公开(公告)号：WO2007077871A1

公开(公告)日：2007-07-12

申请号：PCT/JP2006/326053

申请日：2006-12-27

Applicant: コニカミノルタホールディングス株式会社 ,  有田 浩了 ,  鈴木 一生 ,  尾▲崎▼ 浩司 ,  福田 和浩

Inventor： 有田 浩了 ,  鈴木 一生 ,  尾▲崎▼ 浩司 ,  福田 和浩

IPC: B32B9/00 ,  B32B23/04 ,  G02B5/30 ,  G02F1/1335

CPC classification number: G02B5/30 ,  B05D1/62 ,  B05D7/04 ,  B32B9/00 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/401 ,  C23C16/509 ,  C23C16/545 ,  C23C28/00 ,  C23C28/04 ,  G02B1/105 ,  G02B1/18 ,  G02F1/133528 ,  G02F2001/133311 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/31659

Abstract: 　本発明は、光学性能が良好で、優れた透湿度を有し、かつ寸法安定性に優れた防湿性セルロースエステルフィルム、それを用いる偏光板用保護フィルム及び偏光板を提供する。この防湿性セルロースエステルフィルムは、セルロースエステルフィルムの少なくとも一方の面側に、炭素含有率が原子数濃度で１％以上、４０％以下であって、無機化合物を主成分とする密着層と、炭素含有量が原子数濃度で０．１％以下であって、酸化珪素を主成分とし、膜密度が２．１６以上、２．６０以下であるバリア層と、炭素含有率が原子数濃度で１％以上、４０％以下であって、無機化合物を主成分とする保護層とを、それぞれ１層以上順次成膜されており、片面側の膜厚の合計が１ｎｍ以上、１００ｎｍ以下である防湿性セルロースエステルフィルムであって、該バリア層の片面における膜厚が０．１ｎｍ以上、３０ｎｍ以下であることを特徴とする。

Abstract translation: 具有良好的光学性能，优异的透湿性和优异的尺寸稳定性的防湿纤维素酯膜; 以及包含该膜的偏振器用保护膜。 这种防水纤维素酯薄膜包括：纤维素酯薄膜，并按以下顺序在其至少一面上沉积一个或多个粘合层，每个粘合层的原子数浓度为1-40％，含有无机物 化合物作为主要成分，一个或多个阻挡层各自具有以原子数浓度为0.1％或更低的碳含量，包括氧化硅作为主要成分，并且具有2.16-2.60的膜密度和一种或多种 保护层各自具有以原子数浓度为1-40％的碳含量并且包含无机化合物作为主要成分。 这些沉积层的一侧的总厚度为1-100nm。 其特征在于，一侧的阻挡层的厚度为0.1-30nm。

公开(公告)号：WO2007022976A3

公开(公告)日：2007-04-26

申请号：PCT/EP2006008302

申请日：2006-08-24

Applicant: SCHOTT AG ,  BICKER MATTHIAS ,  HORMES ROBERT ,  LOHMEYER MANFRED

Inventor： BICKER MATTHIAS ,  HORMES ROBERT ,  LOHMEYER MANFRED

IPC: H01J37/32 ,  B65D23/02 ,  C23C16/04

CPC classification number: H05H1/24 ,  C23C16/006 ,  C23C16/045 ,  C23C16/401 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/511 ,  G10K1/064 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32394

Abstract: The invention relates to a method for the plasma treatment of workpieces, especially hollow-bodied workpieces. According to this method, an area of treatment in a reactor chamber is at least partially evacuated, a process gas is introduced into the area of treatment, especially into the hollow body of the workpiece, and a plasma is ignited in the process gas introduced into the area of treatment using electromagnetic energy radiated into it. The invention is characterized in that the process gas, during plasma treatment, flows through the area of treatment between opposite ends of the area.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于工件的等离子体处理的方法，特别是中空体形状的工件，其中在反应器腔室至少部分地抽成真空的处理区域中的工件的空腔发起的处理气体引入所述处理区域，特别是与通过注入电磁能的装置中的治疗区域引入等离子体中的 工艺气体被点燃，处理气体的等离子体处理的范围内的相对端之间的处理区域期间流过。

