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公开(公告)号:WO2018056426A1
公开(公告)日:2018-03-29
申请号:PCT/JP2017/034411
申请日:2017-09-25
Applicant: 株式会社パウデック
CPC classification number: H01L23/12 , H01L23/28 , H01L23/29 , H01L23/31 , H01L23/48 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L2224/16245 , H01L2224/97 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2924/00012
Abstract: 半導体パッケージは、絶縁基板10の第1主面上に3端子半導体素子を構成する半導体層20が設けられ、半導体層20上にソース電極30、ドレイン電極40およびゲート電極が三角形に配置された半導体チップCと、ソース電極30、ドレイン電極40およびゲート電極とそれぞれ電気的に接続され、半導体層20の外部に引き出された電極パッド60、70などと、半導体層20、ソース電極30、ドレイン電極40、ゲート電極および絶縁基板10の側面を封止する電気的に絶縁性の樹脂90とを有する。
Abstract translation: 在半导体封装中,构成三端子半导体元件的半导体层20设置在绝缘基板10的第一主表面上,并且源电极30,漏电极40和栅极 半导体芯片C,其中电极被设置成三角形,源极电极30连接到各自的漏极电极40和栅电极电,并且被拉出的半导体层20,半导体层20的电极焊盘60,70 源电极30,漏电极40,栅电极和用于密封绝缘基板10的侧表面的电绝缘树脂90。 p>
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公开(公告)号:WO2018043162A1
公开(公告)日:2018-03-08
申请号:PCT/JP2017/029668
申请日:2017-08-18
Applicant: 株式会社村田製作所
IPC: H01L23/28 , H01L23/12 , H01L25/04 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18 , H05K1/02 , H05K1/18 , H05K7/20
CPC classification number: H01L23/12 , H01L23/28 , H01L25/04 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L2224/16225 , H01L2924/181 , H05K1/02 , H05K1/18 , H05K7/20 , H01L2924/00012
Abstract: 基板に接続された電子部品からの熱を効果的に放散できる回路モジュールを提供する。回路モジュール(100)は、基板素体(11)と基板素体(11)の一方主面に設けられた第1のパッド電極(12)および第2のパッド電極(13)とを備えた基板(10)と、第1の電子部品(21)と、第1の金属柱(22)と、第1の樹脂部材(30)とを備える。第1の電子部品(21)と第1のパッド電極(12)とが接続され、第1の金属柱(22)の一方端面と第2のパッド電極(13)とが接続され、第1の電子部品(21)と第1の金属柱(22)とが、第1の金属柱(22)の他方端面が露出するように第1の樹脂部材(30)により一体封止され、第1の金属柱(22)の他方端面には接続電極(41)が設けられている。第1の樹脂部材(30)の表面には、金属層(42)が、平面視で第1の電子部品(21)と少なくとも一部が重なるように配置されている。
Abstract translation:
提供一种电路模块,能够有效地散发连接到基板的电子元件的热量。 电路模块(100)包括:基板(10),其包括基板元件主体(11)和设置在基板元件主体(11)的一个主表面上的第一焊盘电极(12)和第二焊盘电极 (10),第一电子部件(21),第一金属柱(22)和第一树脂部件(30)。 第一电子部件(21)和第一焊盘电极(12)连接,第一金属柱(22)的一个端面与第二焊盘电极(13)彼此连接, 电子部件(21)和第一金属柱(22)通过第一树脂部件(30)一体地密封,使得第一金属柱(22)的另一个端面露出,并且第一金属柱 连接电极(41)设置在金属柱(22)的另一个端面上。 在第一树脂部件(30)的表面上,金属层(42)在平面图中布置成至少部分地与第一电子部件(21)重叠。 p>
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公开(公告)号:WO2017179104A1
公开(公告)日:2017-10-19
申请号:PCT/JP2016/061711
申请日:2016-04-11
Applicant: オリンパス株式会社
Inventor: 中山 高志
IPC: H01L27/14 , A61B1/04 , H01L21/3205 , H01L21/60 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18 , H04N5/225 , H04N5/369
CPC classification number: A61B1/04 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L27/14 , H04N5/225 , H04N5/369
Abstract: 半導体素子接合構造30は、貫通孔部33の周囲に電極34が形成された第1のシリコンウエハ31と、第1のシリコンウエハ31が積層され、貫通孔部33に挿嵌する金属柱部45が形成された第2のシリコンウエハ41と、を備え、金属柱部41は、第2のシリコンウエハ41に設けられた台座金属43と、台座金属43に積層されて第1のシリコンウエハ31の電極34に溶融して電気的に接合するように構成され、台座金属43よりも融点温度の低い低融点金属44と、を具備する。
Abstract translation: 在半导体元件接合结构30中,具有形成在通孔部分33和第一硅晶片31周围的电极34的第一硅晶片31被层压,并且通孔部分33 并且金属柱部分41层叠在设置在第二硅晶片41上的底座金属43上,并且底座金属43 以及熔点低的金属44,其被配置为熔化并电连接至第一硅晶片31的电极34并且具有比基座金属43低的熔点温度。 p>
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公开(公告)号:WO2017144206A1
公开(公告)日:2017-08-31
申请号:PCT/EP2017/051280
申请日:2017-01-23
Applicant: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
Inventor: BÖHME, Daniel , KÜBEL, Thomas , PIERSTORF, Steffen , SCHMITT, Daniel , SCHREMMER, Frank , STOLTZE, Torsten , WAHLE, Marcus
CPC classification number: H01L23/562 , H01L23/02 , H01L25/07 , H01L25/11
Abstract: Die Erfindung bezieht sich unter anderem auf eine elektrische Einrichtung mit zumindest zwei elektrischen Modulen (1), die jeweils zumindest eine in einem Modulgehäuse (2) untergebrachte elektrische Komponente (3, 4) aufweisen. Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass die äußere Oberfläche der Modulgehäuse (2) jeweils außen ganz oder zumindest überwiegend von einer moduleigenen Folie (100) umgeben ist.
