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    一种低寄生电感功率模块及双面散热低寄生电感功率模块
    31.
    发明申请
    一种低寄生电感功率模块及双面散热低寄生电感功率模块 审中-公开

    公开(公告)号：WO2018227655A1

    公开(公告)日：2018-12-20

    申请号：PCT/CN2017/090248

    申请日：2017-06-27

    申请人： 扬州国扬电子有限公司

    发明人： 牛利刚 ,  王玉林 ,  滕鹤松 ,  徐文辉

    IPC分类号： H01L23/14 ,  H01L23/367 ,  H01L23/49 ,  H01L25/07

    摘要： 一种低寄生电感功率模块，包括输入功率端子、输出功率端子（3）、顶部金属绝缘基板（4）、底部金属绝缘基板（5）和塑封外壳（15），输入功率端子包括正极功率端子（1）、负极功率端子（2），顶部金属绝缘基板（4）与底部金属绝缘基板（5）叠层设置，顶部金属绝缘基板（4）与底部金属绝缘基板（5）在二者相对的面上均烧结有芯片，正极功率端子（1）、负极功率端子（2）以及输出功率端子（3）均与芯片电连接；输出功率端子（3）包括焊接部（31）和位于塑封外壳（15）外部的连接部（32），焊接部（31）位于顶部金属绝缘基板（4）与底部金属绝缘基板（5）之间。该功率模块大大降低了回路寄生电感，减小了功率模块的体积，节约了成本，减轻了重量，尤其适合SiC功率芯片的封装，充分提高了过流能力，提高了模块的可靠性。

    セラミックス回路基板及びその製造方法
    32.
    发明申请
    セラミックス回路基板及びその製造方法 审中-公开

    公开(公告)号：WO2018221492A1

    公开(公告)日：2018-12-06

    申请号：PCT/JP2018/020489

    申请日：2018-05-29

    申请人： デンカ株式会社

    发明人： 湯浅　晃正 ,  原田　祐作 ,  中村　貴裕 ,  森田　周平 ,  西村　浩二

    IPC分类号： C04B37/02 ,  B23K1/00 ,  B23K1/19 ,  H01L23/12 ,  H01L23/14 ,  H05K3/20

    摘要： 【課題】耐熱サイクル特性に優れたセラミックス回路基板を提供する。 【解決手段】セラミックス基板の少なくとも一方の主面に、接合ろう材を介して金属板が接合されており、前記接合ろう材は金属成分として、Ａｇ９３．０～９９．４質量部、Ｃｕ０．１～５．０質量部、Ｓｎ０．５～２．０質量部の合計１００質量部に対して、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、ニオブから選択される少なくとも１種の活性金属を０．５～４．０質量部含有し、セラミックス基板と金属板との間の接合ろう材層組織中のＣｕリッチ相の平均サイズが３．５μｍ以下であり、個数密度が０．０１５個／μｍ ２ 以上であることを特徴とするセラミックス回路基板とする。接合温度８５５～９００℃、保持時間１０～６０分で接合することを含むセラミックス回路基板の製造方法とする。

    LOCAL DENSE PATCH FOR BOARD ASSEMBLY UTILIZING LASER STRUCTURING METALLIZATION PROCESS
    33.
    发明申请
    LOCAL DENSE PATCH FOR BOARD ASSEMBLY UTILIZING LASER STRUCTURING METALLIZATION PROCESS 审中-公开
    利用激光结构金属化工艺制造板组装的局部致密补丁

    公开(公告)号：WO2018063733A1

    公开(公告)日：2018-04-05

    申请号：PCT/US2017/049704

    申请日：2017-08-31

    申请人： INTEL CORPORATION

    发明人： HUA, Fay ,  ELSHERBINI, Adel A.

