公开(公告)号：WO2013109401A1

公开(公告)日：2013-07-25

申请号：PCT/US2012/072051

申请日：2012-12-28

Applicant: DUSSARRAT, Christian ,  KUCHENBEISER, Glenn ,  PALLEM, Venkateswara, R. ,  OMARJEE, Vincent, M. ,  BESANCON, Brian ,  WANG, Ziyun

Inventor： DUSSARRAT, Christian ,  KUCHENBEISER, Glenn ,  PALLEM, Venkateswara, R. ,  OMARJEE, Vincent, M. ,  BESANCON, Brian ,  WANG, Ziyun

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/18 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02208 ,  C23C16/401 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/02148 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/0228

Abstract: Disclosed are silicon containing compounds and their use in vapor deposition methods of hafnium silicate films having a desired silicon concentration. More particularly, deposition of hafnium silicate films by atomic layer deposition using moisture and the disclosed silicon containing compounds produce films having a desired silicon concentration.

Abstract translation: 公开了含硅化合物及其在具有期望的硅浓度的硅酸铪膜的气相沉积方法中的用途。 更具体地，通过使用水分的原子层沉积来沉积硅酸铪膜，并且所公开的含硅化合物产生具有期望的硅浓度的膜。

公开(公告)号：WO2011119424A3

公开(公告)日：2012-01-05

申请号：PCT/US2011028954

申请日：2011-03-18

Applicant: MICRON TECHNOLOGY INC ,  RAMASWAMY D V NIRMAL ,  ROCKLEIN MATTHEW N ,  BREWER RHETT

Inventor： RAMASWAMY D V NIRMAL ,  ROCKLEIN MATTHEW N ,  BREWER RHETT

IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L21/28282 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/5671 ,  H01L21/02148 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02323 ,  H01L21/28273 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/42348

Abstract: Memories, systems, and methods for forming memory cells are disclosed. One such memory cell includes a charge storage node that includes nanodots over a tunnel dielectric and a protective film over the nanodots. In another memory cell, the charge storage node includes nanodots that include a ruthenium alloy. Memory cells can include an inter gate dielectric over the protective film or ruthenium alloy nanodots and a control gate over the inter gate dielectric. The protective film and ruthenium alloy can be configured to protect at least some of the nanodots from vaporizing during formation of the inter gate dielectric.

Abstract translation: 公开了用于形成存储器单元的存储器，系统和方法。 一个这种存储单元包括电荷存储节点，其在隧道电介质上方包括纳米点，并且在纳米点上包括保护膜。 在另一个存储单元中，电荷存储节点包括包含钌合金的纳米点。 存储器单元可以包括在保护膜或钌合金纳米点上的栅极间电介质和栅极间电介质上的控制栅极。 保护膜和钌合金可以被配置为在形成栅极间电介质期间保护至少一些纳米点不被蒸发。

公开(公告)号：WO2008064246A2

公开(公告)日：2008-05-29

申请号：PCT/US2007/085276

申请日：2007-11-20

Applicant: APPLIED MATERIALS, INC. ,  CHUA, Thai Cheng ,  OLSEN, Christopher Sean ,  CZARNIK, Cory ,  CONTI, Giuseppina

Inventor： CHUA, Thai Cheng ,  OLSEN, Christopher Sean ,  CZARNIK, Cory ,  CONTI, Giuseppina

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L21/0217 ,  H01L21/02148 ,  H01L21/02161 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/3185 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: A method of forming a gate dielectric comprising silicon and oxygen is provided. The gate dielectric may also include nitrogen or another high k material. In one aspect, forming the gate dielectric includes annealing a substrate in an oxidizing atmosphere to form a silicon oxide layer, depositing a silicon nitride layer or a high k layer on the silicon oxide layer by a vapor deposition, oxidizing an upper surface of the silicon nitride layer or high k layer, and then annealing the substrate. The gate dielectric may be formed within an integrated processing system.

Abstract translation: 提供了形成包含硅和氧的栅极电介质的方法。 栅极电介质也可以包括氮或另一种高k材料。 一方面，形成栅极电介质包括在氧化气氛中退火衬底以形成氧化硅层，通过气相沉积在氧化硅层上沉积氮化硅层或高k层，氧化硅的上表面 氮化物层或高k层，然后退火衬底。 栅极电介质可以形成在集成处理系统内。

公开(公告)号：WO2007140813A1

公开(公告)日：2007-12-13

申请号：PCT/EP2006/062893

申请日：2006-06-02

Applicant: L'AIR LIQUIDE SOCIETE ANONYME POUR L'ETUDE ET L'EXPLOITATION DES PROCEDES GEORGES CLAUDE ,  BLASCO, Nicolas ,  DUSSARRAT, Christian

