公开(公告)号：WO2019131602A1

公开(公告)日：2019-07-04

申请号：PCT/JP2018/047505

申请日：2018-12-25

Applicant: パーカー熱処理工業株式会社

Inventor： 渡邊　陽一 ,  平岡　泰

IPC: C23C8/26 ,  C21D1/06 ,  C21D1/76 ,  F27B5/04 ,  F27B5/16 ,  F27B5/18

CPC classification number: C21D1/06 ,  C21D1/76 ,  C23C8/26 ,  F27B5/04 ,  F27B5/16 ,  F27B5/18

Abstract: 炭素鋼または低合金鋼を母相とする窒化鋼部材であって、表面に、窒素を０．８％以上含むマルテンサイト組織を有する硬化層を備え、前記硬化層の下部に、前記母相内に窒素が拡散されている拡散層を備え、前記硬化層は、当該窒化鋼部材の表面から２μｍ～５０μｍの厚さを有しており、前記拡散層は、当該窒化鋼部材の表面から１００μｍを超える深さまで延在しており、当該窒化鋼部材の表面から２ｍｍの深さにおける硬さよりも、当該窒化鋼部材の表面から１００μｍの深さにおける前記拡散層の硬さの方が、１００ＨＶ以上大きいことを特徴とする窒化鋼部材である。

公开(公告)号：WO2011161913A1

公开(公告)日：2011-12-29

申请号：PCT/JP2011/003451

申请日：2011-06-16

Applicant: シャープ株式会社 ,  光洋サーモシステム株式会社 ,  西田 光志 ,  山本 恵司 ,  中谷 淳司 ,  巽 智彦

Inventor： 西田　光志 ,  山本　恵司 ,  中谷　淳司 ,  巽　智彦

IPC: F27D5/00 ,  F27B5/04 ,  F27B5/06 ,  F27D11/02 ,  G02F1/1333

CPC classification number: F27B17/0016 ,  F27B5/06 ,  F27B5/14 ,  F27D5/00 ,  F27D11/12

Abstract: 　熱処理装置は、処理室と、処理室の内部に設けられて赤外線を放射する加熱源と、処理室の内部に設けられ、被処理物を加熱源に対向するように支持する支持部材とを備え、加熱源から放射された赤外線による輻射熱により、被処理物を熱処理する。そして、複数の支持部材は、互いに並行して延びるように形成され、互いに隣り合う支持部材同士の軸心間距離は、２２５ｍｍ以上且つ３３０ｍｍ以下に規定されている。

Abstract translation: 公开了一种设置有处理室的热处理装置，设置在处理室内以发射红外线的加热源，以及设置在处理室内的支撑构件，以支撑待处理物体，使得物体与加热相反 资源。 该物体通过从加热源发射的红外线的辐射热进行热处理。 此外，支撑构件形成为彼此平行地延伸，并且相邻支撑构件的轴线之间的距离被限定为225-330mm。

公开(公告)号：WO2010042436A1

公开(公告)日：2010-04-15

申请号：PCT/US2009/059529

申请日：2009-10-05

Applicant: DOW GLOBAL TECHNOLOGIES INC. ,  DELLAR, David, V. ,  BISHOP, Matthew, T. ,  PASZTOR, Andrew, J. ,  MORABITO, Paul, Leon ,  WITER, Steve, Paul

Inventor： DELLAR, David, V. ,  BISHOP, Matthew, T. ,  PASZTOR, Andrew, J. ,  MORABITO, Paul, Leon ,  WITER, Steve, Paul

IPC: G01N5/04 ,  F27B5/04

CPC classification number: G01N5/04 ,  F27B5/04 ,  F27B5/14 ,  G01N1/44 ,  G01N5/045

Abstract: The invention provides, in one aspect, a parallel heat treatment device, including an inner heating chamber defined at least in part by a plurality of heating plate assemblies, each of the plurality of heating plate assemblies including a pair of separate and spaced heating plates. At least one heating element is disposed between each of the pair of heating plates. A test plate is disposed within the inner heating chamber, the test plate being sized and shaped to receive a plurality of sample pans and samples and a temperature controlled support plate is positioned underneath the test plate.

