公开(公告)号：WO01084885A1

公开(公告)日：2001-11-08

申请号：PCT/JP2001/003759

申请日：2001-05-01

IPC: H01L21/00 ,  H05B3/14 ,  H05B3/26 ,  H05B3/10 ,  H01L21/027 ,  H01L21/68 ,  H05B3/20

CPC classification number: H01L21/67109 ,  H05B3/143 ,  H05B3/265 ,  Y10T428/24917

Abstract: A ceramic heater such that the remaining heat of the heating body can be cooled in a forced way, the resistance of the heating body can be easily controlled, and no cracks are produced when the ambient temperature lowers below a set value or when the temperature sharply rises or falls. The ceramic heater having a resistance heating body provided on a ceramic substrate is characterized in that the periphery of a resistance heating body forming area is within 35 mm from the edge of the ceramic substrate.

Abstract translation: 陶瓷加热器能够以强制的方式冷却加热体的剩余热量，可以容易地控制加热体的电阻，并且当环境温度降低到低于设定值或当温度急剧下降时不产生裂纹 上升或下降 具有设置在陶瓷基板上的电阻加热体的陶瓷加热器的特征在于，电阻加热体形成区域的周边距离陶瓷基板的边缘35mm以内。

公开(公告)号：WO01039551A1

公开(公告)日：2001-05-31

申请号：PCT/JP2000/000815

申请日：2000-02-15

IPC: H05B3/14 ,  H05B3/28 ,  H05B3/10 ,  H05B3/20

CPC classification number: H05B3/143 ,  H05B3/283

Abstract: A shock-resistant refractory ceramic heater is provided. In producing a ceramic substrate (12), a green sheet made of slurry containing ceramic powder is provided with heater elements (14a, 14b) on its surfaces. The green sheet is sandwiched between other green sheets and sintered. The surface level (P1a) of the heater elements (14a) is deviated vertically from the surface level (P1b) of the heater elements (14b).

Abstract translation: 提供耐冲击耐火陶瓷加热器。 在制造陶瓷基板（12）时，由含有陶瓷粉末的浆料制成的生片在其表面上设置有加热元件（14a，14b）。 生片夹在其他生片之间并烧结。 加热器元件（14a）的表面高度（P1a）从加热器元件（14b）的表面水平（P1b）垂直偏离。

公开(公告)号：WO01024582A1

公开(公告)日：2001-04-05

申请号：PCT/JP2000/006594

申请日：2000-09-26

IPC: H05B3/14 ,  H05B3/46 ,  H05B3/48 ,  H05B3/18 ,  H05B3/10 ,  H05B3/12

CPC classification number: H05B3/48 ,  H05B3/143 ,  H05B3/46

Abstract: A ceramic heater capable of heating a heated object therearound to a uniform temperature because the heater has a sufficient heating value and the temperature of the heater in circumferential direction is uniform, comprising a resistance heating element buried between a core material formed of ceramic and an insulating layer formed of ceramic wrapping the core material, characterized in that a heating part of the resistance heating element forms a repeated pattern in circumferential direction with axial components in parallel with an axial direction and circumferential components perpendicular to an axial direction connected in order to each other at end parts, and the length of the axial components is equal to or longer than the length of the circumferential components and the axial components are arranged generally at equal intervals in circumferential direction.

Abstract translation: 一种陶瓷加热器，其能够将加热物体周围加热到均匀的温度，因为加热器具有足够的加热值，并且加热器的圆周方向的温度是均匀的，包括埋在由陶瓷形成的芯材和绝缘体之间的电阻加热元件 电阻加热元件的加热部分沿圆周方向形成重复图案，其轴向分量与轴向平行，并且垂直于彼此连接的轴向方向的圆周分量 并且轴向部件的长度等于或大于周向部件的长度，并且轴向部件在圆周方向上大体上以相等的间隔布置。

公开(公告)号：WO01011919A1

公开(公告)日：2001-02-15

申请号：PCT/JP2000/005155

申请日：2000-08-01

IPC: H05B3/20 ,  G05D23/19 ,  H01L21/00 ,  H01L21/683 ,  H05B1/02 ,  H05B3/00 ,  H05B3/10 ,  H05B3/14

CPC classification number: H05B1/0233 ,  G05D23/1917 ,  H01L21/67103 ,  H05B3/143

Abstract: The invention provides a ceramic heater capable of making uniform the temperature of a workpiece such as a silicon wafer, preventing damage to the silicon wafer, and recovering a set temperature in a short time if an unexpected temperature change occurs. The ceramic heater includes a heater formed on or under the surface of a ceramic substrate, temperature-measuring means for measuring the temperature of the ceramic substrate or an object to be heated, a controller for supplying electric power to the heater, a storage for storing the temperature data measured by the temperature-measuring means, and a processor for determining the electric power required for the heater based on the temperature data. The heater is divided into two or more circuits, which are supplied with different quantities of electric power.

