公开(公告)号：WO2011040108A1

公开(公告)日：2011-04-07

申请号：PCT/JP2010/061910

申请日：2010-07-14

Applicant: 住友電気工業株式会社 ,  石橋 恵二

Inventor： 石橋　恵二

IPC: C30B29/38 ,  C23C16/34 ,  C30B29/40 ,  H01L21/205 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/30 ,  C30B23/025 ,  C30B25/186 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02013 ,  H01L21/02019 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/30621 ,  H01L24/32 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/025 ,  H01L33/12 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 　半導体デバイス１００では、Ｓ換算で３０×１０ １０ 個／ｃｍ ２ ～２０００×１０ １０ 個／ｃｍ ２ の硫化物、及び、Ｏ換算で２ａｔ％～２０ａｔ％の酸化物が表面層１２に存在することにより、エピタキシャル層２２とＩＩＩ族窒化物半導体基板１０との界面においてＣがパイルアップすることを抑制できる。このようにＣのパイルアップを抑制することで、エピタキシャル層２２とＩＩＩ族窒化物半導体基板１０との界面における高抵抗層の形成が抑制される。これにより、エピタキシャル層２２とＩＩＩ族窒化物半導体基板１０との界面における電気抵抗を低減することができると共に、エピタキシャル層２２の結晶品質を向上させることができる。したがって、半導体デバイス１００の発光強度及び歩留を向上させることができる。

Abstract translation: 在半导体装置（100）中，表面层（12）以S含量计，密度为30×10 10〜2000×10 10个/ cm 2的硫化物，浓度为2〜20原子％的氧化物 的O内容。 在半导体装置（100）中，能够防止在外延层（22）与III族氮化物半导体基板（10）之间的界面层叠C的发生。 以这种方式，通过防止C的堆积的发生，可以防止在外延层（22）和III族氮化物半导体衬底（10）之间的界面中形成高电阻层。 因此，可以减小外延层（22）和III族氮化物半导体衬底（10）之间的界面中的电阻，并且可以提高外延层（22）的晶体质量。 因此，可以提高半导体器件（100）的发光强度和产量。

公开(公告)号：WO2010130421A1

公开(公告)日：2010-11-18

申请号：PCT/EP2010/002907

申请日：2010-05-11

Applicant: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. ,  GUTER, Wolfgang ,  DIMROTH, Frank ,  SCHÖNE, Jan

Inventor： GUTER, Wolfgang ,  DIMROTH, Frank ,  SCHÖNE, Jan

IPC: H01L31/068 ,  H01L33/04 ,  H01S5/183 ,  H01L29/885

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L29/885 ,  H01L31/0687 ,  H01L33/0045 ,  H01L33/30 ,  H01S5/183 ,  H01S5/3095 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: Die Erfindung bezieht sich auf Halbleiterbauteile, insbesondere Solarzellen aus III -V Verbindungshalbleitern, wie sie in terrestrischen PV Konzentratorsystemen oder zur elektrischen Energieversorgung in Satelliten eingesetzt werden. Sie findet jedoch auch Anwendung in anderen optoelektronischen Bauteilen, wie Laser und Leuchtdioden, wo entweder hohe Tunnel stromdichten nötig sind oder spezielle Materialien zum Einsatz kommen und wo eine Verspannung der Gesamtstruktur nicht erwünscht ist. Die erfindung besteht darin, Tunneldioden von Halbleiterbauteilen aus spannungskompensierten Halbleiterschichten zu bilden.

Abstract translation: 本发明涉及半导体器件，在由III-V族化合物半导体，例如那些在陆地PV聚集器系统或用于向卫星提供电力使用特定太阳能电池。 然而，也发现在其它光电子器件如激光器和发光二极管在需要的地方或高的隧道电流密度或特殊材料应用中使用，并且其中所述森林的菌株是不期望的。 本发明是提供半导体元件的隧道二极管从电压补偿的半导体层。

公开(公告)号：WO2010022526A2

公开(公告)日：2010-03-04

申请号：PCT/CH2009/000283

申请日：2009-08-26

Applicant: EXALOS AG ,  LAINO, Valerio ,  VELEZ, Christian

Inventor： LAINO, Valerio ,  VELEZ, Christian

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/0045 ,  H01L33/06 ,  H01L33/28 ,  H01L33/30 ,  H01L33/32

