号：WO2015155972A1

公开(公告)日：2015-10-15

申请号：PCT/JP2015/001913

申请日：2015-04-06

申请人： 東京エレクトロン株式会社 ,  株式会社 東芝

发明人： 安田　健太 ,  久保田　徹 ,  近藤　崇 ,  石田　勝広

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC分类号： H01J37/32669 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32532 ,  H01J37/32642 ,  H01J37/3266 ,  H01J37/32715 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67069 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/4667

摘要： 一態様に係るプラズマ処理方法は、チャンバーと、下部電極と、上部電極と、前記下部電極の周縁を囲むフォーカスリングと、前記上部電極の上部かつ前記下部電極の周縁より外側に配置される環状コイルと、を有するプラズマ処理装置を準備する工程と、基板を、その周縁が前記フォーカスリングで囲まれるように、前記下部電極上に載置する工程と、前記チャンバー内に処理ガスを導入する工程と、前記上部電極と前記下部電極との間に高周波電力を印加して、前記処理ガスのプラズマを発生させる工程と、前記環状コイルに電流を供給して、磁界を発生させ、前記基板の上部及び前記フォーカスリングの上部のプラズマシースの界面を平坦化する工程と、を具備する。

摘要翻译： 根据一个实施例的等离子体处理方法包括：制备具有室，下电极，上电极，围绕下电极的周缘的聚焦环的等离子体处理装置的步骤和设置在上电极中的圆形线圈 上部电极的部分和比下部电极的外边缘更外侧; 以使得基板的外边缘被聚焦环包围的方式将基板放置在下电极上的步骤; 将处理气体引入所述室中的步骤; 在上部电极和下部电极之间施加高频电力以产生处理气体的等离子体的步骤; 以及向圆形线圈提供电流以产生磁场并使基板上部和聚焦环上部之间的等离子体鞘界面平坦化的步骤。

公开(公告)号：WO2015069428A1

公开(公告)日：2015-05-14

申请号：PCT/US2014/060768

申请日：2014-10-15

申请人： APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： BAEK, Jonghoon ,  PARK, Soonam ,  CHEN, Xinglong ,  LUBOMIRSKY, Dmitry

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01J37/32082 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/503 ,  C23C16/509 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32146 ,  H01J37/32532 ,  H01J37/3255 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32697 ,  H01J2237/334

摘要： Embodiments of the present disclosure generally relate to an apparatus and method for reducing particle generation in a processing chamber. In one embodiment, the methods generally includes generating a plasma between a powered top electrode and a grounded bottom electrode, wherein the top electrode is parallel to the bottom electrode, and applying a constant zero DC bias voltage to the powered top electrode during a film deposition process to minimize the electrical potential difference between the powered top electrode and the plasma and/or the electrical potential difference between the grounded bottom electrode and the plasma. Minimizing the electrical potential difference between the plasma and the electrodes reduces particle generation because the acceleration of the ions in the sheath region of the electrodes is reduced and the collision force of the ions with the protective coating layer on the electrodes is minimized. Therefore, particle generation on the substrate surface is reduced.

摘要翻译： 本公开的实施例一般涉及用于减少处理室中的颗粒产生的装置和方法。 在一个实施例中，所述方法通常包括在动力顶部电极和接地底部电极之间产生等离子体，其中顶部电极平行于底部电极，并且在膜沉积期间向动力顶部电极施加恒定的零直流偏置电压 以最小化上电极和等离子体之间的电位差和/或接地的底部电极和等离子体之间的电位差的过程。 使等离子体和电极之间的电位差最小化减少了由于电极的鞘区域中的离子的加速度降低并且电极上的保护涂层的离子的碰撞力最小化的颗粒产生。 因此，衬底表面上的颗粒产生减少。

公开(公告)号：WO2015066655A1

公开(公告)日：2015-05-07

申请号：PCT/US2014/063759

申请日：2014-11-03

申请人： KLA-TENCOR CORPORATION

发明人： SEARS, Christopher

IPC分类号： H01L21/205 ,  H01L21/02

CPC分类号： H05H1/46 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32532 ,  H01J37/32541 ,  H01L21/683 ,  H05H1/48 ,  H05H2001/483

摘要： An apparatus may include a substrate support portion, a plasma generation chamber, electrodes, and a power source. The substrate support portion supports a substrate including an insulating layer and a substrate bulk. The plasma generation chamber may include chamber wall portions, a gas port, and a plasma application aperture and is configured to contain a gas. The plasma application aperture may be covered by a portion of the substrate. Each electrode may protrude into or extend into an interior portion of the plasma generation chamber. The power source may be coupled to a particular electrode, and the power source may be configured to apply a voltage to the particular electrode. Application of the voltage to the particular electrode generates a plasma within the plasma generation chamber, whereby generation of the plasma results in a conductive path through the insulating layer of the substrate between the plasma and the substrate bulk.

