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    SCHALTUNGSEINRICHTUNG MIT EINEM HALBLEITER-BAUELEMENT
    71.
    发明申请
    SCHALTUNGSEINRICHTUNG MIT EINEM HALBLEITER-BAUELEMENT 审中-公开
    与半导体器件的电路器件

    公开(公告)号：WO2011069737A1

    公开(公告)日：2011-06-16

    申请号：PCT/EP2010/065919

    申请日：2010-10-22

    申请人： ROBERT BOSCH GMBH ,  JACKE, Thomas ,  FOERSTER, Christian ,  HEINISCH, Holger ,  JOOS, Joachim

    发明人： JACKE, Thomas ,  FOERSTER, Christian ,  HEINISCH, Holger ,  JOOS, Joachim

    IPC分类号： H01L21/66 ,  H01L23/525

    CPC分类号： H01L22/22 ,  G01R31/2621 ,  G01R31/2884 ,  H01L22/14 ,  H01L23/5252 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： Die Erfindung betrifft eine Elektrische Schaltungseinrichtung (1), die aufweist: ein Halbleiter-Bauelement (2), das Leistungsanschlüsse (2.1, 2.2) und einen von den Leistungsanschlüssen (2.1, 2.2) elektrisch isolierten Steueranschluss (2.0) zum Anlegen einer Steuerspannung (U2) aufweist, und eine Steueranschluss-Kontaktfläche (3) zur Kontaktierung des Steueranschlusses (2.0) für eine Messung des elektrischen Verhaltens des Halbleiter-Bauelementes (2). Hierbei ist vorgesehen, dass eine Verbindungseinrichtung (6), insbesondere eine Antifuse oder eine Schalteinrichtung vorgesehen ist, über die der Steueranschluss (2.0) mit einer Vorschalteinrichtung (4) elektrisch verbindbar ist, wobei die Verbindungseinrichtung (6) überführbar ist von einem nicht leitenden Zustand in einen leitenden Zustand, in dem der Steueranschluss (2.0) mit der Vorschalteinrichtung (4) verbunden ist. Hierbei kann die Antifuse in die Ausbildung des Halbleiter-Bauelementes integriert sein.

    摘要翻译： 本发明涉及的电路装置（1），包括：半导体装置（2），电源连接（2.1，2.2）和电源端子中的一个（2.1，2.2）是电绝缘的控制端子（2.0），用于施加控制电压（U2 ），以及控制端子接触表面（3），用于控制端子（2.0），用于半导体部件（2）的电气特性的测量接触。 它提供了一个连接装置（6），特别是提供了一种反熔丝或开关装置，通过该控制端（2.0）与镇流器（4）可电连接，其中所述连接装置（6）可以从非导通状态转移 被连接到导电状态，其中所述控制端（2.0）与所述镇流器（4）。 在这里，反熔丝可以被集成到半导体器件的设计。

    IMPROVED PN JUNCTIONS AND METHODS
    72.
    发明申请
    IMPROVED PN JUNCTIONS AND METHODS 审中-公开
    改进的PN结和方法

    公开(公告)号：WO2011023922A1

    公开(公告)日：2011-03-03

    申请号：PCT/GB2009/051082

    申请日：2009-08-28

    申请人： X-FAB SEMICONDUCTOR FOUNDRIES AG ,  STRIBLEY, Paul ,  KONG, Soon Tat

    发明人： STRIBLEY, Paul ,  KONG, Soon Tat

    IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/866 ,  H01L23/525

    CPC分类号： H01L29/866 ,  H01L23/5252 ,  H01L29/0688 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： A PN junction comprises first and second areas of silicon, wherein one of said first and second areas is n-type silicon and the other of said first and second areas is p-type silicon, wherein said first area has one or more projections which at least partially overlap with said second area, so as to form at least one cross-over point, said cross-over point being a point at which an edge of said first area crosses over an edge of said second area.

    摘要翻译： PN结包括第一和第二区域的硅，其中所述第一和第二区域中的一个是n型硅，并且所述第一和第二区域中的另一个是p型硅，其中所述第一区域具有一个或多个突起， 至少部分地与所述第二区域重叠，以便形成至少一个交叉点，所述交叉点是所述第一区域的边缘与所述第二区域的边缘交叉的点。

    LASER PROCESSING OF CONDUCTIVE LINKS
    74.
    发明申请
    LASER PROCESSING OF CONDUCTIVE LINKS 审中-公开
    导电链接的激光加工

    公开(公告)号：WO2008144443A1

    公开(公告)日：2008-11-27

    申请号：PCT/US2008/063789

    申请日：2008-05-15

    申请人： GSI LUMONICS CORPORATION ,  GRIFFITHS, Joseph, J. ,  LEE, Joohan ,  GU, Bo

    发明人： GRIFFITHS, Joseph, J. ,  LEE, Joohan ,  GU, Bo

    IPC分类号： B23K26/36 ,  H01L23/525

    CPC分类号： B23K26/073 ,  B23K26/06 ,  B23K26/0624 ,  B23K26/36 ,  B23K26/40 ,  B23K2201/40 ,  B23K2203/12 ,  B23K2203/50 ,  H01L23/5258 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： A method of laser-based material processing comprising: generating a laser beam having a narrow emission spectrum characterized by a full width at half maximum intensity of less than about 1 nanometer during a first time interval; controllably modifying a characteristic of the laser beam during the time interval to produce one or more pulses without substantially broadening the emission spectrum; and delivering and focusing at least one of the one or more pulses onto at least one target structure during motion of the at least one structure relative to the at least one pulse.