Inventor： BLASCO, Nicolas ,  DUSSARRAT, Christian

IPC: C23C16/18

CPC classification number: H01L21/02205 ,  C07F7/00 ,  C07F7/006 ,  C07F17/00 ,  C23C16/18 ,  C23C16/308 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  C23C16/403 ,  C23C16/405 ,  C23C16/407 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/02148 ,  H01L21/02159 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645

Abstract: A method of forming on at least one support at least one metal containing dielectric films having the formula (M 1 1-a M a )O b N c , wherein: 0≤a 1 and M 2 being metals Hf, Zr or Ti using precursors with pentadienyl ligands and/or cyclopentadienyl ligands.

Abstract translation: 一种在至少一种载体上形成至少一种含金属的介电膜的方法，所述介电膜具有下式（M 1）

公开(公告)号：WO2006057400A1

公开(公告)日：2006-06-01

申请号：PCT/JP2005/021855

申请日：2005-11-29

Applicant: 株式会社日立国際電気 ,  佐野 敦 ,  堀井 貞義 ,  板谷 秀治 ,  山本 克彦

Inventor： 佐野 敦 ,  堀井 貞義 ,  板谷 秀治 ,  山本 克彦

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/02148 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45523 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/31604

Abstract:   金属シリケート膜中の金属原子とシリコン原子との濃度比の制御性を向上し、高品質な半導体装置を製造できるようにする。 　処理室４内に金属原子を含む第１原料と、シリコン原子と窒素原子を含む第２原料とを供給して、基板３０上に金属原子とシリコン原子を含む金属シリケート膜を成膜する工程とを有し、前記金属シリケート膜を成膜する工程では、第１原料と第２原料の原料供給比を制御することにより、形成する金属シリケート膜中の金属原子とシリコン原子の濃度比を制御する。

Abstract translation: 通过提高金属硅酸盐膜中金属原子与硅原子的浓度比的可控性来制造高质量的半导体器件。 在半导体器件制造方法中，通过向处理室（4）提供包含金属原子的第一材料和第二材料，提供在基板（30）上形成包括金属原子和硅原子的金属硅酸盐膜的工艺 包括硅原子和氮原子。 在形成金属硅酸盐膜的过程中，通过控制第一材料与第二材料的材料供给比来控制要形成的金属硅酸盐膜中的金属原子与硅原子的浓度比。

公开(公告)号：WO2005060006A2

公开(公告)日：2005-06-30

申请号：PCT/JP2004019467

申请日：2004-12-17

Applicant: SEIKO EPSON CORP ,  MIYATA MASAYASU ,  UEHARA MASAMITSU

Inventor： MIYATA MASAYASU ,  UEHARA MASAMITSU

IPC: G02F1/1368 ,  H01L21/28 ,  H01L21/30 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28202 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02145 ,  H01L21/02148 ,  H01L21/02159 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/3003 ,  H01L21/316 ,  H01L21/31608 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31654 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/78

Abstract: A gate insulating film 3 is formed of an insulative inorganic material containing silicon and oxygen as a main material. The gate insulating film 3 contains hydrogen atoms. A part of the absorbance of infrared radiation of which wave number is in the range of 830 to 900 cm is less than both the absorbance of infrared radiation at the wave number of 830 cm and the absorbance of infrared radiation at the wave number of 900 cm when the insulating film to which an electric field has never been applied is measured by means of Fourier Transform Infrared Spectroscopy at room temperature. Further, in the case where the absolute value of the difference between the absorbance of infrared radiation at the wave number of 830 cm and the absorbance of infrared radiation at the wave number of 770 cm is defined as A and the absolute value of the difference between the absorbance of infrared radiation at the wave number of 900 cm and the absorbance of infrared radiation at the wave number of 990 cm is defined as B, then A and B satisfy the relation: A/B is 1.8 or more.

Abstract translation: 栅绝缘膜3由含有硅和氧作为主要材料的绝缘无机材料形成。 栅绝缘膜3含有氢原子。 波数在830〜900cm -1范围内的红外辐射的吸光度的一部分小于波数为830cm -1的红外辐射的吸光度和红外线的吸光度 在室温下通过傅里叶变换红外光谱法测定未施加电场的绝缘膜时波数为900cm -1的辐射。 此外，在波数为830cm -1处的红外线辐射的吸光度与波数为770cm -1的红外线的吸光度的绝对值的绝对值定义为A 波数为900cm -1的红外辐射的吸光度与波数为990cm -1的红外辐射的吸光度之差的绝对值定义为B，则A和B 满足关系：A / B为1.8以上。

