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    MEMS DEVICE, HEAD AND LIQUID JET DEVICE
    4.
    发明申请
    MEMS DEVICE, HEAD AND LIQUID JET DEVICE 审中-公开
    MEMS器件，头和液体喷射装置

    公开(公告)号：WO2016139945A1

    公开(公告)日：2016-09-09

    申请号：PCT/JP2016/001149

    申请日：2016-03-03

    Applicant: SEIKO EPSON CORPORATION

    Inventor： TANAKA, Shuichi

    IPC: B41J2/14 ,  B41J2/16

    CPC classification number: B41J2/14274 ,  B41J2/14233 ,  B41J2/161 ,  B41J2/1623 ,  B41J2/1626 ,  B41J2/1631 ,  B41J2002/14419 ,  B41J2002/14491 ,  B81B7/007 ,  B81B2201/052 ,  B81B2203/04 ,  B81B2207/012 ,  H01L41/042 ,  H01L41/0472 ,  H05K1/183

    Abstract: Provided are an MEMS device, a head, and a liquid jet device in which substrates are inhibited from warping, so that a primary electrode and a secondary electrode can be reliably connected to each other. Included are a primary substrate 30 provided with a bump 32 including a primary electrode 34, and a secondary substrate 10 provided with a secondary electrode 91 on a bottom surface of a recessed portion 36 formed by an adhesive layer 35. The primary substrate 10 and the secondary substrate 30 are joined together with the adhesive layer 35, the primary electrode 34 is electrically connected to the secondary electrode 91 with the bump 32 inserted into the recessed portion 36, and part of the bump 32 and the adhesive layer 35 forming the recessed portion 36 overlap each other in a direction in which the bump 32 is inserted into the recessed portion 36.

    Abstract translation: 提供了一种MEMS器件，头部和液体喷射装置，其中基板被阻止翘曲，使得主电极和次级电极可以可靠地彼此连接。 包括具有包括主电极34的凸块32的主基板30和在由粘合剂层35形成的凹部36的底面上设置有次级电极91的次基板10。一次基板10和 第二基板30与粘合剂层35接合在一起，一次电极34与凸部32插入到凹部36中而与次级电极91电连接，凸部32的一部分和形成凹部的粘接层35 36在凸块32插入凹部36的方向上彼此重叠。

    FULLY WAFER-LEVEL-PACKAGED MEMS MICROPHONE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
    6.
    发明申请
    FULLY WAFER-LEVEL-PACKAGED MEMS MICROPHONE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
    完全水平包装的MEMS麦克风及其制造方法

    公开(公告)号：WO2016029365A1

    公开(公告)日：2016-03-03

    申请号：PCT/CN2014/085222

    申请日：2014-08-26

    Applicant: GOERTEK INC.

    Inventor： ZOU, Quanbo ,  WANG, Zhe

    IPC: H04R19/04 ,  B81B7/00

    CPC classification number: H04R19/005 ,  B81B3/001 ,  B81B7/00 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/04 ,  B81B2207/012 ,  B81C1/0023 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/058 ,  B81C2203/0785 ,  H04R19/04 ,  H04R31/00 ,  H04R31/006 ,  H04R2201/003

    Abstract: A method for manufacturing a fully wafer-level-packaged MEMS microphone and a microphone manufactured with the same are provided, the method comprises: separately manufacturing a first packaging wafer, an MEMS microphone wafer and a second packaging wafer; performing wafer-to-wafer bonding for the three wafers to form a plurality of fully wafer-level-packaged MEMS microphone units; singulating the fully wafer-level-packaged MEMS microphone units to form a plurality of fully wafer-level-packaged MEMS microphones, which are fully packaged at wafer level and do not need any further process after die singulation. The method can improve cost-effectiveness, performance consistency, manufacturability, quality, scaling capability of the packaged MEMS microphone.

    Abstract translation: 提供了一种用于制造全晶片级封装的MEMS麦克风和由其制造的麦克风的方法，该方法包括：分别制造第一封装晶片，MEMS麦克风晶片和第二封装晶片; 对三个晶片执行晶片到晶片接合以形成多个完全晶片级封装的MEMS麦克风单元; 将全部晶圆级封装的MEMS麦克风单元分开，以形成多个完全晶片级封装的MEMS麦克风，其在晶片级完全封装，并且在单片化之后不需要任何进一步的处理。 该方法可以提高封装的MEMS麦克风的成本效益，性能一致性，可制造性，质量，扩展能力。

    SILICON SPEAKER
    7.
    发明申请
    SILICON SPEAKER 审中-公开
    硅胶扬声器

    公开(公告)号：WO2016029358A1

    公开(公告)日：2016-03-03

    申请号：PCT/CN2014/085206

    申请日：2014-08-26

    Applicant: GOERTEK INC.