Abstract translation: 本发明在一个方面提供了一种平行热处理装置，其包括至少部分地由多个加热板组件限定的内部加热室，所述多个加热板组件中的每一个包括一对分离和间隔开的加热板。 至少一个加热元件设置在每对加热板之间。 测试板设置在内加热室内，测试板的尺寸和形状被设计成容纳多个样品盘和样品，并且温度控制的支撑板位于测试板下方。

公开(公告)号：WO2009150152A3

公开(公告)日：2010-02-25

申请号：PCT/EP2009057093

申请日：2009-06-09

Applicant: ANTONELLO LUIS MARIA ,  ZARCONE MARIANO

Inventor： ANTONELLO LUIS MARIA ,  ZARCONE MARIANO

IPC: C30B11/00 ,  F27B5/02 ,  F27B5/04

CPC classification number: F27B5/02 ,  C30B11/007 ,  C30B28/06 ,  C30B29/06 ,  F27B5/04

Abstract: The invention relates to an apparatus and process for the prodution of polycrystalline silicon for photovoltaic applications. The apparatus is characterised in that it comprises of multiple chambers, preferably three(1, 2, 3), arranged longitudinally one after the other and equipped with: gas immission and extraction means; means for guiding (7) and moving the crucible (6) containing the silicon-based material; insulation and temperature control means; heating means; air-tightness means (8) for each chamber. One of said chambers constitutes the furnace of the apparatus and comprises an area (4) in which the smelting of the material contained in the crucible (6) is carried out, said furnace being equipped with heating means and bearing a heat-stable pedestal (5), suitable for moving the crucible vertically and thus for introducing it into, or extracting it from the smelting area (4), respectively.

Abstract translation: 本发明涉及用于生产用于光伏应用的多晶硅的装置和方法。 该装置的特征在于它包括多个腔室，优选地三个（1,2,3），纵向一个接一个地布置并配备有气体输送和提取装置; 用于引导（7）并移动含有硅基材料的坩埚（6）的装置; 绝缘和温度控制手段; 加热装置 每个室的气密装置（8）。 所述室中的一个构成设备的炉，并且包括其中进行坩埚（6）中包含的材料的熔炼的区域（4），所述炉装备有加热装置并且承载热稳定基座 5），适于垂直移动坩埚，从而分别将其引入或从冶炼区域（4）中提取。

