SKEWED CO-SPIRAL INDUCTOR STRUCTURE
    2.
    发明申请
    SKEWED CO-SPIRAL INDUCTOR STRUCTURE 审中-公开
    弯曲的螺旋形电感结构

    公开(公告)号:WO2017119938A1

    公开(公告)日:2017-07-13

    申请号:PCT/US2016/058797

    申请日:2016-10-26

    摘要: A skewed, co-spiral inductor structure includes a first trace (410) arranged in a first spiral pattern that is supported by a substrate. The skewed, co-spiral inductor structure also includes a second trace (420) arranged in a second spiral pattern, in which the second trace is coupled to the first trace by a via (404). The first trace overlaps with the second trace in orthogonal overlap areas (412, 416, 422, 424) defined by the width of the first trace and the width of the second trace. Parallel edges of the first trace and the second trace may be arranged to coincide or overlap up to 20%.

    摘要翻译: 倾斜的共螺旋电感器结构包括布置成由基板支撑的第一螺旋图案的第一迹线(410)。 该倾斜的共螺旋电感器结构还包括布置成第二螺旋图案的第二迹线(420),其中第二迹线通过通孔(404)耦合到第一迹线。 第一迹线在由第一迹线的宽度和第二迹线的宽度限定的正交重叠区域(412,416,422,424)中与第二迹线重叠。 第一条迹线和第二条迹线的平行边缘可以排列成一致或重叠达20%。

    ESD保護機能付複合電子部品
    5.
    发明申请
    ESD保護機能付複合電子部品 审中-公开
    防静电保护功能配件组合电子元件

    公开(公告)号:WO2016013555A1

    公开(公告)日:2016-01-28

    申请号:PCT/JP2015/070757

    申请日:2015-07-22

    摘要:  素子サイズの小型化が図られたESD保護機能付複合電子部品を提供する。 各ツェナーダイオードD1~D3の第2の半導体層が同一平面に配置されている。したがって、ESD保護機能付複合電子部品100に最小限の数のツェナーダイオードD1~D3が搭載されるが、それらのツェナーダイオードD1~D3を限られたスペースに効率よく配置することができ、各ツェナーダイオードD1~D3の配置構造を簡単な構造にすることができるので、素子サイズの小型化が図られたESD保護機能付複合電子部品100を提供することができる。

    摘要翻译: 提供了具有减小的元件尺寸的具有ESD保护功能的复合电子元件。 齐纳二极管(D1至D3)的第二半导体层设置在同一平面内。 因此,尽管将最小数量的齐纳二极管(D1至D3)安装在具有ESD保护功能的复合电子部件(100)上,但是齐纳二极管(D1至D3)可以有效地设置在有限的空间中,由此结构 用于布置齐纳二极管(D1至D3)可以简化。 因此,可以提供已经实现了元件尺寸减小的具有ESD保护功能的复合电子部件(100)。

    TUNABLE INDUCTOR ARRANGEMENT, TRANSCEIVER, METHOD AND COMPUTER PROGRAM
    9.
    发明申请
    TUNABLE INDUCTOR ARRANGEMENT, TRANSCEIVER, METHOD AND COMPUTER PROGRAM 审中-公开
    可控电感器布置,收发器,方法和计算机程序

    公开(公告)号:WO2015055528A3

    公开(公告)日:2015-06-18

    申请号:PCT/EP2014071751

    申请日:2014-10-10

    发明人: MATTSSON THOMAS

    IPC分类号: H01L23/522 H01F21/12 H03B5/12

    摘要: A tunable inductor arrangement arrangable on a chip or substrate is disclosed. The tunable inductor comprises a first winding part connected at one end to a first input of the tunable inductor arrangement, a second winding part connected at one end to the other end of the first winding part, a third winding part connected at one end to a second input of the tunable inductor arrangement, a fourth winding part connected at one end to the other end of the third winding part, and a switch arrangement arranged to tune the tunable inductor arrangement. Tuning is performed by selectively provide any of a circuit comprising the first and third winding parts in series between the first and second inputs, or a circuit comprising the first, second, fourth and third winding parts in series between the first and second inputs. The first and third winding parts are arranged on the chip or substrate such that magnetic fields of the first and third windings are essentially common, and the second and fourth winding parts are arranged to cancel electro-magnetic coupling with the first and third winding parts. A receiver, transceiver, communication device, method and computer program are also disclosed.

    摘要翻译: 公开了可布置在芯片或基板上的可调谐电感器布置。 可调谐电感器包括一端连接到可调电感器装置的第一输入端的第一绕组部分,一端连接到第一绕组部分的另一端的第二绕组部分,一端连接到第一绕组部分 可调电感器装置的第二输入端,一端连接到第三绕组部分的另一端的第四绕组部分和布置成调谐可调电感器装置的开关装置。 通过选择性地提供包括串联在第一和第二输入之间的第一和第三绕组部分的电路中的任一个,或包括串联在第一和第二输入之间的第一,第二,第四和第三绕组部分的电路。 第一和第三绕组部分布置在芯片或基板上,使得第一和第三绕组的磁场基本上是共同的,并且第二和第四绕组部分被布置成抵消与第一和第三绕组部分的电磁耦合。 还公开了接收机,收发器,通信设备,方法和计算机程序。

    SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR CIRCUIT INCLUDING THE DEVICE
    10.
    发明申请
    SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR CIRCUIT INCLUDING THE DEVICE 审中-公开
    半导体器件和半导体电路,其中包括器件

    公开(公告)号:WO2015083887A1

    公开(公告)日:2015-06-11

    申请号:PCT/KR2014/000518

    申请日:2014-01-17

    发明人: TWYNAM, John

    摘要: A semiconductor device is disclosed. The semiconductor device includes a substrate and a plurality of devices on the substrate, wherein a first device of the devices includes a first nitride semiconductor layer on the substrate, a second nitride semiconductor layer brought together with the first nitride semiconductor layer to form a first heterojunction interface, between the substrate and the first nitride semiconductor layer, a third nitride semiconductor layer brought together with the second nitride semiconductor layer to form a second heterojunction interface, between the substrate and the second nitride semiconductor layer, and a first contact electrically connected to the first and second heterojunction interfaces.

    摘要翻译: 公开了一种半导体器件。 半导体器件包括衬底和衬底上的多个器件,其中器件的第一器件包括衬底上的第一氮化物半导体层,与第一氮化物半导体层一起形成第一异质结的第二氮化物半导体层 在所述基板和所述第一氮化物半导体层之间的界面处,与所述第二氮化物半导体层一起形成第二异质结界面的第三氮化物半导体层,在所述基板和所述第二氮化物半导体层之间形成第二异质结界面,以及第一接触部, 第一和第二异质结界面。