公开(公告)号：WO2012086778A1

公开(公告)日：2012-06-28

申请号：PCT/JP2011/079867

申请日：2011-12-22

Applicant: 旭硝子株式会社 ,  中原勝正 ,  近藤雅史 ,  武内喜則 ,  榊大介

Inventor： 中原勝正 ,  近藤雅史 ,  武内喜則 ,  榊大介

IPC: F16K49/00 ,  C01B33/033 ,  F16K1/22 ,  F16K1/226

CPC classification number: F16K49/002 ,  C01B33/033 ,  F16K1/221 ,  F16K49/005

Abstract: 　シリコンを生成する反応器（１０）の下方に配置自在な高温用バルブ装置（４０、１４０）であって、反応器の内部空間に連通して、反応器において生成されたシリコンを導入自在な第１の管状部材（５０）と、第１の管状部材内に配置されたバルブ（６４）と、反応器からバルブに至る第１の管状部材の一部及びバルブを含む加熱領域を、反応器におけるシリコンの生成に関連する関連物質の沸点以上に加熱自在な加熱器（１００）と、を備える。

Abstract translation: 可以设置在用于产生硅的反应器（10）下方的高温阀装置（40,140）具有连接到反应器的内部空间的第一管状构件（50），并且能够 引入在反应器中产生的硅; 定位在第一管状构件中的阀（64）; 以及加热器（100），其能够将包括所述阀和所述第一管状部件的一部分的加热区域从所述反应器加热到所述阀，所述加热区域的温度大于或等于与产生所述第一管状部件的相关物质的沸点 反应器中的硅。

公开(公告)号：WO2011094662A1

公开(公告)日：2011-08-04

申请号：PCT/US2011/023109

申请日：2011-01-31

Applicant: US SOLARTECH, INC. ,  ASLAMI, Mohd ,  WU, Dau ,  DELUCA, Charles ,  HANSEN, Peter ,  DANILOV, Evgueni

Inventor： ASLAMI, Mohd ,  WU, Dau ,  DELUCA, Charles ,  HANSEN, Peter ,  DANILOV, Evgueni

IPC: C01B33/033 ,  H05H1/30 ,  C30B35/00 ,  C30B29/06 ,  B01J19/08

CPC classification number: C01B33/027 ,  C01B33/03 ,  C01B33/033 ,  C01B33/1071 ,  C01B33/10773 ,  C30B29/06 ,  C30B35/007 ,  H05H1/30

Abstract: A plasma deposition apparatus for making high purity silicon, including a chamber for depositing said high purity silicon, the chamber including a top defining substantially an upper end of die chamber; one or more sides having an upper end and a lower end, the top substantially sealingly joining the upper end of the one or more sides; a base defining substantially a lower end of the chamber, the base substantially sealingly joining the lower end of the one or more sides; and at least one induction coupled plasma torch disposed in the top, the at least one induction coupled plasma torch oriented in a substantially vertical position producing a plasma flame downward from the top towards the base, the plasma flame defining a reaction zone for reacting one or more reactants to produce the high purity silicon. In addition, methods for collecting molten silicon are also provided.

Abstract translation: 一种用于制造高纯度硅的等离子体沉积设备，包括用于沉积所述高纯度硅的室，所述室包括基本上限定模腔的上端的顶部; 一个或多个侧面具有上端和下端，顶部基本上密封地连接一个或多个侧面的上端; 基部基本上限定所述腔室的下端，所述基座基本上密封地连接所述一个或多个侧面的下端; 以及设置在顶部中的至少一个感应耦合等离子体焰炬，所述至少一个感应耦合等离子体焰炬在基本垂直的位置上取向，从顶部朝向底部产生等离子体火焰，所述等离子体火焰限定用于使一个或 更多的反应物产生高纯硅。 此外，还提供了收集熔融硅的方法。

