公开(公告)号：WO2014165165A1

公开(公告)日：2014-10-09

申请号：PCT/US2014/024620

申请日：2014-03-12

Applicant: CENTROTHERM PHOTOVOLTAICS USA, INC.

Inventor： DASSEL, Mark William

IPC: C01B33/107 ,  C01B9/00 ,  B01J8/18

CPC classification number: B01J19/0013 ,  B01J8/1872 ,  B01J2219/00123 ,  C01B33/1071 ,  C01B33/10715 ,  C01B33/10742 ,  C01B33/10763 ,  C23C16/24 ,  C23C16/4488

Abstract: Reactor design and operating conditions enabling adiabatic direct chlorination of metallurgic silicon by hydrogen chloride are presented. The exothermic heat of reaction is absorbed by cooling fluid in admixture with the reactants and products of the reaction, thereby eliminating the necessity of external cooling for the reactor. Reactor temperature is managed by controlling the temperature and composition of reactor feedstock. Feedstock comprises hydrogen, STC, TCS, HCl, and metallurgic silicon. Exemplary feedstock composition, flow-rates, and temperatures are provided. Alternate means of producing the feedstock are described, including a method whereby the feedstock is the product of an upstream STC converter.

Abstract translation: 介绍了反应器设计和操作条件，使氯化氢能够绝热直接氯化冶金硅。 反应的放热热被与反应物和反应产物混合的冷却流体吸收，从而消除了反应器外部冷却的必要性。 通过控制反应器原料的温度和组成来控制反应器温度。 原料包括氢，STC，TCS，HCl和冶金硅。 提供了示例性原料组成，流速和温度。 描述了生产原料的替代方法，包括原料是上游STC转化器的产物的方法。

公开(公告)号：WO2014143402A1

公开(公告)日：2014-09-18

申请号：PCT/US2014/011754

申请日：2014-01-16

Applicant: DOW CORNING CORPORATION

Inventor： KATSOULIS, Dimitris ,  SPARSCHU, Wendy

IPC: B01J21/10 ,  B01J23/58 ,  C01B33/06 ,  C01B33/107 ,  C07F7/12 ,  C07F7/16

CPC classification number: B01J21/10 ,  B01J21/08 ,  B01J23/44 ,  B01J37/0201 ,  B01J37/06 ,  B01J2229/32 ,  C01B33/06 ,  C01B33/1071 ,  C07F7/125 ,  C07F7/16

Abstract: A method includes: (i) combining ingredients to form a reactant, (ii) contacting H 2 with the reactant to form an activated reactant; and (iii) contacting an organohalide with the activated reactant to form a spent reactant and a reaction product including a halosilane. The ingredients used in step (i) are: (a) SiO 2 , (b) a reducing agent, and (c) a silicide precursor. The halosilane produced by the method has formula R n H m SiX (4-n) , where subscript n is 0 to 3, subscript m is 0 to 2, a quantity (n + m) ≤ 3, each R is independently a hydrocarbyl group, and each X is independently a halogen atom.

Abstract translation: 一种方法包括：（i）组合成分以形成反应物，（ii）使H 2与反应物接触以形成活化的反应物; 和（iii）使有机卤化物与活化的反应物接触以形成废反应物和包含卤代硅烷的反应产物。 步骤（i）中使用的成分是：（a）SiO 2，（b）还原剂和（c）硅化物前体。 通过该方法制备的卤代硅烷具有式RnHmSiX（4-n），其中下标n为0至3，下标m为0至2，数量（n + m）≤3，每个R独立地为烃基， X独立地是卤素原子。

公开(公告)号：WO2014109618A1

公开(公告)日：2014-07-17

申请号：PCT/KR2014/000364

申请日：2014-01-13

Applicant: 주식회사 아이제이피에스

Inventor： 김익진 ,  최성환

IPC: C30B29/06 ,  C30B35/00 ,  C01B33/035

CPC classification number: H01L21/67017 ,  C01B33/035 ,  C01B33/1071 ,  C23C16/24 ,  C23C16/455 ,  C23C16/46 ,  C23C16/50 ,  Y10T117/10 ,  Y10T428/2913

Abstract: 본 실시예는 폴리실리콘 제조장치에 관한 것으로, 이는 베이스 플레이트; 이 베이스 플레이트 상에 결합되는 용기본체; 베이스 플레이트에 설치된 3 개의 전극과 연결되어 용기본체 내에 배치되는 적어도 하나의 로드; 용기본체 내에 반응가스를 공급하기 위해 용기본체와 연통되는 반응가스원; 및 전극들에 접속되어 로드가 발열하게 하는 교류 전원을 공급하도록 된 전력공급설비를 포함하여서, 전기소모량을 감소시킴과 더불어, 기존에 비해 수율 및 생산성을 대폭 향상시킬 수 있는 효과가 있게 된다.