公开(公告)号：WO2007043312A1

公开(公告)日：2007-04-19

申请号：PCT/JP2006/318864

申请日：2006-09-22

Applicant: 東京エレクトロン株式会社 ,  青山 真太郎 ,  高橋 毅 ,  下村 晃司 ,  有賀 美輝

Inventor： 青山 真太郎 ,  高橋 毅 ,  下村 晃司 ,  有賀 美輝

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02148 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/318

Abstract: 　シリコン基板上への高誘電体膜の形成方法は、前記シリコン基板表面を希フッ酸処理する工程と、前記希フッ酸処理工程の後、前記シリコン基板表面に、Ｈｆと窒素を含む有機金属原料を供給し、ＨｆＮの核形成を行う工程と、前記核形成工程の後、前記シリコン基板表面に、Ｈｆを含む有機金属原料とＳｉを含む有機原料とを供給し、Ｈｆシリケート膜をＣＶＤ法により成膜する工程とを含む。

Abstract translation: 本发明提供了一种在硅衬底上形成高电介质膜的方法，包括以下步骤：用稀氢氟酸处理硅衬底的表面，在稀氢氟酸处理步骤之后，加入含有Hf的有机金属材料和 在硅衬底的表面上形成氮以形成HfN的核，在成核步骤之后，将含Hf的有机金属材料和含Si的有机材料进料到硅衬底的表面上，以通过CVD形成Hf硅酸盐膜。

公开(公告)号：WO2007036980A1

公开(公告)日：2007-04-05

申请号：PCT/JP2005/017706

申请日：2005-09-27

Applicant: 凸版印刷株式会社 ,  鈴木 浩 ,  松尾 龍吉 ,  佐々木 昇

Inventor： 鈴木 浩 ,  松尾 龍吉 ,  佐々木 昇

IPC: B32B9/00 ,  B32B27/36 ,  B32B27/30

CPC classification number: C23C16/401 ,  C08J7/045 ,  C08J2367/02

Abstract: 　高分子フィルム基材と、この高分子フィルム基材の一方の面に形成された無機化合物のガスバリア性蒸着層と、このガスバリア性蒸着層上に形成されたガスバリア性被覆層とを具備するガスバリア性積層フィルムにおいて、前記積層フィルムを５％伸長した際の酸素透過度が、伸長する前の酸素透過度の１．５倍以下であるような酸素バリア性を有することを特徴とするガスバリア性積層フィルム。

Abstract translation: 一种阻气性叠层膜，其具有聚合物膜基材，形成在所述聚合物膜基材的一个表面上的无机化合物的阻气性蒸镀层和形成在所述阻气性气相沉积层上的阻气涂层，其特征在于， 该膜具有使拉伸5％后的膜的氧透过率为拉伸前的1.5倍以下的氧阻隔性。

公开(公告)号：WO2007015433A1

公开(公告)日：2007-02-08

申请号：PCT/JP2006/315001

申请日：2006-07-28

Applicant: 大陽日酸株式会社 ,  独立行政法人物質・材料研究機構 ,  大野 隆央 ,  田島 暢夫 ,  濱田 智之 ,  小林 伸好 ,  井上 實 ,  羽坂 智 ,  迫田 薫 ,  神力 学 ,  宮澤 和浩

Inventor： 大野 隆央 ,  田島 暢夫 ,  濱田 智之 ,  小林 伸好 ,  井上 實 ,  羽坂 智 ,  迫田 薫 ,  神力 学 ,  宮澤 和浩

IPC: H01L21/316 ,  C23C16/40 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: C23C16/401 ,  C23C16/30 ,  C23C16/325 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/76801

Abstract: 　本発明は、プラズマＣＶＤ法により絶縁膜を製造する際の材料ガスとして、蒸気圧が高く、容易にガス状で供給できる材料を使用し、誘電率が低く、かつ、機械的強度が高く、半導体装置の層間絶縁膜等に有用な低誘電率絶縁膜を成膜する方法及び低誘電率絶縁膜を提供することを目的とする。すなわち、本発明は、プラズマＣＶＤ法により絶縁膜を成膜するときの材料ガスとして、一般式Ｓｉ α Ｏ β Ｃ γ Ｈ δ （α＝１～３，β＝０～８，γ＝０～８，δ＝４～２４）で示されるＳｉ系化合物と、一般式Ｃ ε Ｏ ζ Ｈ η （ε＝１～８，ζ＝０～１０，η＝２～１４）で示される炭化水素系化合物と、添加剤とをそれぞれガス化して供給することができる。