公开(公告)号：WO2011007655A1

公开(公告)日：2011-01-20

申请号：PCT/JP2010/060843

申请日：2010-06-25

Applicant: チッソ株式会社 ,  JX日鉱日石金属株式会社 ,  東邦チタニウム株式会社 ,  大久保 秀一 ,  本田 終一

Inventor： 大久保　秀一 ,  本田　終一

IPC: B01D8/00 ,  C01G9/04 ,  C01B33/033

CPC classification number: C01B33/033 ,  C01G9/04

Abstract: ［課題］四塩化珪素を亜鉛で還元して高純度シリコンを製造する工程より副生する塩化亜鉛を主成分として含む気体から、効率的に、かつ長時間継続して安定に塩化亜鉛を回収する装置及び方法を提供する。 ［解決手段］本発明の凝縮液化装置は、気体を導入する導入部と、第一の堰と第二の堰を有し、冷媒液体を貯留する傾斜した混合部と、前記混合部に接続された、冷媒液体の除熱を行う熱交換部と、吸引排気装置が接続された排気部と、前記混合部および前記熱交換部に設けられた、液体の抜き出しを行う液抜き出し部とを備えたことを特徴とし、本発明の凝縮液化方法は、該装置を用いて、塩化亜鉛を含む気体から塩化亜鉛を含む凝縮成分を液化して冷媒液体中に捕集することを特徴とする。

Abstract translation: 公开了从含有氯化锌作为主要成分的气体中长时间连续地收集氯化锌的装置和方法，所述氯化锌在通过还原四氯化硅的制备高纯度硅的方法中被副产生， 锌。 具体公开了一种冷凝液化装置，其特征在于，包括：引入气体的导入部; 倾斜混合单元，其具有第一堰和第二堰，并储存制冷剂液体; 热交换器单元，其连接到所述混合单元并从所述制冷剂液体中除去热量; 吸气排气装置连接到的排气单元; 以及分别设置在混合单元和热交换器单元上并从中取出液体的液体取出单元。 还公开了一种冷凝和液化方法，其中使用上述装置将含有氯化锌的冷凝成分从含有氯化锌的气体中液化并收集在制冷剂液体中。

公开(公告)号：WO2010134544A1

公开(公告)日：2010-11-25

申请号：PCT/JP2010/058446

申请日：2010-05-19

Applicant: 旭硝子株式会社 ,  株式会社キノテック・ソーラーエナジー ,  中原勝正 ,  榊大介

Inventor： 中原勝正 ,  榊大介

IPC: C01B33/033

CPC classification number: C01B33/033 ,  B01J4/002 ,  B01J12/005 ,  B01J12/02 ,  B01J19/24 ,  B01J2219/00135

Abstract: 　亜鉛ガス供給口（１８ｂ、１８０ｂ、１８１ｂ、１８２ｂ、１８３ｂ、１８４ｂ、１８５ｂ、２８０ａ）が、四塩化珪素ガス供給口（１６ａ、１６０ａ）よりも上方にあり、加熱器（２２）で、反応器（１０、１００）の一部の温度をシリコンの析出温度範囲に設定しつつ、四塩化珪素ガス供給口から四塩化珪素ガスを反応器内に供給し、亜鉛ガス供給口から亜鉛ガスを反応容器内に供給して、反応器内で四塩化珪素を亜鉛で還元して、反応器内においてシリコンの析出温度範囲に設定された領域に対応した壁部にシリコンが析出したシリコン析出領域（Ｓ）を形成する。

Abstract translation: 锌气供给口（18b，180b，181b，182b，183b，184b，185b，280a）位于四氯化硅气体供给口（16a，160a）的上方。 在使用加热器（22）将一些反应容器（10,100）的温度调节到发生硅沉积的范围内的温度的同时，通过四氯化硅气体进料口将四氯化硅气体供给到反应容器中，并且将锌 气体通过锌气进料口供入反应容器。 四氯化硅与反应容器内的锌一起还原，形成硅沉积区（S），反应容器的内壁部分对应于被调节为 硅沉积温度范围。