公开(公告)号：WO2009153059A1

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：PCT/EP2009/004459

申请日：2009-06-19

Applicant: PROBST, Volker

Inventor： PROBST, Volker

IPC: F27B7/00 ,  F27B5/04 ,  F27B5/14 ,  F27B5/16 ,  F27D7/04 ,  C23C16/455 ,  H01L31/00 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/67109 ,  C23C14/5866 ,  C23C16/4411 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/67005 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67098 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/20 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: Die Erfindung betrifft eine Prozessvorrichtung zum Prozessieren von, insbesondere gestapelten, Prozessgütern, insbesondere in Form flächiger Substrate für die Herstellung von Dünnschichten, insbesondere leitenden, halbleitenden oder isolierenden Dünnschichten, enthaltend eine evakuierbare Prozesskammer zur Aufnahme eines Prozessgases, umfassend mindestens eine Temperiereinrichtung, insbesondere zumindest abschnittsweise in und/oder in thermischer Wirkverbindung mit mindestens einer Wand, insbesondere sämtlicher Wände der Prozesskammer, eingerichtet und geeignet, um zumindest einen Teilbereich der Wand, insbesondere im Wesentlichen die gesamte Prozesskammerwand, der Prozesskammer auf einer vorgegebenen Temperatur zu halten, insbesondere bei einer ersten Temperatur während zumindest eines Teils des Prozessierens der gestapelten Prozessgüter zu halten, die nicht unterhalb der Raumtemperatur als der zweiten Temperatur liegt und die unterhalb einer dritten, oberhalb der Raumtemperatur liegenden Temperatur liegt, welche in der Prozesskammer erzeugbar ist; mindestens eine Gasfordereinrichtung zum Erzeugen eines Gasströmungskreislaufes, insbesondere einer erzwungenen Konvektion, in der Prozesskammer; mindestens eine in dem von der Gasfordereinrichtung erzeugten Gasströmungskreislauf angeordneten oder anordbaren Heizeinrichtung zum Aufheizen des Gases; mindestens eine Gasleiteinrichtung, die zur Aufnahme des Prozessgutstapels ausgebildet und in der Prozesskammer derart angeordnet oder anordbar ist, dass mindestens ein Teil des erzeugten bzw. erzeugbaren Gasströmungskreislaufes durch die Gasleiteinrichtung hindurch verläuft; gegebenenfalls mindestens eine, insbesondere mit einer ersten gas- und/oder vakuumdichten Verschließeinrichtung, verschließbare Beladungsöffnung, durch die der Prozessgutstapel in die Gasleiteinrichtung einbringbar ist; und gegebenenfalls mindestens eine Gaseinlasseinrichtung zum Einleiten des Prozessgases in den Gasströmungskreislauf. Ferner betrifft die Erfindung eine Prozessanlage zum Prozessieren von gestapelten Prozessgütern, umfassend mindestens eine erfindungsgemäße Prozessvorrichtung, mindestens eine Abkühleinrichtung und/oder mindestens Einschleuseinrichtung. Schließlich betrifft die Erfindung ein Verfahren zum Prozessieren von insbesondere gestapelten und/oder flächigen, Prozessgütern, insbesondere zur Herstellung von Dünnschichten, insbesondere leitenden, halbleitenden oder isolierenden Dünnschichten, unter Verwendung einer erfindungsgemäßen Prozessvorrichtung oder einer erfindungsgemäßen Prozessanlage, wobei mittels der Temperiereinrichtung zumindest ein Teilbereich der Wand der Prozesskammer, insbesondere während zumindest eines Teils des Prozessierens der gestapelten Prozessgüter, auf einer vorgegebenen Temperatur gehalten wird, insbesondere bei einer ersten Temperatur gehalten wird, die nicht unterhalb der Raumtemperatur als der zweiten Temperatur liegt und die unterhalb einer dritten, oberhalb der Raumtemperatur liegenden Temperatur liegt, welche in der Prozesskammer während des Prozessierens wenigstens phasenweise erzeugt wird.

Abstract translation: 本发明涉及用于处理的处理装置，特别是层叠，处理产品，特别是在用于生产薄的层的平面衬底的形式，特别是导电的，半导电，或至少部分的绝缘薄膜，其包括可抽真空的处理室，用于接收包括至少一个温度调节装置的工艺气体，尤其是 在和/或与至少一个壁热操作性通信，特别是在处理室的所有壁的，在第一温度下布置并适于基本上维持至少所述壁的一部分，尤其是所有工艺室壁，在预定温度下的处理室的，特别是 同时保持至少处理所述堆叠的货物过程不位于室内温度作为第二温度和第三，高于室温以下的下方的一部分 TUR温度是躺在，这是在处理室中产生; 至少一个Gasfordereinrichtung用于产生气体流动回路，在处理室尤其是强制对流; 至少一个布置在由Gasfordereinrichtung循环产生的或可以被布置加热气体流动装置，用于加热气体; 至少一个气体传导，其适于接收所述Prozessgutstapels和设置在所述处理腔室可以被布置在这样的方式或在气体流动回路的至少一部分产生的或可产生的经过气体传导装置通过其中的装置; 任选的至少一种，特别是与第一气体和/或真空密封的闭合装置，通过该Prozessgutstapel被引入到气体传导装置可关闭装载开口; 和任选的至少一个气体入口装置，用于将所述处理气体引入所述气体流动回路。 此外，本发明涉及一种用于处理过程堆叠产品的处理系统，其包括根据本发明，至少一个冷却装置和/或至少Einschleuseinrichtung至少一个工艺设备。 最后，本发明涉及用于处理的方法，特别是其中通过回火至少的一部分的手段堆叠和/或片材，处理产品，特别是用于生产薄的层，特别是导体，半导体或绝缘薄膜，使用本发明或根据本发明的一过程工厂中，执行装置 处理所述堆叠的过程产品的至少一部分期间处理室，特别是壁被保持在预定温度下，特别是在第一温度下被保持，这是不低于室温的第二温度和低于三分之一，高于室温 温度在处理室中相至少在加工过程中产生的。