Abstract translation: 本发明提供一种陶瓷加热器，其能够使诸如硅晶片的工件的温度均匀化，防止对硅晶片的损坏，并且如果发生意外的温度变化则在短时间内恢复设定温度。 陶瓷加热器包括形成在陶瓷基板的表面上或下方的加热器，用于测量陶瓷基板或待加热物体的温度的温度测量装置，用于向加热器供电的控制器，用于存储 由温度测量装置测量的温度数据，以及用于基于温度数据确定加热器所需的电力的处理器。 加热器被分为两个或更多个电路，它们被供给不同数量的电力。

公开(公告)号：WO2014134507A2

公开(公告)日：2014-09-04

申请号：PCT/US2014/019544

申请日：2014-02-28

Applicant: WATLOW ELECTRIC MANUFACTURING COMPANY

Inventor： LINDLEY, Jacob, R.

IPC: H05B3/14

CPC classification number: H01L21/683 ,  C23C16/4581 ,  C23C16/4586 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68785 ,  H01L21/68792 ,  H05B3/143 ,  H05B3/26 ,  H05B3/265 ,  H05B2203/002 ,  H05B2203/013 ,  H05B2203/017 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T29/53178

Abstract: A support assembly for use in semiconductor processing includes an application substrate, a heater layer disposed directly onto the application substrate, an insulation layer disposed onto the heater layer, and a second substrate disposed onto the insulation layer. The heater layer is directly disposed onto the application substrate by a layered process such that the heater layer is in direct contact with the application substrate. The application substrate defines a material having a relatively low coefficient of thermal expansion that is matched to a coefficient of thermal expansion of the heater layer.

Abstract translation: 用于半导体处理的支撑组件包括施加衬底，直接设置在应用衬底上的加热器层，设置在加热器层上的绝缘层和设置在绝缘层上的第二衬底。 加热器层通过分层工艺直接设置在施加衬底上，使得加热器层与施加衬底直接接触。 应用衬底限定了具有与加热器层的热膨胀系数匹配的相对低的热膨胀系数的材料。

公开(公告)号：WO2014073545A1

公开(公告)日：2014-05-15

申请号：PCT/JP2013/079939

申请日：2013-11-05

Applicant: 貞徳舎株式会社

Inventor： 北村　公男 ,  田中　健司 ,  ハサン　マスドウル　モハマド ,  西原　淳一

IPC: H01L21/02 ,  H05B3/84

CPC classification number: H01L21/67103 ,  H05B3/143 ,  H05B3/265 ,  H05B3/84 ,  H05B2203/003 ,  H05B2203/013

Abstract: 　発熱体の短絡を防止し且つ加熱効率の良い電気ヒーター並びにこれを備えた加熱装置及び半導体製造装置を提供すること。　スリット１４を形成することにより電流路を形成した板状の発熱体１０と、この発熱体１０を支持する板状の絶縁体２０とを備える。発熱体１０を絶縁体２０上に支持する。この絶縁体２０上にスリット１４内に位置して発熱体１０の電流路の短絡を防ぐピン２３ａ，２３ｂを突出させる。複数の絶縁棒３０を設けてこの絶縁棒３０と絶縁体２０とで発熱体１０を挟持する。

Abstract translation: 提供：防止发热体短路并具有良好加热效率的电加热器; 以及加热装置和包括该加热装置的半导体制造装置。 电加热器包括通过形成狭缝（14）形成电流路径的板状发热体（10）和支撑该发热体（10）的板状绝缘体（20）。 发热体（10）支撑在绝缘体（20）上。 在该绝缘体（20）的上方，使位于狭缝（14）内的引脚（23a，23b）突出，防止发热体（10）的电流通路短路。 设置多个绝缘棒（30），发热体（10）夹在这些绝缘棒（30）和绝缘体（20）之间。