Abstract translation:
本发明涉及,除其他外,具有至少两个电动模块(1)每一个都具有在一个Modulgeh BEAR至少一个电气装置已经容纳使用(2)电元件(3,4)。 发明Ä大街 假设模块壳体(2)的外表面完全或至少主要由模块特定箔(100)包围,
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公开(公告)号:WO2017141407A1
公开(公告)日:2017-08-24
申请号:PCT/JP2016/054749
申请日:2016-02-18
Applicant: 三菱電機株式会社
Abstract: FWD12b,14bとMOSFET12a,14aとが逆並列に接続された第1、第2の素子対(12,14)が直列に接続され且つ樹脂封止されてコアモジュール10を構成する。コアモジュール10では、MOSFET12aの第1のドレイン電極D1、MOSFET12aの第1のソース電極S1、MOSFET14aの第2のドレイン電極D2、およびMOSFET14aの第2のソース電極S2は表面に露出している。直流正極端子22P、直流負極端子22Nおよび交流端子22ACを具備する端子付きカバー20Aをコアモジュール10に被せる。このとき、端子付きカバー20Aの直流正極端子22P、直流負極端子22Nおよび交流端子22ACのそれぞれは、コアモジュール10の第1のドレイン電極D1、第2のソース電極S2、ならびに第1のソース電極S1および第2のドレイン電極D2のそれぞれと電気的に接続される。
Abstract translation:
FWD12b,14b和MOSFET 12a中,首先,核心模块10与第二元件对(12,14)是气密地和树脂密封串联连接14a和被反并联连接 构成。 在芯模块10中,第一漏电极D1,第一源电极S1,第二漏电极D2,和MOSFET12a的MOSFET12a的MOSFET14a的MOSFET14a的第二源电极S2被暴露到表面上。 在核心模块10上覆盖包括直流正极端子22P,直流负极端子22N和交流端子22AC的带端子盖20A。 此时,与盖20A上的端子的直流正极端子22P,每个直流负极端子22N和交流端子22AC的,核心模块10的第一漏电极D1,第二源极S2和所述第一源电极S1, 和第二漏电极D 2。 p>
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公开(公告)号:WO2017138414A1
公开(公告)日:2017-08-17
申请号:PCT/JP2017/003572
申请日:2017-02-01
Applicant: 株式会社 豊田自動織機
IPC: H01L25/07 , H01L23/48 , H01L25/065 , H01L25/18 , H02M7/48
CPC classification number: H01L23/48 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L2224/40137 , H02M7/48
Abstract: 半導体モジュールは、第1導電板と、第1導電板上に載置されている第1スイッチング素子と、第1スイッチング素子の上に設けられている第2導電板と、第2導電板の上に積層されている第2スイッチング素子と、第2スイッチング素子の上に設けられている第3導電板と、第1及び第2制御端子と、を備える。各スイッチング素子は、炭化ケイ素を用いて構成されている。第2導電板の第2下側導電板面には、当該第2下側導電板面から第1素子上面に向けて突出し、且つ、第1上側電極と接合されている凸部が設けられている。
Abstract translation:
半导体模块包括:第一导电板,其被放置在第一导电板的第一开关元件,设置在第一开关元件上的第二导电板 当与被堆叠在所述第二导电板的第二开关元件提供,第三导电板设置在所述第二开关元件,第一和第二控制终端上。 每个开关元件均由碳化硅制成。 第二,第二导电板的下导电板表面,从第二下导电板表面突出朝向所述第一元件上表面上,并且与设置被接合到所述第一上部电极的凸部 那里。 p>
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公开(公告)号:WO2017126024A1
公开(公告)日:2017-07-27
申请号:PCT/JP2016/051393
申请日:2016-01-19
Applicant: オリンパス株式会社
Inventor: 齊藤 晴久
IPC: H04N5/369 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L27/14 , H01L27/146
CPC classification number: H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L27/14 , H01L27/146 , H04N5/369
Abstract: 固体撮像装置は、第1の基板と、第2の基板と、第3の基板と、複数のマイクロバンプとを有する。前記第1の基板は、複数の第1の光電変換素子を有する。前記第2の基板は、複数の第1の貫通電極を有する。前記複数のマイクロバンプは、前記第1の基板と前記第2の基板とを電気的に接続する。前記第1の基板において、前記複数の第1の光電変換素子は、画素領域に配置されている。前記第2の基板において、前記複数の第1の貫通電極は、前記画素領域に対応する第1の領域と異なる第2の領域のみに配置されている。