公开(公告)号：WO2008155426A1

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：PCT/EP2008/057916

申请日：2008-06-23

Applicant: ELIOG-KELVITHERM INDUSTRIEOFENBAU GMBH ,  ENGELS, Axel ,  HÖFNER, Veit

Inventor： ENGELS, Axel ,  HÖFNER, Veit

IPC: C21D1/613 ,  F27D7/02 ,  C21D1/773 ,  F27B5/04 ,  F27D9/00 ,  F27D7/04

CPC classification number: F27B5/04 ,  C21D1/613 ,  C21D1/767 ,  C21D1/773 ,  C21D9/67 ,  F27B5/16 ,  F27B17/0083 ,  F27D7/02 ,  F27D7/04 ,  F27D9/00

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren und einen Vakuumofen (1) zur Wärmebehandlung metallischer Werkstücke mit einem in einem Stahlgehäuse (3) angeordneten, als Ofeninnenraum (5) ausgebildeten Nutzraum, Einrichtungen zum Beheizen (7) und Abkühlen des Ofeninnenraumes (5) und Mitteln zum Zirkulieren von Gas (11) im Ofeninnenraum (5). Der erfindungsgemäße Vakuumofen (1) ist gekennzeichnet durch Einspritzdüsen (9) zum Einspritzen von Flüssiggas in den Ofeninnenraum (5), wobei die Einspritzdüsen (9) im Saugbereich der Mittel zum Zirkulieren von Gas (11) im Ofeninnenraum (5) angeordnet sind.

Abstract translation: 本发明涉及一种方法和一种真空炉（1）在一个钢套管（3）与设置成用于金属工件的热处理，设计为炉内部（5）的存储空间的装置，用于加热熔炉内部（5）的装置，以及用于循环的（7）和冷却 在炉内气体（11）的（5）。 用于注入液化的气体进入炉内（5），所述喷射器（9）用于在炉内部（5）循环气体（11）的装置的吸入区域被布置成根据本发明（1）的真空炉的特征在于，喷射喷嘴（9）。

公开(公告)号：WO2006000011A3

公开(公告)日：2006-01-05

申请号：PCT/AT2005/000236

申请日：2005-06-28

Applicant: EBNER INDUSTRIEOFENBAU ,  EBNER, Peter ,  LOCHNER, Heribert

Inventor： EBNER, Peter ,  LOCHNER, Heribert

IPC: C21D1/76 ,  C21D9/56 ,  C23C2/02 ,  C22F1/02 ,  F27B5/04 ,  F27B9/08

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Wärmebehandlung eines Metallbandes vor einer metallischen Beschichtung beschrieben, wobei das Metallband in einer reduzierenden, wasserstoffhaltigen Schutzgasatmosphäre geglüht wird. Um die Benetzbarkeit des Metallbandes zu verbessern, wird vorgeschlagen, daß das Metallband in einer Schutzgasatmosphäre mit einem Volumensverhältnis von Wasserstoff zu Wasserdampf von wenigstens 4000 geglüht wird.