    Inventor： ZOU, Quanbo

    IPC: H04R7/14 ,  H04R19/02

    CPC classification number: H04R19/005 ,  B81B3/0021 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2207/012 ,  B81B2207/07 ,  B81C1/00158 ,  H04R7/14 ,  H04R19/02 ,  H04R2201/003

    Abstract: A silicon speaker comprising an MEMS acoustoelectric chip and a PCB substrate (3), wherein the MEMS acoustoelectric chip comprises a corrugated diaphragm (1) on a silicon substrate (2); and one side surface of the MEMS acoustoelectric chip is metalized, and the metalized side surface (6) of the MEMS acoustoelectric chip is connected with the PCB substrate. The corrugated diaphragm is electrically conductive and interconnected with metal paths (5) on MEMS acoustoelectric chip, which is led out to a first PCB metal path as one electrode. A second PCB metal path below the MEMS chip forms another electrode of the electrostatic actuator.

    Abstract translation: 一种包括MEMS声电芯片和PCB基板（3）的硅扬声器，其中所述MEMS声电芯片包括在硅衬底（2）上的波纹膜片（1）; 并且MEMS声电芯片的一个侧表面被金属化，并且MEMS声电芯片的金属化侧表面（6）与PCB衬底连接。 波纹膜片是导电的并且与MEMS声电芯片上的金属路径（5）互连，其被引导到作为一个电极的第一PCB金属路径。 MEMS芯片下面的第二个PCB金属通道形成静电致动器的另一个电极。

    MEMS-BAUELEMENT MIT EINER STRESSENTKOPPLUNGSSTRUKTUR UND BAUTEIL MIT EINEM SOLCHEN MEMS-BAUELEMENT
    8.
    发明申请
    MEMS-BAUELEMENT MIT EINER STRESSENTKOPPLUNGSSTRUKTUR UND BAUTEIL MIT EINEM SOLCHEN MEMS-BAUELEMENT 审中-公开
    用这样的MEMS元件应力解耦组成和结构MEMS元件

    公开(公告)号：WO2015185455A1

    公开(公告)日：2015-12-10

    申请号：PCT/EP2015/061984

    申请日：2015-05-29

    Applicant: ROBERT BOSCH GMBH

    Inventor： CLASSEN, Johannes ,  REINMUTH, Jochen ,  HATTASS, Mirko ,  REICHENBACH, Ralf ,  PUYGRANIER, Antoine

    IPC: B81B7/00

    CPC classification number: B81B7/0048 ,  B81B2207/012 ,  B81B2207/07 ,  H01L2224/16225

    Abstract: Es werden Maßnahmen vorgeschlagen, die auf einfache Weise und zuverlässig zur mechanischen Entkopplung eines MEMS-Funktionselements aus dem Aufbau eines MEMS-Bauelements beitragen. Das MEMS-Bauelement (110) umfasst mindestens ein auslenkbares Funktionselement (14), das in einem Schichtaufbau (12) auf einem MEMS-Substrat (11) realisiert ist, so dass zwischen dem Schichtaufbau (12) und dem MEMS-Substrat (11) zumindest im Bereich des Funktionselements (14) ein Zwischenraum (15) besteht. Erfindungsgemäß ist im MEMS-Substrat eine Stressentkopplungsstruktur (17) in Form einer sacklochartigen Grabenstruktur (171) ausgebildet, die zu dem Zwischenraum (15) zwischen dem Schichtaufbau (12) und dem MEMS-Substrat (11) geöffnet ist und sich nur bis zu einer vorgegebenen Tiefe ins MEMS-Substrat (11) erstreckt, so dass das MEMS-Substrat (11) zumindest im Bereich der Grabenstruktur (171) rückseitig geschlossen ist.