Abstract: In accordance with a first aspect of the invention, an optical device is presented, the optical device being a superluminescent light emitting diode or amplifier chip, the optical device comprising a semiconductor quantum well heterostructure embedded in a cladding structure, and a current injector for injecting charge carriers in the heterostructure, so that radiation reaching the heterostructure is amplifiable by stimulated emission. The heterostructure defines a first and a second discrete energy level in a conduction band, the first and second energy levels spaced apart from each other by more than a thermal excitation energy kT w at a working temperature T w of the optical device, with essentially no energy levels between the first and the second energy level, and the higher one of the first and second energy levels being spaced from a conduction energy band of the cladding structure by more than the thermal excitation energy at the working temperature, the optical device further comprising feedback suppressing means.

Abstract translation: 根据本发明的第一方面，提供了一种光学器件，该光学器件是超发光发光二极管或放大器芯片，该光学器件包括嵌入包层结构中的半导体量子阱异质结构，以及用于注入 异质结构中的电荷载体，使得到达异质结构的辐射可以通过受激发射放大。 异质结构限定了导带中的第一和第二离散能级，第一和第二能量级在光学器件的工作温度T w处彼此间隔多于热激发能kT w，基本上没有 第一能级和第二能级之间的能量级别，并且第一和第二能级中较高的一级与包层结构的传导能带间隔超过工作温度下的热激发能，该光学装置还包括 反馈抑制装置。

公开(公告)号：WO2009017017A1

公开(公告)日：2009-02-05

申请号：PCT/JP2008/063250

申请日：2008-07-24

Applicant: 信越半導体株式会社 ,  渡辺 政孝 ,  山田 雅人

Inventor： 渡辺 政孝 ,  山田 雅人

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/0079 ,  H01L33/30

Abstract: 　反りが小さくチップ工程での加工割れの無い厚い窓層を備えた高輝度発光ダイオード、及びその高輝度発光ダイオードを安定して製造できる方法を提供する。 　ＧａＡｓ基板上に成長せしめられたＡｌＧａＩｎＰの４元発光層と、前記ＡｌＧａＩｎＰの４元発光層の表層に成長せしめられた発光光の取り出し用のｐ型ＧａＰ窓層と、前記ＧａＡｓ基板をエッチング除去した前記ＡｌＧａＩｎＰの４元発光層の裏面に気相成長せしめられた発光光の取り出し用のｎ型ＧａＰ窓層とを有し、前記裏面のｎ型ＧａＰ窓層と前記表層のｐ型ＧａＰ窓層の材質の組成を同一としかつ前記裏面のｎ型ＧａＰ窓層厚さ／前記表層のｐ型ＧａＰ窓層厚さの比Ｘを所定の範囲に設定するようにした。

Abstract translation: 提供了一种高亮度发光二极管，其具有厚度较小的窗口层，并且在芯片步骤中没有工艺破损。 还提供了用于稳定制造这种高亮度发光二极管的方法。 高亮度发光二极管设置有沉积在GaAs衬底上的AlGaInP四元件发光层; 沉积在AlGaInP四元件发光层的前表面上的用于取出发光的p型GaP窗层; 以及用于取出发光的n型GaP窗口层。 通过气相沉积将n型GaP窗口层沉积在AlGaInP四元件发光层的后表面上，通过蚀刻从其去除GaAs衬底。 背面上的n型GaP窗层的材料组成和前层上的p型GaP窗口层的材料组成相同，并且比率X即n型GaP窗口层厚度 在表面上的表面上的p型GaP窗口层的厚度设定在规定范围内。

公开(公告)号：WO2008048303A3

公开(公告)日：2008-07-03

申请号：PCT/US2006045965

申请日：2006-11-30

Applicant: KYMA TECHNOLOGIES INC ,  HANSER ANDREW D ,  LIU LIANGHONG ,  PREBLE EDWARD A ,  TSVETKOV DENIS ,  WILLIAMS NATHANIEL MARK ,  XU XUEPING

Inventor： HANSER ANDREW D ,  LIU LIANGHONG ,  PREBLE EDWARD A ,  TSVETKOV DENIS ,  WILLIAMS NATHANIEL MARK ,  XU XUEPING

IPC: H01L21/44

CPC classification number: H01L21/02694 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B25/183 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0257 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/04 ,  H01L29/0688 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/007 ,  H01L33/30 ,  H01L33/32

Abstract: Group III (Al, Ga, In)N single crystals, articles and films useful for producing optoelectronic devices (such as light emitting diodes (LEDs), laser diodes (LDs) and photodetectors) and electronic devices (such as high electron mobility transistors (HEMTs)) composed of III-V nitride compounds, and methods for fabricating such crystals, articles and films.