    摘要翻译： 一种基于激光的材料处理方法，包括：在第一时间间隔期间产生具有特征在于具有小于约1纳米的半高强度全宽度的窄发射光谱的激光束; 在时间间隔内可控地修改激光束的特性以产生一个或多个脉冲而基本上不扩展发射光谱; 以及在所述至少一个结构相对于所述至少一个脉冲的运动期间，将所述一个或多个脉冲中的至少一个传递和聚焦到至少一个目标结构上。

    SYSTEM AND METHOD FOR LASER PROCESSING AT NON-CONSTANT VELOCITIES
    76.
    发明申请
    SYSTEM AND METHOD FOR LASER PROCESSING AT NON-CONSTANT VELOCITIES 审中-公开
    用于激光加工的非恒定速度的系统和方法

    公开(公告)号：WO2008011255A2

    公开(公告)日：2008-01-24

    申请号：PCT/US2007/072432

    申请日：2007-06-29

    申请人： GSI GROUP CORPORATION ,  JOHNSON, Shepard, D. ,  GU, Bo

    发明人： JOHNSON, Shepard, D. ,  GU, Bo

    IPC分类号： B23K26/08 ,  B23K26/40 ,  B23K26/06 ,  H01L21/768 ,  H01L23/525

    CPC分类号： H01L23/5258 ,  B23K26/0624 ,  B23K26/0853 ,  B23K2201/40 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： A method is disclosed for on-the-fly processing at least one structure of a group of structures with a pulsed laser output. The method includes the steps of relatively positioning the group of structures and the pulsed laser output axis with non-constant velocity, and applying the pulsed laser output to the at least one structure of the group of structures during the step of relatively positioning the group of structures and the pulsed laser output axis with non-constant velocity.

    摘要翻译： 公开了一种用于对具有脉冲激光输出的一组结构的至少一个结构进行即时处理的方法。 该方法包括以非等速度相对地定位该组结构和脉冲激光输出轴的步骤，并且在相对定位组的步骤期间将脉冲激光输出施加到该组结构的至少一个结构中 结构和具有非恒定速度的脉冲激光输出轴。

    ANTI-FUSE MEMORY DEVICE
    78.
    发明申请
    ANTI-FUSE MEMORY DEVICE 审中-公开
    防静电存储器件

    公开(公告)号：WO2006126110A1

    公开(公告)日：2006-11-30

    申请号：PCT/IB2006/051406

    申请日：2006-05-04

    申请人： KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. ,  VAN DER SLUIS, Paul ,  MIJIRITSKII, Andrei ,  WOERLEE, Pierre, H. ,  VAN ACHT, Victor, M., G. ,  LAMBERT, Nicolaas

    发明人： VAN DER SLUIS, Paul ,  MIJIRITSKII, Andrei ,  WOERLEE, Pierre, H. ,  VAN ACHT, Victor, M., G. ,  LAMBERT, Nicolaas

    IPC分类号： G11C17/16 ,  H01L23/525

    CPC分类号： G11C17/16 ,  H01L23/5252 ,  H01L27/112 ,  H01L27/11206 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： A One Time Programmable (OTP) memory cell (10) comprising a first, metallic layer (12) coated with a second, conductive stable transition compound (14) with an insulating layer (16) there-between. The first and second layers (12, 14) are selected according to the difference in Gibbs Free Energy between them, which dictates the chemical energy that will be generated as a result of an exothermic chemical reaction between the two materials. The materials of the first and second layers (12, 14) are highly thermally stable in themselves but, when a voltage is applied to the cell (10), a localized breakdown of the insulative layer (16) results which creates a hotspot (18) that sets off an exothermic chemical reaction between the first and second layers (12, 14). The exothermic reaction generates sufficient heat (20) to create a short circuit across the cell and therefore reduce the resistance thereof.

    摘要翻译： 一次性可编程（OTP）存储器单元（10），包括涂覆有第二导电稳定过渡化合物（14）的第一金属层（12），其间具有绝缘层（16）。 第一层和第二层（12,14）根据它们之间的吉布斯自由能的差异来选择，这决定了由于两种材料之间的放热化学反应而产生的化学能。 第一层和第二层（12,14）的材料本身是高度热稳定的，但是当向单元（10）施加电压时，导致绝缘层（16）的局部击穿产生热点（18 ），其在第一和第二层（12,14）之间引起放热化学反应。 放热反应产生足够的热量（20）以在电池上产生短路并因此降低其电阻。

    A REPROGRAMMABLE INTEGRATED CIRCUIT
    79.
    发明申请
    A REPROGRAMMABLE INTEGRATED CIRCUIT 审中-公开
    可复用集成电路

    公开(公告)号：WO2006072142A1

    公开(公告)日：2006-07-13

    申请号：PCT/AU2006/000016

    申请日：2006-01-06

    申请人： SPANGARO, Justin, Martin

    发明人： SPANGARO, Justin, Martin

    IPC分类号： H01L23/525 ,  H03K19/0175

    CPC分类号： H01L27/11807

    摘要： A reprogrammable integrated circuit, including one or more logic dies including circuit components; and one or more reprogrammable interconnect dies including reprogrammable interconnect components electrically connected to the circuit components to define signal routing paths between the circuit components to allow a user to develop an integrated circuit.

    摘要翻译： 一种可重复编程的集成电路，包括一个或多个逻辑管芯，包括电路部件; 以及一个或多个可重新编程的互连管芯，其包括电连接到电路部件的可编程互连部件，以在电路部件之间限定信号路由路径，以允许用户开发集成电路。