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公开(公告)号：WO2016103648A1
公开(公告)日：2016-06-30
申请号：PCT/JP2015/006276
申请日：2015-12-16
Applicant: 京セラ株式会社
CPC classification number: A61B5/02416 , A61B5/0006 , A61B5/02427 , A61B5/02438 , A61B5/0261 , A61B5/0285 , A61B5/6824 , A61B5/7214 , A61B5/742 , H01L31/12
Abstract: センサ１００は、発光素子Ｌと、発光素子Ｌから発光された光を受光する受光素子Ｐと、発光素子Ｌおよび受光素子Ｐが実装される回路基板３０と、を備え、発光素子Ｌの発光面は、回路基板３０に対向して実装され、回路基板３０は、発光素子Ｌが発光する光を透過する透光部３２を有する。
Abstract translation: 具有发光元件L的传感器100，用于接收从发光元件L发出的光的受光元件P和发光元件L和受光元件P的电路基板30 被安装。 发光元件L的发光面安装成与电路基板30相对，电路基板30具有透光部分32，透光部分32透射由发光元件L发出的光。
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公开(公告)号：WO2016098283A1
公开(公告)日：2016-06-23
申请号：PCT/JP2015/005798
申请日：2015-11-19
Applicant: セイコーエプソン株式会社
Inventor： 土屋 仁
IPC: H01L27/146 , A61B5/02 , A61B5/1455 , G02B3/00 , H01L27/14 , H01L27/15 , H01L31/0232 , H01L31/12 , H01L51/50 , H04N5/369 , H04N5/374 , H05B33/24
CPC classification number: H01L27/14623 , A61B5/0077 , A61B5/02 , A61B5/14532 , A61B5/1455 , A61B5/681 , A61B2562/182 , A61B2562/185 , G02B13/0085 , G02B13/14 , H01L27/14627 , H01L27/14629 , H01L27/15 , H01L31/0232 , H01L31/12 , H01L51/50 , H02S40/44 , H04N5/33
Abstract: 撮像に寄与しない迷光の影響を低減して明瞭な画像情報を取得可能な画像取得装置、生体情報取得装置、これらを用いた電子機器を提供すること。 画像取得装装置は、受光素子１４２を有する撮像部１４０と、遮光部１３０と、集光部１２０と、発光素子を有する発光部と、を備え、遮光部１３０は、透光性の基板１３１と、遮光層１３２と、遮光層１３２に設けられた開口部１３３とを有し、集光部１２０と遮光部１３０との間に、遮光部１３０の基板１３１の屈折率よりも屈折率が小さい透光層１２５を有し、受光素子１４２の受光面１４２ａの直径をｄ、開口部１３３の直径をａ、受光素子１４２の配置ピッチをｐ、透光層１２５の屈折率をｎ１、基板１３１の屈折率をｎ２、受光素子１４２と遮光層１３２との間の距離をｈとするとき、以下の数式を満たす。Ａｒｃｔａｎ（（ｐ－ａ／２－ｄ／２）／ｈ）≧Ａｒｃｓｉｎ（ｎ１／ｎ２）
Abstract translation: 提供：图像获取装置和生物信息获取装置，其能够降低对成像无贡献并且能够获取清晰图像信息的杂散光的影响; 以及使用图像获取装置和生物信息获取装置的电子装置。 图像获取装置设置有：具有光接收元件142的成像部140; 遮光部130; 集光部120; 以及具有发光元件的发光部。 遮光部130具有透明基板131，遮光层132和设置在遮光层132中的开口部133.具有比基板的折射率小的折射率的透光层125 遮光部130设置在集光部120与遮光部130之间。当光接收元件142的受光面142a的直径为d时，开口部的直径 部分133为a，光接收元件142的排列间距为p，光透射层125的折射率为n1，基板131的折射率为n2，光接收元件 142，遮光层132为h，满足下式：Arctan（（pa / 2-d / 2）/ h）≥Acsin（n1 / n2）
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公开(公告)号：WO2016021635A1
公开(公告)日：2016-02-11
申请号：PCT/JP2015/072223
申请日：2015-08-05
Applicant: 日本精工株式会社
Abstract: 光を発する発光部４１と、発光部４１から発せられた光を検出する受光部３５と、発光部４１が設けられる第１部分５１と受光部３５が設けられる第２部分５２とが一体に形成され、かつ可撓性を有する基板５０とを備え、第１部分５１と第２部分５２とが平行になるように基板５０を折り曲げ、発光部４１と受光部３５とを対向させて配置した。
Abstract translation: 本发明设置有用于发光的发光部分41，用于检测从发光部分41发射的光的光接收部分35和柔性基板50，其中第一部分51的光 设置有部分41，并且其中设置有光接收部分35的第二部分52一体地形成，基板50被弯曲，使得第一部分51和第二部分52平行，并且发光部分 41和光接收部35被布置成彼此面对。
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公开(公告)号：WO2016006215A1
公开(公告)日：2016-01-14
申请号：PCT/JP2015/003351
申请日：2015-07-03
Applicant: パナソニックIPマネジメント株式会社
Inventor： 新村 雄一
IPC: H01L31/12
CPC classification number: H01L31/167 , H01L25/04 , H01L25/167 , H01L31/02005 , H01L31/0203 , H01L31/12 , H01L33/483 , H01L33/62 , H01L2224/48247