公开(公告)号：WO2010048545A3

公开(公告)日：2010-08-12

申请号：PCT/US2009061909

申请日：2009-10-23

Applicant: STANFORD RES INST INT ,  HORNBOSTEL MARC D ,  SANJURJO ANGEL ,  LAU KAI-HUNG ,  KRISHNAN GOPALA N ,  NAGAR ANOOP ,  MORO LORENZA ,  PEREZ-MARIANO JORDI ,  XIE XIAOBING ,  OLSON WILLIAM C

Inventor： HORNBOSTEL MARC D ,  SANJURJO ANGEL ,  LAU KAI-HUNG ,  KRISHNAN GOPALA N ,  NAGAR ANOOP ,  MORO LORENZA ,  PEREZ-MARIANO JORDI ,  XIE XIAOBING ,  OLSON WILLIAM C

IPC: B01J4/00 ,  C01B33/033

CPC classification number: B01J4/007 ,  B01J4/008 ,  C01B33/021 ,  C01B33/033

Abstract: The present invention relates generally to a liquid injector for silicon production. In one embodiment, the injector includes a tube having at least one opening at a first end of said tube, a moveable sealing means disposed inside the tube for sealing the at least one opening and a heating means coupled to the tube for controlling a temperature of a liquid exiting the tube through the at least one opening.

Abstract translation: 本发明一般涉及用于硅生产的液体注射器。 在一个实施例中，注射器包括管，所述管在所述管的第一端处具有至少一个开口，设置在所述管内用于密封所述至少一个开口的可移动密封装置，以及与所述管连接的加热装置， 通过所述至少一个开口离开所述管的液体。

公开(公告)号：WO2010064604A1

公开(公告)日：2010-06-10

申请号：PCT/JP2009/070114

申请日：2009-11-30

Applicant: 住友化学株式会社 ,  国立大学法人東京農工大学 ,  恵 智裕 ,  田渕 宏 ,  上迫 浩一 ,  ダムリン マルワン

Inventor： 恵　智裕 ,  田渕　宏 ,  上迫　浩一 ,  ダムリン　マルワン

IPC: C01B33/033 ,  C01B33/037 ,  C30B29/06

CPC classification number: C30B11/04 ,  C01B33/00 ,  C01B33/02 ,  C01B33/037 ,  C30B28/06 ,  C30B29/06

Abstract: 　本発明の目的は、アルミニウムを含有するｎ型太陽電池用シリコンを提供することである。また、アルミニウムを含有するシリコンから精製されたリン添加シリコンを経済的に製造する方法を提供する。質量濃度が、０．００１～１．０ｐｐｍのアルミニウムおよび０．００１１～１．１ｐｐｍのリンを含有し、かつリン／アルミニウム質量濃度比が１．１以上であるｎ型太陽電池用シリコンを提供する。また、アルミニウムを含有するシリコンを加熱溶融して溶融物を得、得られた溶融物にリンを添加することにより、又は、アルミニウムを含有するシリコンにリンを添加して混合物を得、得られた混合物を加熱溶融することによって、アルミニウム、リン及びシリコンを含有する溶融混合物を調製した後、鋳型内において一方向の温度勾配の下で、前記溶融混合物を凝固させるリン添加シリコンの製造方法を提供する。

Abstract translation: 提供含有铝的n型太阳能电池用硅。 还提供了一种从含铝硅经济地生产纯化的磷掺杂硅的方法。 用于n型太阳能电池的硅含有浓度分别为0.001〜1.0质量ppm和0.0011〜1.1质量ppm的铝和磷，并且磷/铝的浓度比为1.1质量份以上。 制造磷掺杂硅的方法包括：通过热熔融含铝硅来制备包含铝，磷和硅的熔融混合物，以获得熔体并向所得熔体中加入磷，或通过向含磷硅中加入磷 获得混合物并将所得混合物热熔融; 然后在单向温度梯度的存在下在铸模中固化熔融混合物。