Abstract translation: 固态成像装置具有第一基板,第二基板,第三基板和多个微凸出。 第一基板包括多个第一光电转换元件。 第二基板具有多个第一贯通电极。 多个微凸块电连接第一基板和第二基板。 在第一基板中,多个第一光电转换元件布置在像素区域中。 在第二基板中,多个第一贯通电极仅配置在与与像素区域对应的第一区域不同的第二区域。 p>
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公开(公告)号:WO2017122473A1
公开(公告)日:2017-07-20
申请号:PCT/JP2016/086642
申请日:2016-12-08
Applicant: 富士電機株式会社
Inventor: 小平 悦宏
CPC classification number: H01L23/055 , H01L23/13 , H01L23/142 , H01L23/50 , H01L25/07 , H01L25/072 , H01L25/18 , H02M7/537
Abstract: 【課題】半導体装置における主端子の位置を精度よく規定する。 【解決手段】主面部に貫通孔を有する端子部と、貫通孔と対向する位置に窪みを有するケース部とを備え、ケース部は、端子部の端面と対向する端面対向部を有し、端面と端面対向部の少なくとも一方に端面突起部を設けた半導体装置を提供する。
Abstract translation:
要解决的问题:精确定义半导体器件中主端子的位置。 并具有端子部在主表面部分的通孔,并具有在面向所述通孔的位置处的凹部的壳体部分,所述壳体部分具有面对所述端表面的一部分面向所述端子部分的端面,所述端面 并且,在端面对置部的至少一个上设置端面突出部。 p>
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公开(公告)号:WO2017104500A1
公开(公告)日:2017-06-22
申请号:PCT/JP2016/086340
申请日:2016-12-07
Applicant: 三菱電機株式会社
CPC classification number: H01L23/48 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L2224/32225
Abstract: 板状電極(61)及び半導体素子(21,22)を備え、半導体素子における表面電極と板状電極とを接合材(32)にて接合した接合部(32A)を有する半導体装置(100)において、板状電極は、半導体素子に対向する対向面(614)に、接合部を囲み接合材に対して耐熱性を有する枠状部材(52)を有する。
Abstract translation: 包括板电极(61)和半导体元件(21,22)并且用接合材料(32)接合半导体元件中的表面电极和板电极的接合部分(32A) 板电极具有围绕结合部分并且在与半导体元件相对的相对表面(614)上具有对结合材料的耐热性的框架构件(52)。 p>
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公开(公告)号:WO2017094370A1
公开(公告)日:2017-06-08
申请号:PCT/JP2016/080658
申请日:2016-10-17
Applicant: ローム株式会社
CPC classification number: B60K11/02 , H01L23/473 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L2224/49113 , H02M7/48 , H05K7/20
Abstract: パワーモジュール装置(10)は、電力のスイッチングを行う半導体デバイスと、半導体デバイスの外囲を封止するパッケージ(110)と、パッケージ(110)の一面に接合された放熱器(42)とを有するパワーモジュール(100A)と、冷却水が流れる冷却水路(33)を有し、パワーモジュール(100A)の放熱器(42)が冷却水路(33)の途中に設けられた開口部(35)に装着される冷却装置(30)とを備え、冷却水路(33)の開口部(35)の最上部(33T)から最下部(33B)までの高さhaと、冷却水路(33)の開口部(35)の最下部(33B)から放熱器(42)のパッケージ(110)との接合面に対向する基端部(PB)までの高さhbとが、実質的に同一となるようにパワーモジュール(100A)の放熱器(42)が冷却装置(30)の開口部(35)に装着される。冷却装置の上面部に形成された開口部に放熱器を装着するようにしたパワーモジュールを効率よく冷却でき、過熱による劣化を抑えることが可能なパワーモジュール装置を提供する。
Abstract translation:
功率模块装置(10)包括用于切换的功率的半导体器件,封装,用于密封的半导体器件(110)的外周,结合到封装的一个表面(110) 散热器(42)和具有(100A)的功率模块,通过所述冷却水流动(33),所述电源模块(100A)(42)的散热器中的冷却水通路的中途设置的冷却水通道(33) 和安装在所述开口(35)(30)的冷却装置,所述顶部(33T)至底部的高度ha(33B)的冷却通道(33)(35)的开口的,冷却 的(33)水路开口(35)和从底部(33B)到近端的高度Hb的面对所述散热器(42)(PB)的包(110)的接合表面基本上是 与POWERMO相同 散热器玉如(100A)(42)附连到冷却装置(30)(35)的开口。 的功率模块,以便安装在形成于冷却装置的上表面上的开口的散热器可以被有效地冷却,提供一种能够抑制恶化因过热的功率模块用设备。 p>
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