公开(公告)号：WO2017065255A1

公开(公告)日：2017-04-20

申请号：PCT/JP2016/080482

申请日：2016-10-14

Applicant: シャープ株式会社

Inventor： 大類　貴俊 ,  森　重恭 ,  中澤　淳 ,  中野　文樹 ,  箕浦　潔

IPC: H01Q3/34 ,  H01P11/00 ,  H01Q3/44 ,  H01Q13/22 ,  H01Q19/06

CPC classification number: H01Q3/44 ,  H01L23/66 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1262 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/7869 ,  H01L2223/6677 ,  H01Q3/34 ,  H01Q13/10 ,  H01Q21/0012 ,  H01Q21/064 ,  H01Q21/20 ,  H01Q21/24

Abstract: 走査アンテナ（１０００）は、アンテナ単位（Ｕ）が配列された走査アンテナであって、第１誘電体基板（１）と、ＴＦＴと、ゲートバスラインと、ソースバスラインと、パッチ電極（１５）とを有するＴＦＴ基板と、第２誘電体基板（５１）と、第２誘電体基板の第１主面上に形成されたスロット電極（５５）とを有するスロット基板（２０１）と、ＴＦＴ基板とスロット基板との間に設けられた液晶層（ＬＣ）と、第２誘電体基板（５１）の第１主面と反対側の第２主面に誘電体層（５４）を介して対向するように配置された反射導電板（６５）とを有する。ＴＦＴ基板（ＴＦＴ基板部分（１０１Ｃｂ））は、シール部（７３）の外側に端子領域（ＴＲ）を有し、ゲートバスラインまたはソースバスラインと、端子領域に形成されたゲート端子部またはソース端子部との接続は、シール部（７３）とＴＦＴ基板との間に設けられた透明導電層（１４ｂ）を介して行われている。

Abstract translation: 扫描天线（1000）是扫描天线，其中排列有天线单元（U），并且包括第一电介质基板（1），TFT，栅极总线，源极总线 一种槽衬底，具有一个具有一条线和一个贴片电极（15）的TFT衬底，一个第二介质衬底（51）以及一个形成在第二介质衬底的第一主表面上的槽电极（55） 设置在TFT基板和槽基板之间的液晶层（LC）;形成在与第二电介质基板（51）的第一主表面相对的第二主表面上的电介质层（LC层） 以及反射导电板（65），通过反射板（54）的中介而相对配置。 TFT基板（TFT基板部（101Cb））在密封部（73）的外侧具有端子区域（TR），栅极总线或源极总线与栅极端子部或源极端子 通过设置在密封部（73）与TFT基板之间的透明导电层（14b）进行。

公开(公告)号：WO2017045343A1

公开(公告)日：2017-03-23

申请号：PCT/CN2016/073285

申请日：2016-02-03

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 ,  北京京东方光电科技有限公司

Inventor： 杨久霞 ,  邱云 ,  王志东

IPC: G02F1/1333 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/35 ,  G09F9/33 ,  G09G3/36 ,  G09G3/32

CPC classification number: H04R1/028 ,  G01H3/00 ,  G02F1/13338 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/136277 ,  G02F1/1368 ,  G06F3/165 ,  G08B21/0423 ,  G08B21/182 ,  G09F9/33 ,  G09F9/35 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/127 ,  H01L27/3225 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/78678 ,  H03G3/3005 ,  H03G3/32 ,  H03G7/002 ,  H04R19/04 ,  H04R23/006 ,  H04R31/00 ,  H04R2201/003 ,  H04R2499/15

Abstract: 提供一种显示面板及其制备方法、显示装置及其健康监测方法。该显示面板包括衬底基板（30）以及设置在所述衬底基板（30）上的声波传感器（20）。所述声波传感器（20）用于监测声波。在上述技术方案中，通过将声波传感器的结构直接形成在衬底基板上，使得在制备显示面板其他结构的同时即可形成声波传感器，提高了显示装置的制备效率，同时降低了形成的显示装置的厚度，便于显示装置的薄型化发展。

公开(公告)号：WO2017012165A1

公开(公告)日：2017-01-26

申请号：PCT/CN2015/087727

申请日：2015-08-21

Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司

Inventor： 李文英 ,  郝思坤

IPC: H01L29/786 ,  G09G3/36

CPC classification number: G09G3/3677 ,  G02F1/13454 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/13685 ,  G02F2202/104 ,  G09G2300/0408 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/1237 ,  H01L27/124 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78678

Abstract: 一种用于窄边框LCD的GOA电路结构，包括：锁存器、与非门、缓冲器单元、以及重置单元；输入信号输入锁存器，输出信号自缓冲器单元输出；该缓冲器单元包括由第一金属层(1)、第二金属层(2)、及设于第一金属层(1)与第二金属层(2)之间的有源层(3)构成的多个TFT；每一TFT均具有双栅极，其底栅极由第一金属层(1)形成，其源极与漏极由第二金属层(2)形成，其顶栅极也由第二金属层(2)形成，能够减小缓冲器单元中TFT的尺寸以及缓冲器单元的宽度，从而减小GOA电路的宽度，使得LCD的边框较窄。