Abstract translation: 公开了一种低介电常数和高机械强度的低介电常数绝缘膜的方法，其适用于半导体器件等的层间绝缘膜，其中可以容易地以气体形式供应的具有高蒸气压的材料是 用作通过等离子体CVD法形成绝缘膜的材料气体。 还公开了这种低介电常数绝缘膜。 在该方法中，由以下通式表示的Si化合物：（C 1 -C 4）H（H） 其中a = 1-3，β= 0-8，α= 0-8，d = 4-24），由以下通式表示的烃化合物：C （其中e = 1-8，α= 0-10，α= 2-14）和添加剂分别作为用于形成绝缘膜的材料气体气化并供给， 等离子体CVD法。

公开(公告)号：WO2006122744A1

公开(公告)日：2006-11-23

申请号：PCT/EP2006/004596

申请日：2006-05-16

Applicant: REHAU AG + CO. ,  ARLT, Joachim ,  QUANDT, Edgar

Inventor： ARLT, Joachim ,  QUANDT, Edgar

IPC: C23C16/40 ,  C08J7/00

CPC classification number: C08J7/08 ,  C08J2383/04 ,  C23C16/401 ,  C23C16/453 ,  Y10T428/31663

Abstract: Das Verfahren zur Modifikation einer Silikonkautschukoberfläche durch Beschichten mit einer Funktionsschicht zeichnet sich dadurch aus, dass aus einer Flamme eine silikathaltige Funktionsschicht auf der Silikonkautschukoberfläche abgeschieden wird, wodurch die Oberfläche so modifiziert wird, dass diese eine sehr geringe Adhäsion bzw. Klebrigkeit aufweist.

Abstract translation: 通过涂布功能层为硅橡胶表面的改性方法的特征在于，含硅酸盐的功能层沉积在火焰的硅橡胶表面上，由此在表面被修改，使得它具有非常小的粘附或粘着性上。

公开(公告)号：WO2006078719A3

公开(公告)日：2006-10-19

申请号：PCT/US2006001741

申请日：2006-01-19

Applicant: APPLIED MATERIALS INC ,  PADHI DEENESH ,  BALASUBRAMANIAN GANESH ,  LAKSHMANAN ANNAMALAI ,  CUI ZHENJIANG ,  ROCHA-ALVAREZ JUAN CARLOS ,  KIM BOK HOEN ,  M SAAD HICHEM ,  REITER STEVEN ,  SCHMITT FRANCIMAR

Inventor： PADHI DEENESH ,  BALASUBRAMANIAN GANESH ,  LAKSHMANAN ANNAMALAI ,  CUI ZHENJIANG ,  ROCHA-ALVAREZ JUAN CARLOS ,  KIM BOK HOEN ,  M SAAD HICHEM ,  REITER STEVEN ,  SCHMITT FRANCIMAR

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/02

CPC classification number: H01L21/31633 ,  C23C16/029 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/5096 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274

Abstract: A method of depositing a organosilicate dielectric layer exhibiting high adhesion strength to an underlying substrate disposed within a single processing chamber without plasma arcing. The method includes positioning a substrate within a processing chamber having a powered electrode, flowing an interface gas mixture into the processing chamber, the interface gas mixture comprising one or more organosilicon compounds and one or more oxidizing gases, depositing a silicon oxide layer on the substrate by varying process conditions, wherein DC bias of the powered electrode varies less than 60 volts.