Abstract: 光結合装置は、１次導電板と、発光部と、２次導電板と、受光部と、第１導電部と、を備える。発光部は、１次導電板に設置され、電気信号を光に変換し、その光を発する。２次導電板は、１次導電板と間隔を空けて、発光部と対面する側に設置されている。受光部は、発光部と対面するように２次導電板に設置され、発光部からの光を電気信号に変換する。第１導電部は、発光部と対面する側に設置され、１次導電板と２次導電板との間の電位差により生じる電界が集中する点を有する。
Abstract translation: 光耦合装置包括：一个导电板; 发光单元; 次级导电板; 光接收单元; 和第一导电部件。 发光单元设置在主导电板上，将电信号转换为光并发光。 第二导电板在面向发光单元的一侧与主导电板隔开距离设置。 光接收单元设置在次导电板上以面对发光单元，并将来自发光单元的光转换成电信号。 第一导电部设置在面向发光单元的一侧，并且包括由主导电板和次导电板之间的电位差产生的电场集中的点。
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公开(公告)号：WO2015141249A1
公开(公告)日：2015-09-24
申请号：PCT/JP2015/050635
申请日：2015-01-13
Applicant: シャープ株式会社
Abstract: 外乱光が生じても、物体の存否等を正しく高速に検知できる光センサ等を提供する。フォトダイオードＰＤｂからの光電流の過渡応答を変化させる容量素子（２０）と、出力信号（ｙａ・ｙｂ）を相互に求める減算回路（１１Ａ）と、相互減算結果を差動演算する差動ＡＭＰ（３３）と、差動演算結果を連続取得して受光を判定する判定部（３０）とを備える。判定部（３０）は、コンパレータ素子と、ロジック回路とを備える。
Abstract translation: 提供了即使存在环境光也能够准确且快速地检测物体的存在等的光学传感器等。 该光学传感器设置有用于改变来自光电二极管（PDp）的光电流的瞬态响应的电容元件（20），用于输出信号（ya，yb）的往复确定的减法器电路（11A），差分放大器 ），以及确定单元（30），用于连续获取微分结果并确定是否已经接收到光。 确定单元（30）设置有比较器元件和逻辑电路。
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Patent Agency Ranking36.发明申请
公开(公告)号：WO2015108488A1
公开(公告)日：2015-07-23
申请号：PCT/SG2015/000011
申请日：2015-01-14
Applicant: MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY (MIT) , NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE , NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY
Inventor： ZHANG, Wenjia , WANG, Bing , ZHANG, Li , ZHU, Zhaomin , MICHEL, Jurgen , CHUA, Soo-Jin , PEH, Li-Shiuan , CHIAH, Siau Ben , LEE, Eng Kian, Kenneth
CPC classification number: G02B6/12004 , G02B6/00 , G02B6/12 , G02B6/428 , G02B2006/121 , H01L21/8258 , H01L27/0688 , H01L27/15 , H01L31/02327 , H01L31/03044 , H01L31/03048 , H01L31/035236 , H01L31/035281 , H01L31/0392 , H01L31/105 , H01L31/12 , H01L31/125 , H01L31/153 , H01L33/0079 , H01L33/06 , H01L33/12 , H01L33/32
Abstract: A method (100) of forming an integrated circuit is disclosed. The method comprises: (i) forming at least a pair of optoelectronic devices from at least a first wafer material arranged on a semiconductor substrate, the first wafer material different to silicon; (ii) etching the first wafer material to form a first recess to be filled with a second material; (iii) processing (104) the second material to form a waveguide for coupling the pair of optoelectronic devices to define an optical interconnect; and (iv) bonding (106) at least one partially processed CMOS device layer having at least one transistor to the second semiconductor substrate to form the integrated circuit, the partially processed CMOS device layer arranged adjacent to the optical interconnect. An integrated circuit is also disclosed.
