公开(公告)号：WO2017105740A1

公开(公告)日：2017-06-22

申请号：PCT/US2016/062304

申请日：2016-11-16

申请人： INVENSAS CORPORATION

发明人： DELACRUZ, Javier, A. ,  HABA, Belgacem ,  VU, Tu, Tam ,  KATKAR, Rajesh

IPC分类号： H01L25/16 ,  H01L25/10 ,  H01L25/065

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49551 ,  H01L23/49555 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L24/97 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29191 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/48011 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2224/49051 ,  H01L2224/4909 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/49173 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85186 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/06 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/85399

摘要： Stacked microelectronic packages comprise microelectronic elements each having a contact-bearing front surface and edge surfaces extending away therefrom, and a dielectric encapsulation region contacting an edge surface. The encapsulation defines first and second major surfaces of the package and a remote surface between the major surfaces. Package contacts at the remote surface include a first set of contacts at positions closer to the first major surface than a second set of contacts, which instead are at positions closer to the second major surface. The packages are configured such that major surfaces of each package can be oriented in a nonparallel direction with the major surface of a substrate, the package contacts electrically coupled to corresponding contacts at the substrate surface. The package stacking and orientation can provide increased packing density.

摘要翻译： 堆叠的微电子封装包括微电子元件，每个微电子元件具有接触承载前表面和从其延伸的边缘表面以及接触边缘表面的电介质封装区域。 封装限定封装的第一主表面和第二主表面以及主表面之间的远程表面。 在远程表面处的封装触点包括在比第二组触点更靠近第一主表面的位置处的第一组触点，而第二组触点相反处于更靠近第二主表面的位置处。 封装被配置为使得每个封装的主表面可以在与衬底的主表面不平行的方向上定向，封装触点电耦合到衬底表面处的相应触点。 包装堆叠和定向可以提高包装密度。

公开(公告)号：WO2017011246A1

公开(公告)日：2017-01-19

申请号：PCT/US2016/041169

申请日：2016-07-06

申请人： ADVENTIVE TECHNOLOGY LTD. ,  WILLIAMS, Richard, K.

发明人： WILLIAMS, Richard, K. ,  LIN, Keng-hung

IPC分类号： H01L23/495 ,  H01L21/268 ,  H01L21/48 ,  H01L21/56 ,  H01L21/78

CPC分类号： H01L21/561 ,  H01L21/48 ,  H01L21/4828 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49551 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49582 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/40 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/84 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/92166 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/014

摘要： In the fabrication of semiconductor packages, a leadframe is formed by masking and etching a metal sheet from both sides, and a plastic block is formed over a plurality of dice attached to die pads in the leadframe. A laser beam is used to form individual plastic capsules for each package, and a second laser beam is used to singulate the packages by severing the metal conductors, tie bars and rails between the packages. A wide variety of different types of packages, from gull-wing footed packages to leadless packages, with either exposed or isolated die pads, may be fabricated merely by varying the patterns of the openings in the mask layers and the width of the plastic trenches created by the first laser beam.

摘要翻译： 在半导体封装的制造中，通过从两侧掩蔽和蚀刻金属片而形成引线框，并且在引导框架中附着到焊盘的多个裸片上形成塑料块。 激光束用于为每个封装形成单独的塑料胶囊，并且第二激光束用于通过在包装之间切断金属导体，连接条和导轨来对包装进行分割。 可以仅通过改变掩模层中的开口的图案和创建的塑料沟槽的宽度来制造各种不同类型的包装，从鸥翼底脚包装到无引线封装，具有裸露或隔离的裸片焊盘 通过第一激光束。

公开(公告)号：WO2016081730A1

公开(公告)日：2016-05-26

申请号：PCT/US2015/061592

申请日：2015-11-19

申请人： MICRON TECHNOLOGY, INC.