公开(公告)号：WO2016133677A3

公开(公告)日：2016-10-27

申请号：PCT/US2016015781

申请日：2016-01-29

Applicant: QUALCOMM INC

Inventor： XU JEFFREY JUNHAO ,  LI XIA

IPC: H01L27/115 ,  G11C11/22 ,  H01L21/28 ,  H01L29/66

CPC classification number: H01L29/66833 ,  G11C11/221 ,  H01L21/02148 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/28291 ,  H01L21/324 ,  H01L27/088 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11592 ,  H01L29/511 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66553 ,  H01L29/66568 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/6684 ,  H01L29/78 ,  H01L29/785

Abstract: A method of forming an electronic device includes forming an oxygen scavenging layer (230) proximate to a dielectric layer (204) in a gate region of a field effect transistor (FET). An interface layer (214) is between the dielectric layer and a substrate of the FET. The method further includes forming a dipole layer by annealing the oxygen scavenging layer, the dielectric layer, and the interface layer.

Abstract translation: 形成电子器件的方法包括在场效应晶体管（FET）的栅极区域中形成接近电介质层（204）的氧气清除层（230）。 界面层（214）位于电介质层和FET的衬底之间。 该方法还包括通过退火除氧层，电介质层和界面层来形成偶极层。

公开(公告)号：WO2016133677A2

公开(公告)日：2016-08-25

申请号：PCT/US2016/015781

申请日：2016-01-29

Applicant: QUALCOMM INCORPORATED

Inventor： XU, Jeffrey Junhao ,  LI, Xia

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/28 ,  H01L29/66 ,  G11C11/22

CPC classification number: H01L29/66833 ,  G11C11/221 ,  H01L21/02148 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/28291 ,  H01L21/324 ,  H01L27/088 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11592 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/511 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66553 ,  H01L29/66568 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/6684 ,  H01L29/78 ,  H01L29/785

Abstract: A method of forming an electronic device includes forming an oxygen scavenging layer proximate to a dielectric layer in a gate region of a field effect transistor (FET). The interface layer is between the dielectric layer and a substrate of the FET. The method further includes forming a dipole layer by annealing the oxygen scavenging layer, the dielectric layer, and the interface layer.

Abstract translation: 形成电子器件的方法包括在场效应晶体管（FET）的栅极区域中形成靠近电介质层的氧气清除层。 界面层位于电介质层和FET的衬底之间。 该方法还包括通过退火除氧层，电介质层和界面层来形成偶极层。

公开(公告)号：WO2011031591A1

公开(公告)日：2011-03-17

申请号：PCT/US2010/047391

申请日：2010-08-31

Applicant: TOKYO ELECTRON LIMITED ,  WAJDA, Cory

Inventor： WAJDA, Cory

IPC: C23C16/455

CPC classification number: H01L21/02148 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31645

Abstract: A method is provided for forming a metal-silicon-containing film on a substrate by pulsed chemical vapor deposition. The method includes providing the substrate in a process chamber, maintaining the substrate at a temperature suited for chemical vapor deposition of a metal-silicon-containing film by thermal decomposition of a metal-containing gas and a silicon-containing gas on the substrate, exposing the substrate to a continuous flow of the metal-containing gas, and during the continuous flow, exposing the substrate to sequential pulses of the silicon-containing gas.

Abstract translation: 提供了通过脉冲化学气相沉积在基板上形成含金属硅膜的方法。 该方法包括在处理室中提供衬底，通过在衬底上热分解含金属气体和含硅气体，将衬底保持在适于化学气相沉积含金属硅膜的温度，将衬底暴露 该衬底连续流入含金属的气体，并且在连续流动期间，将衬底暴露于含硅气体的顺序脉冲。

公开(公告)号：WO2007141059A2

公开(公告)日：2007-12-13

申请号：PCT/EP2007052507

申请日：2007-03-16

Applicant: AIR LIQUIDE ,  DUSSARRAT CHRISTIAN ,  BLASCO NICOLAS ,  PINCHART AUDREY ,  LACHAUD CHRISTOPHE

Inventor： DUSSARRAT CHRISTIAN ,  BLASCO NICOLAS ,  PINCHART AUDREY ,  LACHAUD CHRISTOPHE

IPC: C23C16/18

CPC classification number: H01L21/02205 ,  C07F7/00 ,  C07F7/006 ,  C07F17/00 ,  C23C16/18 ,  C23C16/308 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  C23C16/403 ,  C23C16/405 ,  C23C16/407 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/02148 ,  H01L21/02159 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645

Abstract: Method of deposition on a substrate, of a metal containing dielectric film comprising a compound of the formula (I): (M 1 1-a

Abstract translation: 包含式（I）化合物的含金属介电膜在基片上沉积的方法：（M 1/3）