公开(公告)号：WO2012016230A2

公开(公告)日：2012-02-02

申请号：PCT/US2011/046058

申请日：2011-07-30

Applicant: LAWRENCE ADVANCED SEMICONDUCTOR TECHNOLOGIES, LLC ,  COLVIN, Ronald, L. ,  GOODWIN, SR., Dennis ,  MITTENDORF, Jeff ,  MORETTI, Charles, J. ,  ROSE, John, W. ,  SAMUEL, Earl, Blake

Inventor： COLVIN, Ronald, L. ,  GOODWIN, SR., Dennis ,  MITTENDORF, Jeff ,  MORETTI, Charles, J. ,  ROSE, John, W. ,  SAMUEL, Earl, Blake

IPC: H05B3/02 ,  H05B3/14

CPC classification number: H05B3/143 ,  H05B2203/003 ,  H05B2203/013

Abstract: Electrical resistance heater and heater assemblies are described. According to one embodiment, the heater comprises a sinusoidal heating element that provides substantially constant heating. According to another embodiment, the heater comprises a heating element and one or more press-fit coupled electrical adapters. Methods and systems are also disclosed.

Abstract translation: 描述了电阻加热器和加热器组件。 根据一个实施例，加热器包括提供基本恒定加热的正弦加热元件。 根据另一实施例，加热器包括加热元件和一个或多个压配合电连接器。 还公开了方法和系统。

公开(公告)号：WO2006006391A1

公开(公告)日：2006-01-19

申请号：PCT/JP2005/011823

申请日：2005-06-28

Applicant: 京セラ株式会社 ,  岩田 恵治 ,  長崎 浩一 ,  中村 恒彦

Inventor： 岩田 恵治 ,  長崎 浩一 ,  中村 恒彦

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/02 ,  H05B3/12 ,  H05B3/20 ,  H05B3/74

CPC classification number: H01L21/67109 ,  H05B3/143

Abstract: 　抵抗発熱体を有する板状体からなるヒータ部の冷却速度を向上させることで急速冷却が可能なウェハ加熱装置を提供する。 　そのウェハ加熱装置は、対向する２つの主面を有し、その一方の主面をウェハが載置される載置面とし他方の主面に帯状の抵抗発熱体を有してなる板状体と、抵抗発熱体に接続されその抵抗発熱体に電力を供給する給電端子と、板状体の他方の面に給電端子を覆うように設けられたケースと、板状体の他方の面に対向する先端を有し、板状体を冷却するノズルとを備え、板状体の他方の面におけるノズルの先端の投影位置を抵抗発熱体の帯の間にした。

Abstract translation: 通过提高由具有电阻加热器的板状体构成的加热器部的冷却速度来提供能够进行快速冷却的晶片加热装置。 晶片加热设备设置有具有两个相对的主平面的板状体，其中一个主平面被允许为放置晶片的放置平面，另一个主平面设置有带状电阻加热器; 连接到所述电阻加热器的供电端子，用于向所述电阻加热器供电; 设置在所述板状体的另一平面上以覆盖所述供电端子的壳体; 以及具有与所述板状体的另一平面相对的前缘的喷嘴，用于冷却所述板状体。 喷嘴的前缘在板状体的另一平面上的突出位置位于电阻加热器的条之间。

公开(公告)号：WO2004110957A1

公开(公告)日：2004-12-23

申请号：PCT/JP2004/008584

申请日：2004-06-11

Applicant: 株式会社トクヤマ ,  江崎 龍夫

Inventor： 江崎 龍夫

IPC: C04B37/00

CPC classification number: C04B37/006 ,  B32B18/00 ,  B32B2315/02 ,  C04B35/581 ,  C04B35/6303 ,  C04B35/634 ,  C04B35/645 ,  C04B37/001 ,  C04B37/003 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/95 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/963 ,  C04B2235/9638 ,  C04B2237/122 ,  C04B2237/124 ,  C04B2237/125 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/704 ,  C04B2237/708 ,  H01L21/6833 ,  H05B3/143 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49826 ,  Y10T29/49968 ,  Y10T29/4997 ,  Y10T279/23 ,  Y10T428/12347 ,  Y10T428/12493 ,  Y10T428/24917 ,  Y10T428/249953