Abstract translation: 本实施例涉及多晶硅制造装置，该装置包括：基板; 联接在基板上的容器主体; 至少一个杆，其连接到设置在所述基板中的三个电极，并且布置在所述容器主体内; 与容器主体连通以将反应气体供应到容器主体的内部的反应气体源; 以及电源，其连接到所述电极并且提供交流电源以允许所述杆提供热量。 因此，与常规设备相比，多晶硅制造设备可以降低功耗并且可以显着提高吞吐量和生产率。

公开(公告)号：WO2014008258A3

公开(公告)日：2014-03-13

申请号：PCT/US2013049061

申请日：2013-07-02

Applicant: HEMLOCK SEMICONDUCTOR CORP

Inventor： HERRON WILLIAM ,  REVIS ANTHONY L ,  SOBECK DANIEL D

IPC: B01J8/02 ,  B01J19/00 ,  C01B33/033 ,  C01B33/107

CPC classification number: B01J8/0285 ,  B01J8/025 ,  B01J19/0013 ,  B01J2208/00168 ,  B01J2208/00247 ,  B01J2219/00087 ,  B01J2219/00101 ,  C01B33/033 ,  C01B33/1071

Abstract: An apparatus is provided that includes a heating zone, an overhead temperature modulation zone in fluid communication with the heating zone, and an overhead cooling zone in fluid communication with the overhead temperature modulation zone. The heating zone includes a solid reactant support and a reactant gas input, and also includes a heater. The overhead temperature modulation zone includes a temperature regulator for modifying the temperature of the overhead temperature modulation zone. The overhead temperature modulation zone also includes an overhead gas outlet and provides a reflux flow path for condensate to return to the heating zone. The overhead cooling zone has a chiller for cooling the temperature of the overhead cooling zone. The overhead cooling zone provides a barrier to separate condensate formed therein from the overhead temperature modulation zone. The apparatus further includes an apparatus wall that defines an interior chamber of the apparatus between the zones.

Abstract translation: 提供了一种装置，其包括加热区，与加热区流体连通的塔顶温度调制区和与架空温度调制区流体连通的塔顶冷却区。 加热区包括固体反应物载体和反应气体输入，并且还包括加热器。 架空温度调制区包括用于改变塔顶温度调制区的温度的温度调节器。 架空温度调制区还包括塔顶气体出口，并提供冷凝水回流到加热区的回流流动路径。 塔顶冷却区具有用于冷却塔顶冷却区的温度的冷却器。 塔顶冷却区提供了将塔顶温度调制区域中形成的冷凝物分离开的屏障。 该装置还包括一个装置壁，该装置壁限定该区域之间的装置的内部室。

公开(公告)号：WO2014008258A2

公开(公告)日：2014-01-09

申请号：PCT/US2013/049061

申请日：2013-07-02

Applicant: HEMLOCK SEMICONDUCTOR CORPORATION

Inventor： HERRON, William ,  REVIS, Anthony, L. ,  SOBECK, Daniel, D.

IPC: B01J7/00

CPC classification number: B01J8/0285 ,  B01J8/025 ,  B01J19/0013 ,  B01J2208/00168 ,  B01J2208/00247 ,  B01J2219/00087 ,  B01J2219/00101 ,  C01B33/033 ,  C01B33/1071

Abstract: An apparatus is provided that includes a heating zone, an overhead temperature modulation zone in fluid communication with the heating zone, and an overhead cooling zone in fluid communication with the overhead temperature modulation zone. The heating zone includes a solid reactant support and a reactant gas input, and also includes a heater. The overhead temperature modulation zone includes a temperature regulator for modifying the temperature of the overhead temperature modulation zone. The overhead temperature modulation zone also includes an overhead gas outlet and provides a reflux flow path for condensate to return to the heating zone. The overhead cooling zone has a chiller for cooling the temperature of the overhead cooling zone. The overhead cooling zone provides a barrier to separate condensate formed therein from the overhead temperature modulation zone. The apparatus further includes an apparatus wall that defines an interior chamber of the apparatus between the zones.