Abstract translation: 公开了一种形成集成电路的方法（100）。 该方法包括：（i）从布置在半导体衬底上的至少第一晶片材料形成至少一对光电子器件，所述第一晶片材料与硅不同; （ii）蚀刻第一晶片材料以形成要填充第二材料的第一凹部; （iii）处理（104）所述第二材料以形成用于耦合所述一对光电子器件以限定光学互连的波导; 以及（iv）将具有至少一个晶体管的至少一个部分处理的CMOS器件层（106）结合（106）到所述第二半导体衬底以形成所述集成电路，所述部分处理的CMOS器件层布置成与所述光学互连相邻。 还公开了集成电路。
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公开(公告)号：WO2015045411A1
公开(公告)日：2015-04-02
申请号：PCT/JP2014/004955
申请日：2014-09-26
Applicant: 旭化成エレクトロニクス株式会社
Inventor： カマルゴ エジソン ゴメス , 竹原 聡
IPC: G01N21/61 , G01N21/03 , G01N21/3504 , H01L31/12
CPC classification number: G01N21/61 , G01N21/0303 , G01N21/031 , G01N21/3504 , G01N2201/062 , G01N2201/068 , G01N2201/12 , H01L31/0304 , H01L31/167
Abstract: 測定誤差を小さくすることができ、簡易かつ小型で信頼性の高いガスセンサを提供する。第１の光源（２０）と、第１の光源（２０）から出力された光が入射するようにそれぞれ配置された第１センサ部（３１）および第２センサ部（３２）を備え、第１主面（４１１）上に第１の光源（２０）と第１センサ部（３１）とが設けられた第１基板（４１）と、第１主面（４２２）上に第２センサ部（３２）が設けられた第２基板（４２）と、をさらに備える。第１センサ部（３１）の配置位置は、第１基板（４１）の第１主面（４２２）であって、第１の光源（２０）から出力された光のうちの第２主面（４１２）で反射した光が入射する位置に設定されている。
Abstract translation: 提供了一种简单，小型，高可靠性的气体传感器，由此可以降低测量误差。 该气体传感器设置有：第一光源（20）; 以及第一传感器部分（31）和第二传感器部分（32），其被配置成输入已经从第一光源（20）输出的光。 气体传感器还设置有：具有设置在其第一主表面（411）上的第一光源（20）和第一传感器部分（31）的第一基板（41） 以及具有设置在第一主表面（422）上的第二传感器部分（32）的第二基板（42）。 第一传感器部（31）的配置位置在第一基板（41）的第一主面（411）上，被设置在由第二主面（412）反射的光被输入的位置， 光从第一光源（20）输出。
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公开(公告)号：WO2014054084A1
公开(公告)日：2014-04-10
申请号：PCT/JP2012/006438
申请日：2012-10-05
Applicant: パイオニア株式会社 , パイオニア・マイクロ・テクノロジー株式会社
Inventor： 長谷川 勝久
CPC classification number: H01L31/02327 , G01S7/4813 , H01L31/167 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/15159 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
Abstract: 製造の容易さを維持しつつ、発光素子から受光素子への光の回り込みを有効に防止することができる半導体デバイス等を提供する。 発光素子１２と受光素子１３とを共通のパッケージ基板１１に実装して成る半導体デバイス１０であって、発光素子１２および受光素子１３の少なくとも一方は、パッケージ基板１１に形成した逆円錐台形状の凹溝１５に没するように、その溝底１５ａに実装され、また封止樹脂１４には、発光素子１２と受光素子１３との間に位置して、発光素子１２から受光素子１３に向う放射光を前方に屈折させるＶ字状の光学溝１６が形成されている。
Abstract translation: 提供了能够有效地防止来自发光元件的光泄漏到光接收元件上的半导体器件等，同时容易制造。 半导体器件（10）通过将发光元件（12）和光接收元件（13）安装在公共封装衬底（11）上而形成。 发光元件（12）和光接收元件（13）中的至少一个安装在形成在封装基板（11）中的倒立锥形槽（15）的底部（15a） ），以便设置在所述凹槽（15）中。 位于发光元件（12）和受光元件（13）之间的V形光学槽（16），将从发光元件（12）发射的光朝向光接收 元件，形成在封装树脂（14）中。
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公开(公告)号：WO2014030268A1
公开(公告)日：2014-02-27
申请号：PCT/JP2013/001008
申请日：2013-02-22
Applicant: 特定非営利活動法人ナノフォトニクス工学推進機構
CPC classification number: H01L31/107 , H01S5/3004