Abstract: 本発明の窒化アルミニウム接合体は、接着剤を用いることなく互いに接合された２枚の窒化アルミニウム焼結体板と、その接合界面の一部分に形成されている金属層とからなり、前記接合体の中心を通る側断面でみて、前記接合界面における前記焼結体板同士が直接対面している直接接合領域には、接合界面に沿っての長さＬが平均して０．５～４μｍの空孔が複数存在し、且つ該空孔により非接合部が形成されており、　前記側断面について、下記式（１）：　非接合率Ｑ＝（Ｘ／Ｙ）×１００　　　…（１）　　式中、Ｘは、直接結合領域に存在する前記空孔の長さＬの合計値で表される前記非接合部の接合界面方向長さであり、　　　　　Ｙは、前記空孔が存在している直接結合領域の長さである、により算出される非接合率Ｑが、平均して０．１～０．５％の範囲にあることを特徴とする。かかるＡｌＮ接合体は、内部の金属層の反りが有効に抑制され、接合強度が高く、且つ耐久性にも優れており、半導体製造装置において、半導体ウエハーを載置して処理するためのプレートヒーターや静電チャックとして有用である。

Abstract translation: 本发明的氮化铝结合体的特征在于包括两个不使用任何粘合剂共轭的氮化铝烧结体板，以及在其共轭界面的一部分中形成的金属层，其中，从横截面图 共轭体的中心，共轭界面上的烧结体板本身直接相对的直接共轭区域具有多个孔，其平均在共轭界面的长度为0.5-4μm，多个孔形成非 - 共轭部分。 在横截面图中，由下式（1）计算的非共轭百分比（Q）平均为0.1〜0.5％ 非共轭百分比（Q）=（X / Y）×100（1）其中X是共轭界面方向上的非共轭部分的长度，以孔的各自长度的总数 存在于直接共轭区域中，Y是存在孔的直接共轭区域的长度。 这种AlN共轭体在内部金属层中的翘曲有效地抑制，具有高共轭强度，耐久性优异，在半导体制造装置中，作为板状加热器或静电卡盘用于加工位于其上的半导体晶片 。

公开(公告)号：WO2004068541A2

公开(公告)日：2004-08-12

申请号：PCT/US2004/001128

申请日：2004-01-16

Applicant: GENERAL ELECTRIC COMPANY ,  MARINER, John, Thomas ,  HEJL, Timothy, J. ,  LONGWORTH, Douglas, Alan ,  LENNARTZ, Jeffrey ,  SANE, Ajit ,  MACEY, Andrew, John ,  LEIST, Jon ,  DEVAN, Thomas, E.

Inventor： MARINER, John, Thomas ,  HEJL, Timothy, J. ,  LONGWORTH, Douglas, Alan ,  LENNARTZ, Jeffrey ,  SANE, Ajit ,  MACEY, Andrew, John ,  LEIST, Jon ,  DEVAN, Thomas, E.

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/67109 ,  C23C16/4581 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/6833 ,  H01L21/68757 ,  H05B3/143

Abstract: A wafer processing device or apparatus, i.e., a heater or an electrostatic chuck, comprises a planar support platen, a support shaft having centrally located bore, and a pair of electrical conductors located in the shaft. In one embodiment, the electrical conductors are concentrically located within the bore of the shaft, with the first electrical lead being in the form of a pyrolytic graphite rod and separated from the outer second graphite electrical lead by means of a pyrolytic boron nitride (pBN) coating. In a second embodiment, the support platen and the support shaft are formed from a single unitary body of graphite. In yet another embodiment of the device of the invention, the connection posts comprise a carbon fiber composite and the exposed ends of the electrical connectors are coated with a protective ceramic paste for extended life in operations.

Abstract translation: 晶片处理装置或装置，即加热器或静电卡盘，包括平面支撑压板，具有居中定位的孔的支撑轴和位于轴中的一对电导体。 在一个实施例中，电导体同心地位于轴的孔内，其中第一电引线为热解石墨棒的形式，并通过热解氮化硼（pBN）与外部第二石墨电引线分离， 涂层。 在第二实施例中，支撑台板和支撑轴由单一的石墨单体形成。 在本发明的装置的另一个实施例中，连接柱包括碳纤维复合材料，并且电连接器的暴露端涂覆有保护性陶瓷膏，以在使用中延长寿命。