公开(公告)号：WO2016184063A1

公开(公告)日：2016-11-24

申请号：PCT/CN2015/095056

申请日：2015-11-19

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 郭易东 ,  龙春平

IPC: H01L27/32

CPC classification number: H01L27/3227 ,  H01L27/142 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78678 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  H01L51/0097 ,  H01L2227/323 ,  H01L2227/326 ,  H01L2251/5338 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种阵列基板、其制造方法以及有机发光二极管显示装置，该阵列基板(10)包括衬底基板(100)，该衬底基板(100)包括显示区域(102)以及围绕显示区域(102)的周边区域(101)，该显示区域(102)包括：彼此交叉的多条数据线(12)和多条栅线(11)，多个像素区域(21)，形成为矩阵且由形成在该衬底基板(100)上的彼此交叉的多条数据线(12)和多条栅线(11)限定，其中该多个像素区域(21)的每个中形成有薄膜晶体管(32)，进一步地，该阵列基板(10)还包括至少一个太阳能电池单元(31)，与该薄膜晶体管(32)位于该衬底基板(100)的同一侧且形成在该多个像素区域(21)和该周边区域(101)至少之一中。

公开(公告)号：WO2015130082A1

公开(公告)日：2015-09-03

申请号：PCT/KR2015/001836

申请日：2015-02-25

Applicant: 엘지디스플레이 주식회사

Inventor： 김태환 ,  조남욱 ,  김형수 ,  이재면

IPC: H01L27/32 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L27/3276 ,  H01L27/0705 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/78678

Abstract: 유기 전계 발광 표시 장치가 제공된다. 유기 발광 표시 장치는 복합형 박막 트랜지스터 및 유기 발광 소자를 포함한다. 복합형 박막 트랜지스터는 LTPS 박막 트랜지스터 및 LTPS 박막 트랜지스터 상에 배치된 산화물 반도체 박막 트랜지스터를 갖는다. 유기 발광 소자는 복합형 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결된다. LTPS 박막 트랜지스터와 산화물 반도체 박막 트랜지스터는 동일한 게이트 라인과 연결된다.

Abstract translation: 提供了一种有机电致发光显示装置。 有机电致发光显示装置包括复合薄膜晶体管和有机发光元件。 复合薄膜晶体管包括布置在LTPS薄膜晶体管上的LTPS薄膜晶体管和氧化物半导体薄膜晶体管。 有机发光元件与复合薄膜晶体管电连接。 LTPS薄膜晶体管和氧化物半导体薄膜晶体管与相同的栅极线连接。

公开(公告)号：WO2015100894A1

公开(公告)日：2015-07-09

申请号：PCT/CN2014/076477

申请日：2014-04-29

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 袁广才

IPC: H01L21/77 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L21/441 ,  H01L21/47635 ,  H01L21/477 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/127 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/45 ,  H01L29/511 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/7869

Abstract: 提供了一种阵列基板的制造方法、阵列基板和显示装置。该阵列基板包括第一薄膜晶体管以及像素电极（327），其中，第一薄膜晶体管的有源层（324）和源漏电极以及像素电极（327）通过一次构图工艺形成。本发明仅需要通过三道光刻工艺即可制作出性能良好的阵列基板，大大缩短薄膜晶体管的制作周期，提高薄膜晶体管的特性，同时大大提高产品的良率。

公开(公告)号：WO2015037327A1

公开(公告)日：2015-03-19

申请号：PCT/JP2014/068876

申请日：2014-07-16

Applicant: ソニー株式会社

Inventor： 甚田　誠一郎

IPC: G09F9/30 ,  G09F9/00 ,  G09G3/20 ,  G09G3/30 ,  H01L21/336 ,  H01L27/32 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L27/3262 ,  G09G3/2003 ,  G09G3/3233 ,  G09G2230/00 ,  G09G2300/0426 ,  G09G2300/0452 ,  G09G2300/0809 ,  G09G2310/08 ,  G09G2320/02 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/1229 ,  H01L27/1237 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/127 ,  H01L27/3213 ,  H01L27/322 ,  H01L27/3276 ,  H01L29/495 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78672 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/78696 ,  H01L51/504 ,  H01L2227/323 ,  H01L2251/5315

Abstract: 　発光素子と、接続部（Ｗ１）とその接続部（Ｗ１）を介して直列に接続された複数のチャネル部（ＣＨ）とを有し、発光素子に駆動電流を供給する駆動トランジスタ（ＤＲＴｒ）とを備える表示装置を提供する。

Abstract translation: 本发明提供一种显示装置，其具有如下的发光元件; 以及驱动晶体管（DRTr），其向所述发光元件供给驱动电流，并且具有通过所述连接部（W1）串联连接的连接部（W1）和多个沟道部（CH）。

公开(公告)号：WO2014153864A1

公开(公告)日：2014-10-02

申请号：PCT/CN2013/077514

申请日：2013-06-20

Applicant: 北京京东方光电科技有限公司 ,  京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 谢振宇 ,  徐少颖 ,  李田生 ,  阎长江