公开(公告)号：WO2009110474A1

公开(公告)日：2009-09-11

申请号：PCT/JP2009/053977

申请日：2009-03-03

Applicant: 住友化学株式会社 ,  三枝 邦夫 ,  岡本 弘 ,  高元 保

Inventor： 三枝 邦夫 ,  岡本 弘 ,  高元 保

IPC: C01B33/033

CPC classification number: C01B33/033 ,  B01J8/004 ,  B01J8/0055 ,  B01J8/085 ,  B01J8/087 ,  B01J2208/00407 ,  B01J2208/00415 ,  B01J2208/00469 ,  B01J2208/00725

Abstract: 　本発明は、金属粒子Ｍ ｐ と、ハロゲン化シランＧ１とを、反応器３内で互いに接触させてハロゲン化シランＧ１を還元し、シリコンを得るシリコンの製造方法において、溶融金属Ｍ ｍ にアトマイズガスＧ２を吹き付けることにより金属粒子Ｍ ｐ を反応器３内へ供給し、金属粒子Ｍ ｐ と、ハロゲン化シランＧ１とを、反応器３内へ並流に供給するシリコンの製造方法に係る。本発明では、金属粒子Ｍ ｐ とハロゲン化シランＧ１とを反応器３内へ並流に供給するので、反応器内での金属粒子の対流及び循環流を抑制し、金属粒子とハロゲン化シランとの反応率を向上させることができる。

Abstract translation: 一种制造硅的方法，其包括使金属颗粒（Mp）和卤化硅烷（G1）在反应器（3）中彼此接触以还原卤化硅烷（G1），从而获得硅，其中雾化气体（G2 ）熔融金属（Mm）吹送，从而将金属颗粒（Mp）供给到反应器（3）中，金属颗粒（Mp）和卤化硅烷（G1）以并流方式供给到反应器 方式。 由于金属颗粒（Mp）和卤代硅烷（G1）以并流方式供应到反应器（3）中，所以金属颗粒被抑制在反应器中经受对流或循环，并且卤化硅烷通过与 可以提高金属颗粒。

公开(公告)号：WO2008120995A1

公开(公告)日：2008-10-09

申请号：PCT/NO2008/000106

申请日：2008-03-17

Applicant: NORSK HYDRO ASA ,  ROSENKILDE, Christian

Inventor： ROSENKILDE, Christian

IPC: C01B33/033 ,  C25C7/00

CPC classification number: C25C3/34 ,  C01B33/033 ,  C25C1/16 ,  C25C7/005

Abstract: Method and equipment for production of high purity silicon (Si) metal from reduction of silicon tetrachloride (SiCI 4 ) by liquid zinc metal. The Zn reduction of SiCI 4 and the production of Zn by electrolysis of ZnCb take place in a common, combined reactor and electrolysis cell using a molten salt as electrolyte. The reactor and electrolysis cell may preferably be provided in a common housing which is divided into two or more communicating compartments (13, 1, 2) by a first or more partition walls (15, 8, 7). Further, the electrolysis Of ZnCI 2 , performed by means of suitable electrodes, is taking place in at least one compartment (1, 2) and the Zn reduction of SiCI 4 takes place in at least one other compartment (13), where Zn metal flows between the chamber/s (1,2) of the ZnCI 2 electrolysis to the chamber/s (13) of SiCI 4 reduction, and where the electrolyte circulates between the chamber/s of ZnCI 2 electrolysis to the chamber/s of SiCI 4 reduction. The atmosphere in the chamber/s where electrolysis takes place is preferably separated from the atmosphere in the other chamber/s by the first partition wall (15).

