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    멀티형 증착 장치 및 이를 이용한 박막 형성 방법
    2.
    发明申请
    멀티형 증착 장치 및 이를 이용한 박막 형성 방법 审中-公开
    多种沉积装置和薄膜成型方法

    公开(公告)号：WO2015142131A1

    公开(公告)日：2015-09-24

    申请号：PCT/KR2015/002783

    申请日：2015-03-21

    申请人： 김운태

    发明人： 김운태

    IPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/458

    CPC分类号： H01J37/32715 ,  C23C16/042 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/54 ,  H01J37/32366 ,  H01J37/32513 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32743 ,  H01J37/32788 ,  H01J37/32899

    摘要： 본 발명에서는 상부 및 하부의 분리 및 결합이 가능한 공정챔버와 공정쳄버의 외부에 별도의 진공형성 및 압력 조절용 진공쳄버를 기본 단위로 하는 공정모듈을 적층형태로 다수개 배치하며, 각 단위 공정모듈의 공정쳄버 및 진공쳄버는 최적의 공정이 가능한 최소의 공간만을 가지도록 구현되며, 다수개의 공정모듈내 공정챔버에서 동시에 원자층 증착 공정진행이 가능하도록 함으로써, 원료전구체 및 반응전구체의 사용량 감소 및 공정시간 최소화를 통해 비용을 절감시키면서 생산성을 향상시킬 수 있도록 하며, 각 공정모듈별 개별 공정 진행 또는 개별 유지보수가 가능하여 장치운용의 확정성이 용이하다. 또한 최적화된 공정챔버 내에서 원자층 증착 대상 기판 또는 마스크가 상부 공정챔버 또는 하부 공정챔버에 밀착하게 되어 기판 뒷면의 성막 방지 및 동시에 두 장의 기판을 성막시킬 수 있도록 한다.

    摘要翻译： 在本发明中，以堆叠的形式设置多个具有处理室和真空室作为基本单元的处理模块，其中处理室具有上下处理室，该处理室可以分离并耦合到 并且真空室分别设置在处理室外部以形成真空并调节压力。 此外，每个单元处理模块的处理室和真空室被实现为具有可以执行最佳处理的最小空间，并且可以在多个处理模块的处理室中同时执行原子层沉积工艺。 因此，可以减少使用的源和反应物前体的量，并且可以最小化处理时间，从而实现成本降低和生产率提高，并且可以对每个处理模块独立地进行处理或维护，从而容易地增加 操作装置。 此外，经过原子层沉积的衬底或掩模靠近优化处理室内的上或下处理室，从而防止在衬底背面形成膜，同时在两个衬底上形成膜 。

    METHODS FOR DEPOSITING BEVEL PROTECTIVE FILM
    5.
    发明申请
    METHODS FOR DEPOSITING BEVEL PROTECTIVE FILM 审中-公开
    沉积水保护膜的方法

    公开(公告)号：WO2012054577A3

    公开(公告)日：2013-10-24

    申请号：PCT/US2011056849

    申请日：2011-10-19

    申请人： LAM RES CORP ,  SHIN NEUNGHO ,  CHUNG PATRICK ,  KIM YUNSANG

    发明人： SHIN NEUNGHO ,  CHUNG PATRICK ,  KIM YUNSANG

    IPC分类号： C23C16/50

    CPC分类号： H01L21/67069 ,  H01J37/32366 ,  H01J37/32376 ,  H01J37/32568 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/3083 ,  H01L21/67017

    摘要： A method of film deposition using localized plasma to protect bevel edge of a wafer in a plasma chamber. The method includes adjusting an electrode gap between a movable electrode and a stationary electrode, the wafer being disposed on one of the movable electrode and the stationary electrode, to a gap distance configured to prevent plasma formation over a center portion of the wafer, the gap distance also dimensioned such that a plasma-sustainable condition around the bevel edge of the wafer is formed after the adjusting. The method also includes flowing deposition gas into the plasma chamber. The method includes maintaining, using a heater, a chuck temperature that is configured to facilitate film deposition on the bevel edge. The method further includes generating the localized plasma from the deposition gas for depositing a film on the bevel edge.