    IPC分类号： H01L23/14 ,  H01L23/00

    CPC分类号： H01L21/4846 ,  H01L21/486 ,  H01L23/145 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49894 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/16227 ,  H05K3/185 ,  H05K2203/072 ,  H05K2203/107 ,  H05K2203/122

    摘要： Methods of forming microelectronic package structures are described. Those methods/structures may include forming a high density region on a board comprising a first plurality of conductive structures disposed on a dielectric material on the board, wherein the first plurality of conductive structures comprises a first pitch between individual ones of the first plurality of conductive structures. A low density region on the board comprises a second plurality of conductive structures disposed on the dielectric material, wherein the second plurality of conductive structures comprises a second pitch between individual ones of the second plurality of conductive structures, wherein the second pitch is more than about twice the magnitude of the first pitch.

    摘要翻译： 描述了形成微电子封装结构的方法。 那些方法/结构可以包括在包括布置在板上的电介质材料上的第一多个导电结构的板上形成高密度区域，其中第一多个导电结构包括第一多个导电结构中的各个第一导电结构 结构。 所述板上的低密度区域包括设置在所述介电材料上的第二多个导电结构，其中所述第二多个导电结构包括所述第二多个导电结构中的各个导电结构之间的第二间距，其中所述第二间距大于约 是第一音高的两倍。

    HIGH DENSITY ORGANIC INTERCONNECT STRUCTURES
    34.
    发明申请
    HIGH DENSITY ORGANIC INTERCONNECT STRUCTURES 审中-公开
    高密度有机互连结构

    公开(公告)号：WO2018004618A1

    公开(公告)日：2018-01-04

    申请号：PCT/US2016/040481

    申请日：2016-06-30

    申请人： CHAVALI, Sri Chaitra Jyotsna ,  ALUR, Siddharth K. ,  MAY, Lilia ,  SCHUCKMAN, Amanda E.

    发明人： CHAVALI, Sri Chaitra Jyotsna ,  ALUR, Siddharth K. ,  MAY, Lilia ,  SCHUCKMAN, Amanda E.

    IPC分类号： H01L23/00 ,  H01L21/768 ,  H01L23/14

    CPC分类号： H01L21/4857 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827

    摘要： Generally discussed herein are systems, devices, and methods that include an organic high density interconnect structure and techniques for making the same. According to an example a method can include forming one or more low density buildup layers on a core, conductive interconnect material of the one or more low density buildup layers electrically and mechanically connected to conductive interconnect material of the core, forming one or more high density buildup layers on an exposed low density buildup layer of the one or more low density buildup layers, conductive interconnect material of the high density buildup layers electrically and mechanically connected to the conductive interconnect material of the one or more low density buildup layers, and forming another low density buildup layer on and around an exposed high density buildup layer of the one or more high density buildup layers.

    摘要翻译： 这里一般讨论的是包括有机高密度互连结构和用于制造该结构的技术的系统，器件和方法。 根据一个示例，一种方法可以包括在芯上形成一个或多个低密度堆积层，所述一个或多个低密度堆积层的导电互连材料电和机械连接至所述芯的导电互连材料，形成一个或多个高密度 在一个或多个低密度堆积层的暴露的低密度堆积层上堆积层，高密度堆积层的导电互连材料与一个或多个低密度堆积层的导电互连材料电和机械连接，并且形成另一层 在一个或多个高密度堆积层的暴露的高密度堆积层上和周围的低密度堆积层。

    후막인쇄기법을 이용한 절연기판
    35.
    发明申请
    후막인쇄기법을 이용한 절연기판 审中-公开
    使用厚膜印刷技术的绝缘基板

    公开(公告)号：WO2017200174A1

    公开(公告)日：2017-11-23

    申请号：PCT/KR2016/015263

    申请日：2016-12-26

    申请人： 엘지전자(주)

    发明人： 구도현 ,  장혁 ,  김성태

    IPC分类号： H05K3/12 ,  H05K1/03 ,  H05K1/02 ,  H05K1/09 ,  H01L23/373 ,  H01L23/00 ,  H01L23/14 ,  H01L23/15

    摘要： 후막인쇄기법을 이용한 절연기판이 개시된다. 본 발명의 파워 반도체 패키지는 제 1 금속층, 상기 제 1 금속층 상에 위치한 세라믹기판, 및 상기 세라믹기판 상에 위치한 적어도 하나의 패턴이 형성된 제 2 금속층을 포함하며, 상기 제 1 금속층의 체적은 상기 제 2 금속층의 체적의 85% 이상 105% 이하인 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 세라믹기판의 상하층의 체적이 동일 또는 유사하기 때문에 세라믹기판이 받는 열응력 차이가 줄어들 수 있다.