摘要翻译： 设备可以包括基板支撑部分，等离子体产生室，电极和电源。 衬底支撑部分支撑包括绝缘层和衬底本体的衬底。 等离子体产生室可以包括室壁部分，气体端口和等离子体施加孔，并且构造成容纳气体。 等离子体施加孔可以被衬底的一部分覆盖。 每个电极可以突出到或延伸到等离子体产生室的内部。 电源可以耦合到特定电极，并且电源可以被配置为向特定电极施加电压。 电压施加到特定电极在等离子体产生室内产生等离子体，由此产生等离子体导致穿过等离子体和基板体之间的基板绝缘层的导电路径。

公开(公告)号：WO2015019765A1

公开(公告)日：2015-02-12

申请号：PCT/JP2014/067844

申请日：2014-07-03

申请人： 東京エレクトロン株式会社

发明人： 丸山　幸児 ,  堀口　将人 ,  松木　哲理 ,  輿石　公

IPC分类号： H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC分类号： H01J37/32165 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32532 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32816 ,  H01J2237/332 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/02104 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67069

摘要： 　プラズマ処理装置は、内部空間を処理空間に連通させる連通孔が形成された誘電体と、内部空間を挟む第１及び第２の電極と、第１の処理ガスを内部空間に供給する第１のガス供給機構と、第１及び第２の電極の少なくともいずれか一方に第１の高周波電力を供給して、第１の処理ガスの第１のプラズマを生成する第１の高周波電源と、第１のプラズマ中のラジカルと第１の処理ガスとを処理空間へ導入する減圧機構と、第２の高周波電力を供給して、第１の処理ガスの第２のプラズマを生成し、イオンを被処理体へ引き込む第２の高周波電源と、第１の高周波電力の全電力量の大きさを制御して、第２のプラズマ中のラジカル量を調整し、第１の高周波電力の比率を制御して、第２のプラズマ中のイオン量を調整する制御部とを備えた。

摘要翻译： 等离子体处理装置包括：电介质，其中形成连接内部空间与处理空间的连接孔; 夹着内部空间的第一和第二电极; 第一气体供给机构，其向所述内部空间供给第一处理气体; 第一RF电源，其向所述第一电极和/或所述第二电极提供第一RF功率，并产生所述第一处理气体的第一等离子体; 将第一等离子体中的自由基与第一处理气体一起引入处理空间的减压机构; 提供第二RF功率的第二RF电源产生第一处理气体的第二等离子体，并将离子吸引到被检体中进行处理; 以及控制单元，其通过控制第一RF功率的总功率的大小来调节第二等离子体中的自由基的量，并且通过控制第一RF功率的比例来调节第二等离子体中的离子的量。

公开(公告)号：WO2014091414A2

公开(公告)日：2014-06-19

申请号：PCT/IB2013/060792

申请日：2013-12-11

申请人： SUBRAMANIAN, Krupakar Murali

发明人： SUBRAMANIAN, Krupakar Murali

CPC分类号： H01J37/32348 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/002 ,  H05B7/06

摘要： Systems and methods for high pressure plasma discharge, wherein a system comprises at least one electrode which is fragmented into pieces and arranged to form a fragmented electrode system; at least one dielectric material placed between or parallel to the at least one electrode and another second electrode or fragmented pieces of the fragmented electrode systems, wherein the at least one electrode or fragmented pieces of the fragmented electrode system may have same or opposite charge; and at least one power supply unit; wherein the pieces of the electrode which is fragmented can be arranged parallel or divergent or convergent to one another and are at an angle to each other or the central axis passing through the electrode.

摘要翻译： 用于高压等离子体放电的系统和方法，其中系统包括至少一个电极，其被分段成碎片并布置成形成碎片电极系统; 放置在所述至少一个电极之间或平行于所述至少一个电极的另一个第二电极或所述碎片电极系统的碎片的至少一个电介质材料，其中所述碎裂电极系统的所述至少一个电极或碎片段可以具有相同或相反的电荷; 和至少一个电源单元; 其中分段的电极片可以彼此平行或发散或收缩布置，并且彼此成角度或穿过电极的中心轴线。

公开(公告)号：WO2014015567A1

公开(公告)日：2014-01-30

申请号：PCT/CN2012/083456

申请日：2012-10-24

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  成都京东方光电科技有限公司

发明人： 赵吾阳 ,  傅永义 ,  蒋冬华 ,  李炳天

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01J37/32 ,  C23F1/08 ,  C30B33/12

CPC分类号： H01J37/32532 ,  H01J37/32541

摘要： 提供了一种刻蚀设备及其上部电极，该上部电极上设有多个电极孔，该上部电极至少由第一区域（10）和第二区域（20）组成，该电极孔在该第一区域（10）的分布密度和该电极孔在该第二区域（20）的分布密度不同。根据所刻蚀膜层材质的不同，改变上部电极上的电极孔的设置区域和电极孔间的间隔。