Abstract: 【課題】発光効率を向上させることが可能であり、また発光機能のみならず受光機能をも兼ね備えた受発光素子を提供する。 【解決手段】順方向バイアス電圧をより高く印加することにより、上記ｐ層と上記ｎ層の接合部により多くの拡散電流を発生させることで伝導帯と価電子帯に反転分布を生じさせ、近接場光が発生した箇所において、上記反転分布を形成している上記伝導帯中の電子を非断熱過程に基づいて複数段階で誘導放出させることにより発光させるとともに、当該発光させた光に基づいて更に上記近接場光の生成を促進させる発光モードと、順方向バイアス電圧をより低く印加することにより、上記ｐ層と上記ｎ層の接合部により少ない拡散電流を発生させることで、外部からの光を受けて近接場光が発生した箇所において、上記価電子帯中の電子を非断熱過程に基づいて複数段階で誘導遷移させることにより当該光を受光する受光モードと、を順次切換可能とされている。
Abstract translation: [问题]提供了除了发光功能之外，能够提高发光效率并且具有光接收功能的光接收/发射元件。 [解决方案]本发明被配置为使得能够在发光模式和光接收模式之间顺序切换。 在发光模式中，通过施加较高的正向偏置电压，在p层与n层之间的接合部分处产生更强的扩散电流，从而在导带和价带中产生反向分布，电子 在形成反向分布的导带中，在非绝热过程的基础上使多个阶段受到受激发射，从而在产生近场光的部分发光，并产生近场 基于发射光进一步加速光。 在光接收模式中，通过施加较小的正向偏置电压，在p层和n层之间的结处产生较低的扩散电流，由此在外部光被接收的部分和产生近场光的部分 使价带中的电子基于非绝热过程在多个阶段中经受刺激转变，由此接收光。
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公开(公告)号：WO2013172786A1
公开(公告)日：2013-11-21
申请号：PCT/SG2013/000194
申请日：2013-05-15
Applicant: HEPTAGON MICRO OPTICS PTE. LTD.
Inventor： RUDMANN, Hartmut
CPC classification number: H01L25/167 , H01L23/544 , H01L25/0753 , H01L25/162 , H01L27/14618 , H01L27/14625 , H01L27/14634 , H01L27/14685 , H01L27/1469 , H01L33/58 , H01L2223/54426 , H01L2224/16225 , H01L2224/48227 , H01L2924/12044 , H01L2924/15311 , H01L2933/0058 , H01L2924/00
Abstract: A method of forming a wafer stack includes providing a sub-stack comprising a first wafer and a second wafer. The sub-stack includes a first thermally-curable adhesive at an interface between the upper surface of the first wafer and the lower surface of the second wafer. A third wafer is placed on the upper surface of the second wafer. A second thermally-curable adhesive is present at an interface between the upper surface of the second wafer and the lower surface of the third wafer. Ultra-violet (UV) radiation is provided in a direction of the upper surface of the third wafer to cure a UV-curable adhesive in openings in the second wafer and in contact with portions of the third wafer so as to bond the third wafer to the sub-stack at discrete locations. Subsequently, the third wafer and the sub-stack are heated so to cure the first and second thermally-curable adhesives.
Abstract translation: 形成晶片堆叠的方法包括提供包括第一晶片和第二晶片的子堆叠。 子堆叠包括在第一晶片的上表面和第二晶片的下表面之间的界面处的第一可热固化粘合剂。 第三晶片被放置在第二晶片的上表面上。 第二可热固化的粘合剂存在于第二晶片的上表面和第三晶片的下表面之间的界面处。 在第三晶片的上表面的方向上设置紫外（UV）辐射，以在第二晶片的开口中固化可UV固化的粘合剂并与第三晶片的部分接触，以将第三晶片接合到 子堆栈在离散位置。 随后，加热第三晶片和副堆叠，以固化第一和第二热固化粘合剂。
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