公开(公告)号：WO0129902A3

公开(公告)日：2002-11-07

申请号：PCT/DE0003720

申请日：2000-10-20

Applicant: SIEMENS AG ,  PROBST VOLKER

Inventor： PROBST VOLKER

IPC: F27B5/04 ,  C21D1/34 ,  C21D1/74 ,  C21D9/00 ,  F27B5/14 ,  F27B5/16 ,  H01L21/324 ,  H01L31/18 ,  H01L21/477

CPC classification number: H01L21/324 ,  C21D1/34 ,  C21D1/74 ,  C21D9/00 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: The invention relates to a device for simultaneously tempering and processing several process goods by means of electromagnetic radiation. The device is a batch-type furnace. The process goods and the energy sources are arranged adjacent to each other in such a way that a process good is situated between two energy sources and an energy source is situated between two process goods. The device is especially useful for tempering the process goods in the presence of a process gas. A variable heating and cooling profile having variable processing parameters (e.g. gas pressure, heating rate, cooling rate) can be obtained using the inventive device. It is especially possible to securely temper a process good in the form of a large-surface multilayer body comprising layers of different physical characteristics (thermal conductivity coefficient, temperature expansion coefficient, absorption and emission capacity, etc.). According to the inventive method and device, a toxic and/or corrosive process gas can be used for processing the process good. The device and the method are useful for producing thin film solar modules for instance.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于同时回火和处理多个Prozessiergüter用电磁辐射的帮助的装置。 该装置是一个间歇式炉中，Prozessiergüter和功率源被布置成彼此成使得提供两个功率源和两个Prozessiergütern一个电源之间的Prozessiergut之间。 该装置特别适合于在处理气体的存在下回火Prozessiergüter。 与该装置的可变的加热和冷却曲线与可变Prozessierparametern（例如，气体压力，加热速度，冷却速度）是可能的。 特别地，在安全的大面积的多层体的形式回火Prozessierguts可以具有不同的物理性质（热传导系数，热膨胀系数，吸收和发射率等）的层。 随着设备和方法，它能够采用毒性和/或腐蚀性处理气体用于处理Prozessierguts。 合适的是该装置或方法，例如，用于生产薄膜太阳能电池组件。

公开(公告)号：WO2021165139A1

公开(公告)日：2021-08-26

申请号：PCT/EP2021/053337

申请日：2021-02-11

Applicant: ETH ZURICH

Inventor： WEGMANN, Christian ,  LÖFFLER, Jörg ,  GONZENBACH, Urs ,  BERGER, Leopold ,  STURZENEGGER, Philip

IPC: F27B5/04 ,  C22B9/00 ,  C22B9/02 ,  C22B9/04

Abstract: A device (1) for producing a target material from starting material comprises a chamber (2), at least one trough (3), at least a first heating element (4) being configured to heat the chamber (2) such that starting material is vaporized, and at least one collecting vessel (5) being configured to receive a condensate that will constitute the target material. The device (1) optionally comprises at least a first source of negative pressure (24a) or at least a first supply device (24b) being in connection with the chamber (2) being configured to evacuate the chamber (2) or to supply an inert gas to the chamber (2). The device (1) further comprises at least one condensation device (6), wherein said condensation device (6) is configured to condensate the vaporized starting material, whereby the condensate is formed, and/or at least a first gate device (26) being in connection with the chamber (2) such, that the starting material is introducible into the chamber (2) via said first gate device (26).

公开(公告)号：WO2020167802A1

公开(公告)日：2020-08-20

申请号：PCT/US2020/017714

申请日：2020-02-11

Applicant: DESKTOP METAL, INC.

Inventor： WOODARD, Nathan ,  MYERBERG, Jonah, Samuel ,  SACHS, Emanuel, M. ,  FONTANA, Richard, Remo ,  WEISS, Robert, Edward ,  CHIANG, Yet-Ming ,  DIPIETRO, Stephen ,  BANDIERA, Nicholas

IPC: B33Y40/00 ,  B22F3/00 ,  F27B5/04 ,  F27D1/00 ,  F27D99/00

Abstract: A furnace may include an outer wall defining a chamber, the chamber including an internal cavity configured to receive one or more parts, at least one heater positioned within the chamber, the at least one heater being configured to generate temperatures of at least about 800 degrees Celsius within the internal cavity, and a vacuum pump configured to apply a vacuum to at least a portion of the chamber. The furnace may also include at least one layer of inner insulation and at least one layer of outer insulation disposed outward of the inner insulation with respect to the chamber, the at least one layer of outer insulation being sealed with respect to the at least one layer of inner insulation.