    摘要翻译： 使用局部等离子体的膜沉积方法来保护等离子体室中的晶片的斜边缘。 该方法包括调整可动电极和固定电极之间的电极间隙，将晶片设置在可动电极和固定电极中的一个上，形成为防止等离子体在晶片的中心部分形成的间隙距离，间隙 距离也被确定为使得在调整之后形成围绕晶片的斜边缘的等离子体可持续状态。 该方法还包括将沉积气体流入等离子体室。 该方法包括使用加热器维持配置成有助于膜倾斜边缘上的膜沉积的卡盘温度。 该方法还包括从沉积气体产生局部等离子体，以便在斜面边缘上沉积薄膜。

    METHODS FOR DEPOSITING BEVEL PROTECTIVE FILM
    6.
    发明申请
    METHODS FOR DEPOSITING BEVEL PROTECTIVE FILM 审中-公开
    沉积水保护膜的方法

    公开(公告)号：WO2012054577A2

    公开(公告)日：2012-04-26

    申请号：PCT/US2011/056849

    申请日：2011-10-19

    申请人： LAM RESEARCH CORPORATION ,  SHIN, Neungho ,  CHUNG, Patrick ,  KIM, Yunsang

    发明人： SHIN, Neungho ,  CHUNG, Patrick ,  KIM, Yunsang

    IPC分类号： H01L21/30

    CPC分类号： H01L21/67069 ,  H01J37/32366 ,  H01J37/32376 ,  H01J37/32568 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/3083 ,  H01L21/67017

    摘要： A method of film deposition using localized plasma to protect bevel edge of a wafer in a plasma chamber. The method includes adjusting an electrode gap between a movable electrode and a stationary electrode, the wafer being disposed on one of the movable electrode and the stationary electrode, to a gap distance configured to prevent plasma formation over a center portion of the wafer, the gap distance also dimensioned such that a plasma-sustainable condition around the bevel edge of the wafer is formed after the adjusting. The method also includes flowing deposition gas into the plasma chamber. The method includes maintaining, using a heater, a chuck temperature that is configured to facilitate film deposition on the bevel edge. The method further includes generating the localized plasma from the deposition gas for depositing a film on the bevel edge.

    摘要翻译： 使用局部等离子体的膜沉积方法来保护等离子体室中的晶片的斜边缘。 该方法包括调整可动电极和固定电极之间的电极间隙，将晶片设置在可动电极和固定电极中的一个上，形成为防止等离子体在晶片的中心部分形成的间隙距离，间隙 距离也被确定为使得在调整之后形成围绕晶片的斜边缘的等离子体可持续状态。 该方法还包括将沉积气体流入等离子体室。 该方法包括使用加热器维持配置成有助于膜倾斜边缘上的膜沉积的卡盘温度。 该方法还包括从沉积气体产生局部等离子体，以便在斜面边缘上沉积薄膜。

    WORKPIECE PATTERNING WITH PLASMA SHEATH MODULATION
    7.
    发明申请
    WORKPIECE PATTERNING WITH PLASMA SHEATH MODULATION 审中-公开
    用等离子鞘层调制工件图案

    公开(公告)号：WO2011079040A3

    公开(公告)日：2011-10-27

    申请号：PCT/US2010060953

    申请日：2010-12-17

    申请人： VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ,  RAMAPPA DEEPAK ,  GODET LUDOVIC

    发明人： RAMAPPA DEEPAK ,  GODET LUDOVIC

    IPC分类号： H01L31/0236 ,  H01L31/18

    CPC分类号： H01L31/068 ,  H01J37/32366 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32623 ,  H01L21/3065 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

    摘要： Methods to texture or fabricate workpieces are disclosed. The workpiece may be, for example, a solar cell. This texturing may involve etching or localized sputtering using a plasma where a shape of a boundary between the plasma and the plasma sheath is modified with an insulating modifier. The workpiece may be rotated in between etching or sputtering steps to form pyramids. Regions of the workpiece also may be etched or sputtered with ions formed from a plasma adjusted by an insulating modifier and doped. A metal layer may be formed on these doped regions.