Abstract translation: 一种在没有等离子体放电的情况下将布置在单个处理室内的下面的衬底上沉积显示出高粘合强度的有机硅酸盐介电层的方法。 该方法包括将衬底定位在具有动力电极的处理室内，将界面气体混合物流入处理室，界面气体混合物包含一种或多种有机硅化合物和一种或多种氧化性气体，在衬底上沉积氧化硅层 通过改变工艺条件，其中电源电极的DC偏压变化小于60伏特。

公开(公告)号：WO2006088015A1

公开(公告)日：2006-08-24

申请号：PCT/JP2006/302525

申请日：2006-02-14

Applicant: 日本電気株式会社 ,  多田 宗弘 ,  竹内 常雄 ,  林 喜宏

Inventor： 多田 宗弘 ,  竹内 常雄 ,  林 喜宏

IPC: H01L21/312 ,  C07F7/08 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/3121 ,  B05D1/62 ,  C09D4/00 ,  C23C16/325 ,  C23C16/401 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/76801 ,  C08G77/04

Abstract: 誘電率が低く、リーク電流が少ない有機シリコン系膜の形成方法を提供することを課題とし、原料ガスとして有機シリコン化合物を用いた化学的気相堆積法により有機シリコン系膜を成膜する際に、有機シリコン化合物として、少なくともケイ素、水素及び炭素を構成元素として含有していると共に、不飽和結合を有する基を１分子中に２つ以上有している有機シリコン化合物を用い、かつ、この有機シリコン化合物を水素化ケイ素ガスとの混合状態で使用する。

Abstract translation: 公开了一种形成具有低介电常数和小的漏电流的有机硅膜的方法。 具体公开了通过使用有机硅化合物作为原料气体的化学气相沉积法形成有机硅膜的方法，其中至少含有硅，氢和碳作为构成元素并且在一个分子中具有两个或更多个基团的有机硅化合物 在与氢化硅气体混合的同时使用不饱和键。

公开(公告)号：WO2006023894A3

公开(公告)日：2006-06-15

申请号：PCT/US2005029889

申请日：2005-08-23

Applicant: SAINT GOBAIN CERAMICS

Inventor： NARENDAR YESHWANTH ,  SIMPSON MATTHEW A ,  HENGST RICHARD R

IPC: C23C16/44

CPC classification number: C04B35/16 ,  C04B41/009 ,  C04B41/5024 ,  C04B41/5027 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3427 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2235/9692 ,  C23C14/08 ,  C23C16/029 ,  C23C16/40 ,  C23C16/401 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/4581 ,  H01J37/32477 ,  H01L21/673 ,  Y10T428/30 ,  C04B35/10 ,  C04B35/565 ,  C04B35/52 ,  C04B2103/0021

Abstract: A semiconductor processing component includes a substrate and a layer overlying the substrate. The layer has a composition ReA y O 1.5+2y , wherein Re is Y, La, a Lanthanoid series element, or a combination thereof, A is (Si 1-a Ge a ), 0.25 y 1.2, and 0 a 1.

Abstract translation: 半导体处理部件包括衬底和覆盖衬底的层。 该层具有组成，其中Re是Y，La，镧系元素，或它们的组合，A是（Si < 1-a a ），0.25y 1.2和0 a 1。

公开(公告)号：WO2006049865A1

公开(公告)日：2006-05-11

申请号：PCT/US2005/037435

申请日：2005-10-19

Applicant: DOW GLOBAL TECHNOLOGIES INC. ,  GABELNICK, Aaron, M. ,  LAMBERT, Christina, A.

Inventor： GABELNICK, Aaron, M. ,  LAMBERT, Christina, A.

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/30 ,  B05D7/24

CPC classification number: C08J7/047 ,  B05D1/62 ,  B05D7/02 ,  B05D2201/02 ,  B05D2252/02 ,  C08J2369/00 ,  C08J2483/00 ,  C23C16/401

Abstract: A process for depositing a layer of a plasma polymerized organosiloxane, siloxane or silicon oxide onto the surface of an organic polymeric substrate by atmospheric pressure glow discharge deposition from a gaseous mixture comprising a silicon containing compound and an oxidant, characterized in that the oxidant comprises N 2 O.

Abstract translation: 一种通过由包含含硅化合物和氧化剂的气体混合物的大气压辉光放电沉积将等离子体聚合的有机硅氧烷，硅氧烷或氧化硅层沉积在有机聚合物基材的表面上的方法，其特征在于氧化剂包括N _{2 0。}