Abstract translation: 用于制造光电子器件（如发光二极管（LED），激光二极管（LD））和光电检测器的III族（Al，Ga，In）N单晶，制品和膜以及电子器件（如高电子迁移率晶体管 由III-V族氮化物组成的HEMT）以及制造这种晶体，制品和膜的方法。

公开(公告)号：WO2008063337A2

公开(公告)日：2008-05-29

申请号：PCT/US2007/022363

申请日：2007-10-19

Applicant: SUNG, Chien-min

Inventor： SUNG, Chien-min

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L33/30 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/3146 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/641

Abstract: Semiconductor-on-diamond devices and methods for making such devices are provided. One such method may include depositing a semiconductor layer (14) on a semiconductor substrate (12), depositing an adynamic diamond layer (16) on the semiconductor layer (14) opposite the semiconductor substrate (12), and coupling a support substrate (18) to the adynamic diamond layer (16) opposite the semiconductor layer (14) to support the adynamic layer.

Abstract translation: 提供了半导体在金刚石器件和用于制造这种器件的方法。 一种这样的方法可以包括在半导体衬底（12）上沉积半导体层（14），在与半导体衬底（12）相对的半导体层（14）上沉积非动态金刚石层（16），并且将支撑衬底 ）到与半导体层（14）相对的不活动金刚石层（16）以支撑动态层。

公开(公告)号：WO2007094928A1

公开(公告)日：2007-08-23

申请号：PCT/US2007/001731

申请日：2007-01-22

Applicant: CREE, INC. ,  DENBAARS, Steven, P. ,  TARSA, Eric, J. ,  MACK, Michael ,  KELLER, Bernd ,  THIBEAULT, Brian ,  SAXLER, Adam, W.

Inventor： DENBAARS, Steven, P. ,  TARSA, Eric, J. ,  MACK, Michael ,  KELLER, Bernd ,  THIBEAULT, Brian ,  SAXLER, Adam, W.

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/08 ,  H01L25/0756 ,  H01L27/15 ,  H01L33/025 ,  H01L33/30 ,  H01L33/343 ,  H01L33/465 ,  H01L33/502 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/0002 ,  H01S5/405 ,  H01S5/4087 ,  H01L2924/00

Abstract: A solid state light emitting device comprising an emitter structure having an active region of semiconductor material and a pair of oppositely doped layers of semiconductor material on opposite sides of the active region. 'The active region emits light at a predetermined wavelength in response to an electrical bias across the doped layers. An absorption layer of semiconductor material is included that is integral to said emitter structure and doped with at least one rare earth or transition element. The absorption layer absorbs at least some of the light emitted from the active region and re-emits at least one different wavelength of light. A substrate is included with the emitter structure and absorption layer disposed on the substrate.

Abstract translation: 一种固态发光器件，包括具有半导体材料的有源区的发射极结构和在该有源区的相对侧上的一对相对掺杂的半导体材料层。 “有源区域响应于跨越掺杂层的电偏压而以预定波长发光。 包括与所述发射极结构成一体并掺杂有至少一种稀土或过渡元素的半导体材料的吸收层。 吸收层吸收从有源区域发射的至少一些光并且再发射至少一个不同波长的光。 发射体结构和衬底上设置的吸收层包括衬底。

公开(公告)号：WO2007004741A1

公开(公告)日：2007-01-11

申请号：PCT/JP2006/313800

申请日：2006-07-05

Applicant: SHOWA DENKO K.K. ,  WATANABE, Takashi ,  TAKEUCHI, Ryouichi

Inventor： WATANABE, Takashi ,  TAKEUCHI, Ryouichi

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/0079 ,  H01L33/30 ,  H01L33/387 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: A compound semiconductor light-emitting diode includes a light-emitting layer 133 formed of aluminum-gallium-indium phosphide, a light-emitting part 13 having component layers individually formed of a Group III-V compound semiconductor, a transparent supporting layer 14 bonded to one of the outermost surface layers 135 of the light-emitting part 13 and transparent to the light emitted from the light-emitting layer 133, and a bonding layer 141 formed between the supporting layer 14 and the one of the outermost surface layers 135 of the light-emitting part 13 containing oxygen atoms at a concentration of 1 x 10 20 CM -3 or less. The compound semiconductor light-emitting diode can avoid exertion of stress on the light-emitting part, suppress the occurrence of a crystal defect, enhance the bonding strength between the light-emitting part and the supporting layer, further decrease electric resistance in the bonding interface and thereby enhance the forward voltage (Vf), also heighten the reverse voltage and materialize impartation of high luminance:

Abstract translation: 化合物半导体发光二极管包括由铝 - 镓铟磷化物形成的发光层133，具有由III-V族化合物半导体单独形成的成分层的发光部13，与 发光部13的最外表面层135之一，对于从发光层133发射的光透明，并且在支撑层14和支撑层14的最外表面层135中的一个之间形成接合层141 含有浓度为1×10 20 CM的氧原子的发光部分13

公开(公告)号：WO2006090841A1

公开(公告)日：2006-08-31

申请号：PCT/JP2006/303444

申请日：2006-02-24

Applicant: 同和鉱業株式会社 ,  村瀬 健一 ,  新木 隆司

Inventor： 村瀬 健一 ,  新木 隆司

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/208

CPC classification number: H01L33/30 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02625 ,  H01L33/305

Abstract: 　発光のピーク波長が８８０ｎｍ以上で応答性が速い、ダブルヘテロ接合を有するＡｌＧ ａＡｓ系発光ダイオードを提供する。 　Ｐ型のＡｌＧａＡｓ化合物からなるＰ型クラッド層１と、Ｐ型のＡｌＧａＡｓ化合物か らなるＰ型の発光層２と、Ｎ型のＡｌＧａＡｓ化合物からなるＮ型クラッド層３との少な くとも３層を有するＬＥＤにおいて、前記発光層２にドーパントとしてＳｉとＧｅとを添加する。

Abstract translation: 具有880nm以上的发光峰值波长并具有双异质结的高速响应AlGaAs发光二极管。 LED设置有至少三层由P型AlGaAs化合物构成的P型覆盖层（1），由P型AlGaAs化合物构成的P型发光层（2）和N型 型覆盖层（3），由N型AlGaAs化合物构成。 发光层（2）加入Si和Ge作为掺杂剂。

公开(公告)号：WO2004093136A3

公开(公告)日：2006-04-27

申请号：PCT/US2004010694

申请日：2004-04-06

Applicant: LUMINUS DEVICES INC ,  ERCHAK ALEXEI A ,  LIDORIKIS ELEFTRIOS ,  LUO CHIYAN

Inventor： ERCHAK ALEXEI A ,  LIDORIKIS ELEFTRIOS ,  LUO CHIYAN

IPC: H05B33/00 ,  H01L33/00 ,  H01L33/20 ,  H05B33/02

CPC classification number: H01L33/30 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01L33/24 ,  H01L33/405 ,  H01L33/46 ,  H01L33/50 ,  H01L2933/0083

Abstract: Light-emitting devices, and related components, systems and methods are disclosed. The light-emitting device can include a multi-layer stack of materials and a support. The multi-layer stack of materials can include a light-generating region and a first layer supported by the light-generating region. The light-generating region can be between the first layer and the support. The surface of the first layer can be configured so that light generated by the light-generating region can emerged from the light-emitting device via the surface of the first layer. The surface of the first layer can have a dielectric function that varies spartially according to a pattern. The pattern can be formed of the holes in surface of the first layer. The pattern is configured so that light generated by the light-generating region that emerges from the light-emitting device via the surface of the first layer is more collimated than a Lambertian distribution of light.

Abstract translation: 公开了发光器件及相关部件，系统和方法。 发光装置可以包括多层堆叠的材料和支撑体。 多层堆叠材料可以包括发光区域和由发光区域支撑的第一层。 光产生区域可以在第一层和支撑体之间。 第一层的表面可以被配置为使得由发光区产生的光可以经由第一层的表面从发光器件出射。 第一层的表面可以具有根据图案在短时间内变化的介电功能。 图案可以由第一层的表面中的孔形成。 图案被配置为使得通过第一层的表面从发光器件出射的发光区域产生的光比朗伯分布的光更准直。