Abstract translation: 通过液态锌金属还原四氯化硅（SiCl 4 S 4）生产高纯度硅（Si）金属的方法和设备。 SiCl 4 Zn的Zn还原和通过电解ZnCb产生的Zn发生在使用熔融盐作为电解质的常见的组合反应器和电解池中。 反应器和电解槽可以优选地设置在通过第一或多个分隔壁（15,8,7）分成两个或更多个连通隔室（13,1,2）的公共壳体中。 此外，通过合适的电极进行的ZnCl 2电解电解是在至少一个隔室（1,2）中进行的，并且SiCl 4的Zn还原 放置在至少一个其它隔室（13）中，其中Zn金属在ZnCl 2电解的室/（1,2）之间流动到SiCl 2的室/（13） 并且其中电解质在ZnCl 2 2电解室与SiCl 4还原反应室之间循环。 发生电解的室中的气氛优选地通过第一分隔壁（15）与另一个室中的气氛分离。

公开(公告)号：WO2008034578A1

公开(公告)日：2008-03-27

申请号：PCT/EP2007/008091

申请日：2007-09-18

Applicant: UMICORE ,  ROBERT, Eric ,  ZIJLEMA, Tjakko

Inventor： ROBERT, Eric ,  ZIJLEMA, Tjakko

IPC: C01B33/033 ,  C01B33/037 ,  C30B29/06 ,  C30B15/00

CPC classification number: C01B33/033 ,  C01B33/037

Abstract: The invention relates to the manufacture of high purity germanium-bearing silicon alloys as a base material for the production of silicon solar cells. Gaseous SiCl 4 and GeCl 4 are converted to metals by contacting them with liquid Zn, thereby obtaining a Ge-bearing Si alloy and Zn-chloride, which is separated. The alloy is then purified by heating it at a temperature above the boiling point of Zn. This process does not require complicated technologies and preserves the high purity of SiCl 4 and GeCl 4 towards the end product. The only other reactant is Zn, which can be obtained in very high purity grades, and which can be recycled after electrolysis of the Zn-chloride.

Abstract translation: 本发明涉及制造高纯锗含硅硅合金作为生产硅太阳能电池的基础材料。 气态SiCl 4和GeCl 4通过与液态Zn接触而转化为金属，从而获得分离的含Ge的Si合金和Zn-氯化物。 然后通过在高于沸点Zn的温度下加热合金来纯化合金。 该方法不需要复杂的技术，并且保持了最终产物的高纯度的SiCl 4和GeCl 4。 唯一的其他反应物是Zn，其可以以非常高的纯度等级获得，并且可以在电镀氯化锌之后再循环。

公开(公告)号：WO0114250A8

公开(公告)日：2001-10-25

申请号：PCT/US0023132

申请日：2000-08-23

Applicant: UNIV HAWAII ,  HARWELL DAVID

Inventor： HARWELL DAVID

IPC: C01B33/033 ,  H01L33/00 ,  C01B33/02

CPC classification number: C01B33/033

Abstract: IPCicon nanoparticles and metal-centered silicon nanoparticles and solution phase methods of synthesis using commonly available reagents and ordinary conditions. Solvent may be diglyme, triglyme, tetraglyme, even in mixture with nonpolar solvent. A halosilane is reduced with metal, for example, at reflux conditions. Reaction product is hydrolyzed or passivated to produce stable subunit that can agglomerate or polymerize into larger structures. Particle size synthesized can be controlled. These particles and structures are photoluminescent and suitable for various applications, including light emitting devices.

Abstract translation: IPCicon纳米颗粒和以金属为中心的硅纳米颗粒和溶液相合成方法使用常用的试剂和常规条件。 溶剂可以是二甘醇二甲醚，三甘醇二甲醚，四甘醇二甲醚，甚至与非极性溶剂混合。 卤化硅用金属还原，例如在回流条件下。 反应产物被水解或钝化以产生可以聚集或聚合成更大结构的稳定亚单位。 可以控制合成的粒径。 这些颗粒和结构是光致发光的并且适用于各种应用，包括发光器件。