发明人： YE, Seng, Kim ,  NG, Hong, Wan

IPC分类号： H01L25/065 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L25/0657 ,  G06F13/1668 ,  G06F13/1694 ,  H01L22/14 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L24/04 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L25/03 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/1319 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81855 ,  H01L2224/81856 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/83874 ,  H01L2224/92227 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/143 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/1436 ,  H01L2924/1437 ,  H01L2924/1438 ,  H01L2924/1443 ,  H01L2924/15184 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/83

摘要： Memory devices with controllers under stacks of memory packages and associated systems and methods are disclosed herein. In one embodiment, a memory device is configured to couple to a host and can include a substrate, a stack of memory packages, and a controller positioned between the stack and the substrate. The controller can manage data stored by the memory packages based on commands from the host.

摘要翻译： 本文公开了具有位于堆栈内存控制器的相关系统和方法的存储器件。 在一个实施例中，存储器设备被配置为耦合到主机并且可以包括衬底，堆叠的存储器封装以及位于堆和衬底之间的控制器。 控制器可以根据来自主机的命令来管理内存包存储的数据。

公开(公告)号：WO2016002385A1

公开(公告)日：2016-01-07

申请号：PCT/JP2015/064869

申请日：2015-05-25

申请人： 日産自動車株式会社

发明人： 谷本　智

IPC分类号： H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC分类号： H01L25/072 ,  H01L23/645 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/30107 ,  H05K1/0209 ,  H05K2201/066 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/85399

摘要： 　モジュール（１）は、絶縁基板（１５）と、パワー半導体装置（１３ＨＴ）と、パワー半導体装置（１３ＬＴ）と、ブリッジ端子（１４Ｂ）と、ハイサイド端子（１４Ｈ）と、ローサイド端子（１４Ｌ）とを備える。ブリッジ端子は、パワー半導体装置（１３ＨＴ）、（１３ＬＴ）の間で表面配線導体（１２Ｂ）から延伸されている。ハイサイド端子は、パワー半導体装置（１３ＨＴ，１３ＬＴ）の間でハイサイド裏面配線導体（１７Ｈ）から延伸されている。ローサイド端子は、パワー半導体装置（１３ＨＴ，１３ＬＴ）の間でローサイド裏面配線導体（１７Ｌ）から延伸されている。パワー半導体装置（１３ＨＴ）の表面電極及びパワー半導体装置（１３ＬＴ）の裏面電極は、表面配線導体（１２Ｂ）に接続されている。

摘要翻译： 模块（1）设置有绝缘基板（15），功率半导体装置（13HT），功率半导体装置（13LT），桥接端子（14B），高边端子（14H）和低 （14L）。 桥接端子从表面布线导体（12B）和功率半导体器件（13HT，13LT）之间延伸。 高侧端子从高侧背面布线导体（17H）和功率半导体器件（13HT，13LT）之间延伸。 低侧端子从低侧背面布线导体（17L）和功率半导体器件（13HT，13LT）之间延伸。 功率半导体器件（13HT）的前电极和功率半导体器件（13LT）的背电极连接到表面布线导体（12B）。

公开(公告)号：WO2015194482A1

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：PCT/JP2015/067055

申请日：2015-06-12

申请人： ザインエレクトロニクス株式会社

发明人： 久保　俊一 ,  大島　喜信 ,  御手洗　昌希

IPC分类号： H01L21/822 ,  H01L27/04

CPC分类号： H01L23/60 ,  H01L21/822 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49568 ,  H01L23/49861 ,  H01L23/552 ,  H01L27/0292 ,  H01L27/04 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2924/181 ,  H05F3/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

摘要： 　直列的に接続された第１回路１及び第２回路２と、第１回路１の第１電源ラインＤＬ１に第１電位を与える第１端子Ｔ１と、第２回路２の第２電源ラインＤＬ２に第２電位を与える第２端子Ｔ２と、第１回路１の信号伝送ラインに接続された第３端子Ｔ３と、第３端子Ｔ３に接続され、第３端子Ｔ３の電位が第１閾値よりも増加する場合には、第３端子Ｔ３から第４端子Ｔ４に電流を放出する保護回路とを備えている。第１電源ラインＤＬ１と第２電源ラインＤＬ２とは分離されており、且つ、第４端子Ｔ４は、第１電源ラインＤＬ１に直接接続されることなく、リードに電気的に接続されている。