IPC: G02F1/1362

CPC classification number: H01L27/1443 ,  G02F1/13318 ,  G02F1/133512 ,  G02F2001/133388 ,  H01L27/1446 ,  H01L29/78633 ,  H01L29/78678 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/02164 ,  H01L31/202

Abstract: 一种阵列基板及其制造方法和显示装置。该阵列基板包括显示区域及非显示区域，非显示区域包括至少一个光感应传感器。每个光感应传感器包括：位于基板（1）上且用于遮挡背光源发出的光线的遮光层（20）；位于遮光层（20）上的绝缘层（21）；位于绝缘层（21）上与遮光层（20）位置对应且用于感测外部光线的非晶硅层（22）；位于非晶硅层（22）上且互不接触的输入电极（23）与输出电极（24）。输入电极（23）与输出电极（24）均与非晶硅层（22）接触，非晶硅层（22）位于输入电极（23）与输出电极（24）之间的部分形成导电沟道。输出电极（24）与光电检测电路连接，用于将导电沟道产生的漏电流传输至光电检测电路。

公开(公告)号：WO2013061553A1

公开(公告)日：2013-05-02

申请号：PCT/JP2012/006699

申请日：2012-10-19

Applicant: パナソニック株式会社 ,  パナソニック液晶ディスプレイ株式会社

Inventor： 大高　盛 ,  吉岡　洋 ,  川島　孝啓 ,  西谷　輝

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50 ,  H05B33/08 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L29/78678 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/78669

Abstract: 　本発明に係る薄膜半導体装置（１００）の製造方法は、基板（１）を準備する工程と、基板（１）の上方にゲート電極（２）を形成する工程と、基板（１）の上方にゲート絶縁膜（３）を形成する工程と、基板（１）の上方に非晶質膜（非晶質シリコン膜（４ａ））を形成する工程と、非晶質膜を結晶化して、一つの結晶内に異なる結晶方位により形成された複数の副結晶を内包し、前記複数の副結晶の間に複数の結晶面によって形成された副粒界を有する第１結晶（４１Ｃ）と、平均粒径が前記第１結晶の平均結晶粒径よりも小さい第２結晶（４２Ｃ）を有する結晶性膜（結晶性シリコン膜（４Ｃ））を形成する工程と、結晶性膜の膜厚を薄くする工程と、基板（１）の上方に、ソース電極（７Ｓ）及びドレイン電極（７Ｄ）を形成する工程と、を含む。

Abstract translation: 制造薄膜半导体器件（100）的方法包括：准备衬底（1）的步骤; 在基板（1）的上方形成有栅电极（2）的工序; 在基板（1）的上方形成有栅极绝缘膜（3）的工序; 在基板（1）的上方形成非晶质膜（非晶硅膜（4a））的工序。 使非晶膜结晶化的步骤，在单晶内封入形成有不同结晶取向的多个亚晶粒，以及具有亚晶的第一晶体（41C）的结晶膜（结晶硅膜（4C）） 形成由多个亚晶粒之间的多个晶面形成的边界和平均晶粒尺寸小于第一晶体的平均晶粒尺寸的第二晶体（42C）; 结晶膜的厚度变薄的步骤; 以及在基板（1）的上方形成源电极（7S）和漏电极（7D）的工序。

公开(公告)号：WO2013018126A1

公开(公告)日：2013-02-07

申请号：PCT/JP2011/004353

申请日：2011-07-29

Applicant: パナソニック株式会社 ,  パナソニック液晶ディスプレイ株式会社 ,  林 宏 ,  川島 孝啓 ,  河内 玄士朗

Inventor： 林　宏 ,  川島　孝啓 ,  河内　玄士朗

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66765 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/78678

Abstract: 　本発明の薄膜トランジスタは、優れたオン特性と優れたオフ特性とを両立させることができる薄膜トランジスタを提供することを目的とするものであって、基板（１００）と、ゲート電極（１１０）と、ゲート絶縁層（１２０）と、ゲート絶縁層（１２０）上であってゲート電極（１１０）の上方に形成された結晶性シリコン層（１３１）と、ゲート絶縁層（１２０）上であって結晶性シリコン層（１３１）の両側に形成された非結晶性シリコン層（１３０）と、ソース電極（１７１）およびドレイン電極（１７２）とを備え、結晶性シリコン層（１３１）および非結晶性シリコン層（１３０）は、非結晶性シリコン層にレーザー光を照射して形成される。

Abstract translation: 该薄膜晶体管的目的是提供一种薄膜晶体管，其可以建立优异的ON特性和优异的OFF特性。 薄膜晶体管设置有：基板（100）; 栅电极（110）; 栅极绝缘层（120）; 形成在所述栅极绝缘层（120）上并在所述栅电极（110）上方的晶体硅层（131）; 形成在所述栅极绝缘层（120）上并且在所述晶体硅层（131）的两侧上的非晶硅层（130）; 和源电极（171）和漏电极（172）。 通过用激光照射非晶硅层来形成晶体硅层（131）和非晶硅层（130）。