    摘要翻译： 公开了制造或制造工件的方法。 工件可以是例如太阳能电池。 该纹理化可以涉及使用等离子体的蚀刻或局部溅射，其中等离子体和等离子体鞘之间的边界的形状被绝缘改性剂改性。 工件可以在蚀刻或溅射步骤之间旋转以形成金字塔。 工件的区域也可以用由绝缘改性剂调节并掺杂的等离子体形成的离子蚀刻或溅射。 金属层可以形成在这些掺杂区域上。

    SMALL PLASMA CHAMBER SYSTEMS AND METHODS
    8.
    发明申请
    SMALL PLASMA CHAMBER SYSTEMS AND METHODS 审中-公开
    小型等离子体系统和方法

    公开(公告)号：WO2011069011A1

    公开(公告)日：2011-06-09

    申请号：PCT/US2010/058791

    申请日：2010-12-02

    申请人： LAM RESEARCH CORPORATION ,  GOTTSCHO, Richard ,  DHINDSA, Rajinder ,  SRINIVASAN, Mukund

    发明人： GOTTSCHO, Richard ,  DHINDSA, Rajinder ,  SRINIVASAN, Mukund

    IPC分类号： C23C16/00

    CPC分类号： H01J37/32366 ,  C23C16/50 ,  C23C16/503 ,  C23C16/505 ,  C23C16/513 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32137 ,  H01J37/32376 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771 ,  H01L21/68785

    摘要： A computer implemented method and a data center management appliance for simulating noπstandard operation of an element of a data center is provided. The method includes acts of determining a one data center resource affected by a data center element, selecting a simulator from a plurality of simulators based on the data center resource and the data center element and generating a impact analysis of the nonstandard operation of the data center element using the simulator. The data center management appliance includes a network interface, a memory and a controller coupled to the network interface and the memory. The controller is configured to determine a data center resource affected by a data center element, select a simulator from a plurality of simulators based on the data center resource and the data center element and generate a impact analysis of nonstandard operation of the data center element using the first simulator.

    摘要翻译： 提供了一种用于模拟数据中心的元素的非标准操作的计算机实现的方法和数据中心管理装置。 该方法包括确定受数据中心元件影响的一个数据中心资源的动作，基于数据中心资源和数据中心元素从多个模拟器中选择模拟器，并产生数据中心的非标准操作的影响分析 元素使用模拟器。 数据中心管理设备包括网络接口，存储器和耦合到网络接口和存储器的控制器。 控制器被配置为确定受数据中心元件影响的数据中心资源，基于数据中心资源和数据中心元素从多个模拟器中选择一个模拟器，并使用数据中心元素的非标准操作生成影响分析 第一个模拟器。

    HIGH PRESSURE BEVEL ETCH PROCESS
    9.
    发明申请
    HIGH PRESSURE BEVEL ETCH PROCESS 审中-公开
    高压水洗工艺

    公开(公告)号：WO2010077299A2

    公开(公告)日：2010-07-08

    申请号：PCT/US2009006531

    申请日：2009-12-14

    申请人： LAM RES CORP ,  FANG TONG ,  KIM YUNSANG S ,  FISCHER ANDREAS

    发明人： FANG TONG ,  KIM YUNSANG S ,  FISCHER ANDREAS

    IPC分类号： H01L21/3065

    CPC分类号： H01L21/3065 ,  H01J37/32366 ,  H01L21/02021

    摘要： A method of preventing arcing during bevel edge etching a semiconductor substrate with a plasma in a bevel etcher in which the semiconductor substrate is supported on a semiconductor substrate support comprises bevel edge etching the semiconductor substrate with the plasma in the bevel etcher while evacuating the bevel etcher to a pressure of 3 to 100 Torr while maintaining RF voltage seen at the wafer at a low enough value to avoid arcing.

    摘要翻译： 在半导体衬底支撑在半导体衬底支撑件上的斜面蚀刻器中用等离子体进行斜面边缘蚀刻半导体衬底时的防止电弧的方法包括在排除斜面蚀刻器的同时在斜面蚀刻器中等离子体刻蚀半导体衬底 压力为3至100托，同时保持晶片处的RF电压足够低以避免电弧。