摘要翻译： 该半导体装置设置有：串联连接的第一电路（1）和第二电路（2）; 对第一电路（1）的第一电源线（DL1）施加第一电位的第一端子（T1）; 向第二电路（2）的第二电源线（DL2）施加第二电位的第二端子（T2）; 连接到第一电路（1）的信号传输线的第三终端（T3）; 在第三终端（T3）的电位增加超过第一终端（T3）的情况下，连接到第三终端（T3）并使电流从第三终端（T3）释放到第四终端（T4）的保护电路 阈。 第一电源线（DL1）和第二电源线（DL2）彼此分离; 并且第四端子（T4）电连接到引线而不直接连接到第一电源线（DL1）。

公开(公告)号：WO2015132847A1

公开(公告)日：2015-09-11

申请号：PCT/JP2014/055219

申请日：2014-03-03

申请人： 株式会社日立製作所

发明人： 豊田　善章 ,  坂野　順一

IPC分类号： H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/404 ,  H01L29/407 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48139 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/49431 ,  H01L2224/49433 ,  H01L2924/00014

摘要： 　ＩＧＢＴチップの裏面のキズを検出する機会としては，ＩＧＢＴチップが完成した後と，ＩＧＢＴチップを回路基板に実装した後の２つがある。ＩＧＢＴチップが完成した後に検査をしても，チップ検査後から回路基板に実装するまでの間に裏面のキズが発生することもあるため，回路基板への実装後も検査を行うことが望ましい。　本発明では，ゲートがオフの状態でドリフト層を外部と電気的に接続する構造をＩＧＢＴに設けることで，回路基板への実装後にＩＧＢＴの不良を検出し，パワーモジュール組立歩留りを向上させることができる。

摘要翻译： 在IGBT芯片的后表面上检测划痕的机会有两次，即IGBT完成后的时间，IGBT芯片安装在电路板上的时间。 即使在IGBT芯片完成之后进行检查，由于在从检查芯片之后的时间到芯片安装在电路板上的时间期间在后表面上产生划痕的可能性是理想的 在芯片安装在电路板上之后进行检查。 本发明在将IGBT安装在电路板上之后检测到IGBT的故障，并且能够通过在IGBT中提供将漂移层电连接到外部的结构来提高功率模块组装成品率，其中， 门关闭。

公开(公告)号：WO2015129415A1

公开(公告)日：2015-09-03

申请号：PCT/JP2015/053098

申请日：2015-02-04

申请人： シャープ株式会社

发明人： 石塚　悦子 ,  佐藤　知稔 ,  中西　宏之

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L21/607

CPC分类号： H01L24/49 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/4809 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/49431 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/2076

摘要： 　ＧａＮ系パワーデバイス（１）は、アルミワイヤ（３）を超音波ボンディングするボンディングパッド部（２）と、ボンディングパッド部（２）の下に形成されている第２電極（４２）とを備え、超音波振動をワイヤに印加する方向と第２電極（４２）の長手方向との成す角θが、０°≦θ≦４５°となるように超音波振動を印加にする。

摘要翻译： GaN系功率器件（1）具有用于超声波接合铝线（3）的接合焊盘部（2）和形成在接合焊盘部（2）的下方的第二电极（42）。 GaN系功率器件（1）施加超声波振动，使得施加超声波振动的方向与第二电极（42）的长度方向之间的角度θ为0°≤θ≤45° °。

公开(公告)号：WO2015098322A1

公开(公告)日：2015-07-02

申请号：PCT/JP2014/079848

申请日：2014-11-11

申请人： シャープ株式会社

发明人： 小西　正宏 ,  伊藤　晋

IPC分类号： H01L33/62 ,  C23C4/10 ,  C23C26/00 ,  H01L33/60 ,  H01L33/64

CPC分类号： H01L33/60 ,  C23C4/10 ,  C23C28/32 ,  C23C28/345 ,  H01L33/54 ,  H01L33/62 ,  H01L33/641 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49113

摘要： 　基板（５Ａ）は、アルミニウム基体（１０）と、発光素子（６）との電気的接続をとるための電極パターン（２０）とアルミニウム基体（１０）との間に、発光素子（６）からの光を反射する第１セラミックスを含有して形成された反射層（１２）と、溶射により形成した第２セラミックスを含有して反射層（１２）の絶縁耐圧性能を補強する中間層（１１）と、を備える。

