압전 세라믹 조성물
    53.
    发明申请
    압전 세라믹 조성물 审中-公开
    压电陶瓷复合材料

    公开(公告)号:WO2010002218A2

    公开(公告)日:2010-01-07

    申请号:PCT/KR2009/003643

    申请日:2009-07-03

    Inventor: 김규학 김중배

    Abstract: 본 발명은 Fe 2 O 3 , Al 2 O 3 , Cr 2 O 3 또는 Ga 2 O 3 로부터 선택된 제1분말, Ta 2 O 5 또는 Nb 2 O 5 로부터 선택된 제2분말 및 TiO 2 분말을 분쇄하여 혼합 분말을 제조하고, 이 혼합 분말을 형틀에 넣어 프레스 경형한 후, 고압하에서 가온 소성하여 제조된 압전 세라믹 조성물을 제공한다.

    Abstract translation: 本发明涉及通过以下方法制备的压电陶瓷复合材料,包括以下步骤:粉碎选自Fe2O3,Al2O3,Cr2O3和Ga2O3的第一种粉末; 粉碎选自Ta2O5和Nb2O5并与TiO2混合的第二粉末; 混合第一和第二粉末; 将混合粉末倒入模具中; 在所述模具中挤压所述混合粉末; 并将所述压制粉末在高压下加热至可塑性。

    ITO焼結体およびITOスパッタリングターゲット
    58.
    发明申请
    ITO焼結体およびITOスパッタリングターゲット 审中-公开
    ITO烧结体和ITO溅射靶

    公开(公告)号:WO2009020091A1

    公开(公告)日:2009-02-12

    申请号:PCT/JP2008/063954

    申请日:2008-08-04

    Abstract:  本発明は、物性の優れたITO膜をより一層向上した歩留りで成膜できるITO焼結体、ITOスパッタリングターゲット材およびITOスパッタリングターゲット、とくにバルク抵抗値の低いITO焼結体を用いることで、低抵抗かつ非晶質安定性に優れた膜が得られるITOスパッタリングターゲット材およびITOスパッタリングターゲット、ならびにこれらに好適なITO焼結体を製造する方法を提供することを目的とする。本発明のITO焼結体は、主結晶粒であるIn 2 O 3 母相内にIn 4 Sn 3 O 12 からなる微細粒子が存在するITO(Indium-Tin-Oxide)焼結体であって、該微細粒子が粒子の仮想中心から放射線状に針状突起が形成された立体星状形状を有することを特徴とする。

    Abstract translation: 提供一种用于形成具有优异性能并且提高产量的ITO溅射靶材料和ITO溅射靶的ITO烧结体,特别是ITO溅射靶材料和ITO溅射靶,用于获得具有低电阻的膜和 通过使用具有低体积电阻值的ITO烧结体,具有优异的非晶稳定性。 还提供了一种制造适合于这种ITO溅射靶材料的ITO烧结体和ITO溅射靶的方法。 ITO烧结体是由铟锡氧化物烧结体构成,其中由In 4 Sn 3 O 12构成的微粒子存在于In2O3母相即主晶粒中。 细颗粒具有从颗粒的虚拟中心径向地具有针状突出部的三维星形。

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