    Abstract translation: 有迹象表明，有助于容易且可靠地用于MEMS器件的结构的MEMS功能元件的机械去耦提出的措施。 的MEMS装置（110）包括其在MEMS衬底（11）上的层结构（12）实现的，至少一个可偏转的功能元件（14），以使层结构（12）和MEMS衬底（11）之间 至少在所述功能元件（14）的空间（15）的区域中。 在一个盲孔状的严重结构（171）的形式，根据本发明的MEMS衬底适于将所述中间空间（15）（12）和MEMS衬底（11）的应力去耦结构（17）的层结构之间，并且最多只有一个开 预定深度到MEMS衬底（11），从而使MEMS衬底（11）至少在严重的结构（171）的区域中的后部封闭。

    MIKROMECHANISCHE DRUCKSENSORVORRICHTUNG UND ENTSPRECHENDES HERSTELLUNGSVERFAHREN
    10.
    发明申请
    MIKROMECHANISCHE DRUCKSENSORVORRICHTUNG UND ENTSPRECHENDES HERSTELLUNGSVERFAHREN 审中-公开
    MICRO机械压力传感器装置及相应方法

    公开(公告)号：WO2015106855A1

    公开(公告)日：2015-07-23

    申请号：PCT/EP2014/074752

    申请日：2014-11-17

    Applicant: ROBERT BOSCH GMBH

    Inventor： CLASSEN, Johannes ,  REINMUTH, Jochen ,  KAELBERER, Arnd

    IPC: G01L9/00 ,  G01L13/02 ,  G01L19/06

    CPC classification number: G01L9/0041 ,  B81B7/0048 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2207/012 ,  G01L9/0073 ,  G01L13/026 ,  G01L19/0636

    Abstract: Die Erfindung schafft eine mikromechanische Drucksensorvorrichtung und ein entsprechendes Herstellungsverfahren. Die mikromechanische Drucksensorvorrichtung umfasst einen ASIC-Wafer (1 a) mit einer Vorderseite (VSa) und einer Rückseite (RSa) und eine auf der Vorderseite (VSa) des ASIC-Wafers (1 a) gebildeten Umverdrahtungseinnchtung (25a) mit einer Mehrzahl von gestapelten Leiterbahnebenen (LB0, LB1) und Isolationsschichten (I). Weiterhin umfasst sie einen MEMS-Wafer (1) mit einer Vorderseite (VS) und einer Rückseite (RS), eine über der Vorderseite (VS) des MEMS-Wafers (1) gebildeten ersten mikromechanischen Funktionsschicht (3) und eine über der ersten mikromechanischen Funktionsschicht (3) gebildeten zweiten mikromechanischen Funktionsschicht (5). In einer der ersten und zweiten mikromechanischen Funktionsschicht (3; 5) ist ein Membranbereich (16; 16a; 16') als eine auslenkbare erste Druckdetektionselektrode ausgebildet, welcher über eine Durchgangsöffnung (12; 12'; 12a') im MEMS-Wafer (1) mit Druck beaufschlagbar ist. In der anderen der ersten und zweiten mikromechanischen Funktionsschicht (3; 5) ist eine feststehende zweite Druckdetektionselektrode (11'; 11"; 11"'; 11""; 11a; 111) beabstandet gegenüberliegend dem Membranbereich (16; 16a; 16') ausgebildet. Die zweite mikromechanische Funktionsschicht (5) ist über eine Bondverbindung (7; 7, 7a; 7, 7b) mit der Umverdrahtungseinrichtung (25a) derart verbunden ist, dass die feststehende zweite Druckdetektionselektrode (11 '; 11"; 11"'; 11""; 11a; 111) in einer Kaverne (9; 9a) eingeschlossen ist.

    Abstract translation: 本发明提供了一种微机械压力传感器装置和相应的制造方法。 微机械压力传感器装置包括一个ASIC晶片（1 a）具有前表面（VSA）和背面（RSA）和一个在具有多个堆叠在所述ASIC晶片（1）形成Umverdrahtungseinnchtung（25A）的前面（VSA） 导体轨道平面（LB0，LB1）和绝缘层（I）。 此外，它包括（1）具有形成的前侧（VS）和后侧（RS），一个在MEMS晶片（1）的前侧（VS）第一微机械功能层的MEMS晶片（3）以及在所述第一微机械 （5）形成的功能层（3）第二微机械的功能层。 在第一和第二微机械的功能层（3; 5）中的一个是膜部分（16; 16; 16A“）形成为可偏转的第1压力检测电极，其通过通孔（12; 12”; 12A“）在MEMS晶片（1 ）可以在与压力被作用。 （11 '; 11 “; 11”'; 11 “”; 11; 111），在所述第一和第二微机械的功能层（3 5）的是隔膜部相对地间隔开固定的第二压力检测电极（16; 16A; 16“） 形成。 第二微机械功能层（5）经由接合连接而连接（7; 7，图7A，图7，图7b）被连接到再布线装置（25A），使得所述固定的第二压力检测电极（11“; 11‘; 11’”; 11“ “; 11A; 111）中的腔（9; 9A）也包括在内。

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