    摘要翻译： 公开了使用厚膜印刷技术的绝缘基板。 本发明的功率半导体封装包括第一金属层，设置在第一金属层上的陶瓷衬底以及形成在陶瓷衬底上的第二金属层，所述至少一个图案形成在陶瓷衬底上， 2金属层。 根据本发明，由于陶瓷基板的上层和下层的体积相同或相似，所以可以减小由陶瓷基板接收的热应力的差异。

    パワーモジュール用基板、パワーモジュールおよびパワーモジュール用基板の製造方法
    36.
    发明申请
    パワーモジュール用基板、パワーモジュールおよびパワーモジュール用基板の製造方法 审中-公开
    功率模块基板，功率模块及制造功率模块基板的方法

    公开(公告)号：WO2017188254A1

    公开(公告)日：2017-11-02

    申请号：PCT/JP2017/016387

    申请日：2017-04-25

    申请人： 京セラ株式会社

    发明人： 末次　健児 ,  竹尾　明 ,  落合　建壮

    IPC分类号： H01L23/12 ,  H01L23/14 ,  H01L23/36

    摘要： 上面および下面を有する絶縁基板１と、上面および下面を有し、下面が絶縁基板１の上面に対向して接合された金属板２と、金属板２の上面の中央部を部分的に被覆している第１電気めっき層３とを備えており、第１電気めっき層３が少なくとも銀層を有しており、銀層における銀の粒径が金属板２の上面部分における金属の粒径以上の大きさであるパワーモジュール用基板10等である。

    摘要翻译： 具有

    上和下表面的绝缘基片1，具有上表面和下表面，所述下表面是金属板2被接合，从而面对在绝缘基板1的上表面上，在金属板2的上表面 并且第一电镀层3部分地覆盖中央部分，其中第一电镀层3至少具有银层，并且银层中的银的粒径小于金属板2的银的粒径 功率模块用基板10的尺寸等于或大于上表面部分中的金属的粒径，等等。

    電子装置
    37.
    发明申请
    電子装置 审中-公开
    电子设备

    公开(公告)号：WO2017179434A1

    公开(公告)日：2017-10-19

    申请号：PCT/JP2017/013161

    申请日：2017-03-30

    申请人： 株式会社デンソー

    发明人： 内堀　慎也 ,  眞田　祐紀 ,  藪田　英二

    IPC分类号： H01L23/29 ,  H01L23/14 ,  H01L23/31 ,  H05K3/28

    CPC分类号： H01L23/14 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H05K3/28

    摘要： 電子装置（１００）は、樹脂基材に配線が形成されたプリント基板（１０）と、プリント基板（１０）に実装され、配線と電気的に接続された回路部品と、プリント基板（１０）に形成され、回路部品を封止している、平面形状が矩形状の封止樹脂（２０）と、を備えている。電子装置（１００）は、封止樹脂（２０）の短手方向に沿うプリント基板（１０）の線膨張係数α１と、封止樹脂（２０）の長手方向に沿うプリント基板の線膨張係数α２と、封止樹脂（２０）の線膨張係数α３との関係がα３＜α２＜α１である。

    摘要翻译： 电子装置（100）包括其上在树脂基材上形成布线的印刷电路板（10），安装在印刷电路板（10）上的电路组件（10） 并且在印刷电路板（10）上形成具有矩形平面形状的密封树脂（20）并密封电路元件。 电子设备（100）包括印刷电路板的线膨胀系数α1沿着密封树脂（20）（10）的宽度方向上，并且沿着密封树脂的长度方向的印刷电路板的线膨胀系数α2（20） ，密封树脂（20）的线膨胀系数α3为α3 <α2 <α1。