Abstract translation: 提供了一种设备，其包括加热区，与加热区流体连通的顶部温度调节区和与顶部温度调节区流体连通的顶部冷却区。 加热区包括固体反应物载体和反应物气体输入装置，并且还包括加热器。 顶部温度调节区包括用于改变顶部温度调节区的温度的温度调节器。 塔顶温度调节区还包括塔顶气体出口并提供用于冷凝物返回到加热区的回流路径。 顶部冷却区具有用于冷却顶部冷却区的温度的冷却器。 顶部冷却区提供屏障，以将塔顶温度调节区内形成的冷凝物分离。 该设备还包括设备壁，该设备壁限定了设备之间的设备的内部腔室。

公开(公告)号：WO2012110275A1

公开(公告)日：2012-08-23

申请号：PCT/EP2012/050754

申请日：2012-01-19

Applicant: EVONIK DEGUSSA GMBH ,  MÜH, Ekkehard ,  RAULEDER, Hartwig ,  LANG, Jürgen, Erwin ,  SCHORK, Reinhold

Inventor： MÜH, Ekkehard ,  RAULEDER, Hartwig ,  LANG, Jürgen, Erwin ,  SCHORK, Reinhold

IPC: C01B33/107

CPC classification number: C01B33/1071 ,  B01J31/0274 ,  B01J31/0275 ,  C01B33/10773

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Monochlorsilan aus der Umsetzung von Monosilan und Dichlorsilan in Gegenwart eines Katalysators. Nach dem erfindungsgemäßen Verfahren wird Monochlorsilan durch Komproportionierung von Monosilan und Dichlorsilan gebildet. Ferner betrifft die Erfindung die Verwendung des hergestellten Monochlorsilans als auch eine Anlage zur Durchführung des Verfahrens.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于从甲硅烷和二氯硅烷在催化剂的存在下进行反应生产单氯硅烷的方法。 根据本发明的方法的一氯硅烷，通过甲硅烷和二氯硅烷的歧化形成。 此外，本发明涉及使用所产生的一氯硅烷，以及用于实施该方法的设备。

公开(公告)号：WO2012104777A1

公开(公告)日：2012-08-09

申请号：PCT/IB2012/050432

申请日：2012-01-30

Applicant: MEMC ELECTRONIC MATERIALS S.P.A. ,  PAZZAGLIA, Gianluca ,  FUMAGALLI, Matteo ,  BOVO, Rodolfo

Inventor： PAZZAGLIA, Gianluca ,  FUMAGALLI, Matteo ,  BOVO, Rodolfo

IPC: F28D7/16 ,  F28F9/22

CPC classification number: F28F9/00 ,  B01J8/1836 ,  B01J12/00 ,  B01J19/24 ,  B01J2219/00081 ,  C01B33/033 ,  C01B33/1071 ,  F28D7/16 ,  F28F9/22 ,  F28F2275/205

Abstract: Shell and tube heat exchangers that include a baffle arrangement that improves the temperature profile and flow pattern throughout the exchanger and/or that are integral with a reaction vessel are disclosed. Methods for using the exchangers including methods that involve use of the exchanger and a reaction vessel to produce a reaction product gas containing trichlorosilane are also disclosed.

Abstract translation: 公开了一种壳管式热交换器，其包括改善整个交换器和/或与反应容器成一体的温度分布和流动模式的挡板装置。 还公开了使用交换器的方法，包括使用交换器和反应容器来生产含三氯硅烷的反应产物气体的方法。

公开(公告)号：WO2012082686A1

公开(公告)日：2012-06-21

申请号：PCT/US2011/064544

申请日：2011-12-13

Applicant: DOW CORNING CORPORATION ,  BERGER, Stephanie ,  KATSOULIS, Dimitris ,  LARSEN, Robert, Thomas ,  MCLAUGHLIN, Matthew, J. ,  PILLAI, Unnikrishnan, R. ,  WINELAND, Jonathan, David

Inventor： BERGER, Stephanie ,  KATSOULIS, Dimitris ,  LARSEN, Robert, Thomas ,  MCLAUGHLIN, Matthew, J. ,  PILLAI, Unnikrishnan, R. ,  WINELAND, Jonathan, David

IPC: C07F7/02 ,  C01B33/107

CPC classification number: C01B33/1071 ,  C01B33/107

Abstract: A method of making a trihalosilane comprising contacting an organotrihalosilane according to the formula RS1X3 (I), wherein R is C 1 -C 10 hydrocarbyl and each X independently is halo, with hydrogen, wherein the mole ratio of the organotrihalosilane to hydrogen is from 0.009:1 to 1:2300, in the presence of a catalyst comprising a metal selected from (i) Re, (ii) a mixture comprising Re and at least one element selected from Pd, Ru, Mn, Cu, and Rh, (iii) a mixture comprising Ir and at least one element selected from Pd and Rh, (iv) Mn, (v) a mixture comprising Mn and Rh, (vi) Ag, (vii) Mg, and (viii) Rh at from 300 to 800 °C to form a trihalosilane.