摘要翻译： 该基板（5A）设有：铝基座（10）; 以及反射层（12），其被形成为容纳第一陶瓷并且反射来自发光元件（6）的光和通过喷射形成的中间层（11），以便容纳第二陶瓷并且增强了耐受 反射层（12）的电压性能，所述层布置在铝基底（10）和电极图案（20）之间，用于建立与发光元件（6）的电连接。

公开(公告)号：WO2015079808A1

公开(公告)日：2015-06-04

申请号：PCT/JP2014/076902

申请日：2014-10-08

申请人： シャープ株式会社

发明人： 中西　宏之 ,  佐藤　知稔

IPC分类号： H01L23/12 ,  H01L21/52 ,  H01L23/48 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC分类号： H01L25/18 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/97 ,  H01L25/07 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/27013 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/2076

摘要： 　限られたサイズのダイパッド部上に、複数個の半導体デバイスを近接させて並べて配置する場合においても、半導体デバイスがダイパッド部に対し、傾斜した状態で固定されてしまうようなことが生じない、信頼性および歩留りが向上された半導体装置を提供する。ダイパッド部（２）の同一面上にハンダ（１２）によって固定されたＭＯＳ－ＦＥＴ（１１）と、ダイパッド部（２）の上記同一面上に銀ペースト（１４）によって固定されたＧａＮ－ＨＥＭＴ（１３）と、を備え、銀メッキ領域（５）と非銀メッキ領域（６）との境界または、非銀メッキ領域（６）は、平面視において、ＭＯＳ－ＦＥＴ（１１）とＧａＮ－ＨＥＭＴ（１３）との間に位置する。

摘要翻译： 本发明提供一种表现出提高的可靠性和产量的半导体器件，其中即使在多个半导体元件彼此靠近的情况下，在尺寸有限的芯片焊盘上，所述半导体元件也不会固定在 模具垫一个角度。 所述半导体器件包含通过焊料（12）固定到管芯焊盘（2）的给定表面的MOSFET（11）和经由焊盘（12）固定到管芯焊盘（2）的相同表面上的GaN HEMT（13） 银膏（14）。 在平面图中，非镀银区域（6）或所述非镀银区域（6）和镀银区域（5）之间的边界位于MOSFET（11）和GaN HEMT（13）。

公开(公告)号：WO2015019519A1

公开(公告)日：2015-02-12

申请号：PCT/JP2014/001100

申请日：2014-02-28

申请人： パナソニックIPマネジメント株式会社

发明人： 石井　卓也 ,  北川　篤 ,  畑中　忠太

IPC分类号： H02M3/155 ,  H01L21/822 ,  H01L25/00 ,  H01L25/04 ,  H01L25/18 ,  H01L27/04 ,  H05K3/46

CPC分类号： H02M3/158 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/00 ,  H01L25/04 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/49431 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19104 ,  H01L2924/19105 ,  H02M3/155 ,  H02M7/003 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： ＤＣ－ＤＣコンバータモジュール（１０Ｂ）は、スイッチングトランジスタ（３１，３２）および制御回路ＩＣチップ（３３）が実装されるモジュール基板（２０）と、モジュール基板（２０）表面に実装されたスタッド端子（５０ａ，５０ｂ）と、モジュール基板（２０）と対向するようにスタッド端子（５０ａ，５０ｂ）に取り付けられたインダクタ（４０）とを備え、スイッチングトランジスタ（３１，３２）は、平面視において、インダクタ（４０）とモジュール基板（２０）が重なる領域に配置される一方、制御回路ＩＣチップ（３３）はその領域周辺に配置される。

摘要翻译： DC-DC转换器模块（10B）具有：安装有开关晶体管（31,32）和控制电路IC芯片（33）的模块基板（20） 安装在模块基板（20）的表面上的螺柱端子（50a，50b）; 以及电感器（40），其连接到所述螺柱端子（50a，50b），使得所述电感器面向所述模块基板（20）。 开关晶体管（31,32）设置在电感器（40）和模块基板（20）的平面图中彼此重叠的区域中，而控制IC芯片（33）设置在区域的周边 。