Abstract translation: 一种制备三卤代硅烷的方法，其包括使式RS1X3（Ⅰ）的有机三卤硅烷与其中R为C1-C10烃基并且每个X独立地为卤素与有机三卤代硅烷与氢的摩尔比为0.009:1 在包含选自（i）Re，（ii）包含Re和至少一种选自Pd，Ru，Mn，Cu和Rh的元素的混合物的催化剂存在下，（iii）a 包含Ir和选自Pd和Rh中的至少一种元素的混合物，（iv）Mn，（v）包含Mn和Rh的混合物，（vi）Ag，（vii）Mg和（viii）Rh在300至800℃ 以形成三卤硅烷。

公开(公告)号：WO2012015152A2

公开(公告)日：2012-02-02

申请号：PCT/KR2011003249

申请日：2011-05-02

Applicant: NAT UNIV CHONBUK IND COOP FOUN ,  YANG O BONG ,  SHIM KYUNG BO ,  KWAK DO HWAN ,  OH DEA WOONG ,  KONGMANY SANTI

Inventor： YANG O BONG ,  SHIM KYUNG BO ,  KWAK DO HWAN ,  OH DEA WOONG ,  KONGMANY SANTI

IPC: B01J21/18 ,  B01J23/755 ,  B01J37/08 ,  C01B33/107

CPC classification number: B01J21/18 ,  B01J23/02 ,  B01J23/70 ,  B01J23/755 ,  B01J23/78 ,  B01J35/1014 ,  B01J37/0207 ,  B01J37/08 ,  B01J37/10 ,  C01B33/1071 ,  C01B33/10773

Abstract: The present invention relates to a catalyst used in hydrodechlorination reaction which converts silicon tetrachloride (SiCl4), a byproduct generated when making silicon wafer for solar cells, into trichlorosilane (HSiCl3), and more specifically relates to 1) an active carbon, 2) an active carbon preprocessed with steam and others, 3) a catalyst manufactured by preprocessing with steam and others an active carbon having silicon and chlorine, and 4) a catalyst introduced with one of the metals from nickel, cobalt, copper, calcium, strontium, and barium, after preprocessing with steam and others the active carbon having silicon and chlorine, and a method for manufacturing same. The four types of catalysts of the present invention have trichlorosilane yield of 9-31% with the reaction pressure of 1-5 atmospheric pressure, the reaction temperature of 600-900, and the reaction time of 5-9 hours, when manufacturing trichlorosilane from hydrodechlorination reaction of silicon tetrachloride. The present invention enables significant decrease in the cost of manufacturing polysilicon, which is a material for silicon solar cell, by reusing silicon tetrachloride, which is a main byproduct generated in the manufacturing process of polysilicon for solar cells, and enhances the economic effect by increasing the yield and reducing the energy use even when the reaction temperature and the pressure are low.

Abstract translation: 本发明涉及用于加氢脱氯反应中的催化剂，其将制成太阳能电池用硅晶片时产生的副产物四氯化硅（SiCl 4）转化为三氯硅烷（HSiCl 3），更具体地涉及1）活性炭2） 用蒸汽等进行预处理的活性炭，3）通过蒸汽等进行预处理的催化剂和其他具有硅和氯的活性炭的催化剂，以及4）引入镍，钴，铜，钙，锶和/或其中的一种金属的催化剂 钡，在用蒸汽等进行预处理后，其具有硅和氯的活性炭及其制造方法。 本发明的四种催化剂的三氯硅烷产率为9-31％，反应压力为1-5大气压，反应温度为600-900℃，反应时间为5-9小时，当制备三氯硅烷时 四氯化硅的加氢脱氯反应。 本发明通过重复使用四氯化硅（其是太阳能电池的多晶硅制造过程中产生的主要副产物），可以大幅度降低作为硅太阳能电池的材料的多晶硅的制造成本，并且通过增加经济效应来提高经济效果 即使当反应温度和压力低时，产率也降低了能源消耗。

公开(公告)号：WO2011132621A1

公开(公告)日：2011-10-27

申请号：PCT/JP2011/059439

申请日：2011-04-15

Applicant: 電気化学工業株式会社 ,  立山 卓 ,  村田 弘

Inventor： 立山　卓 ,  村田　弘

IPC: B01J31/26 ,  B01J31/30 ,  C01B33/107

CPC classification number: C01B33/1071 ,  B01J31/0237 ,  B01J31/0262 ,  C01B33/043

Abstract: モノシランの生産効率の高い水素化ハロゲン化シランの不均化反応用の液体触媒の提供を目的とする。第３級脂肪族炭化水素置換アミンと、金属塩化物又はホスフィンオキシド化合物とを含んでなる、水素化ハロゲン化シランの不均化反応用の液体触媒が提供される。また、上記の液体触媒の存在下で、水素化ハロゲン化シランを不均化反応させることを含むモノシランの製造方法も提供される。

Abstract translation: 提供了用于歧化具有高单甲硅烷生产效率的氢卤化硅烷的液体催化剂。 用于歧化氢卤化硅烷的液体催化剂包括叔脂族烃取代的胺和金属氯化物或氧化膦化合物。 还提供了一种制备单硅烷的方法，其包括在液体催化剂存在下歧化氢卤化硅烷的步骤。