公开(公告)号：WO2013027354A1

公开(公告)日：2013-02-28

申请号：PCT/JP2012/005039

申请日：2012-08-08

Applicant: パナソニック株式会社 ,  南尾 匡紀 ,  笹岡 達雄

Inventor： 南尾　匡紀 ,  笹岡　達雄

IPC: B23K20/00 ,  H01L23/50 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L21/4842 ,  B23K20/023 ,  B23K20/16 ,  B23K20/227 ,  B23K20/233 ,  B23K35/002 ,  B23K35/004 ,  B23K35/007 ,  B23K2201/18 ,  B23K2201/42 ,  B23K2203/04 ,  B23K2203/10 ,  B23K2203/12 ,  H01L21/4825 ,  H01L21/4835 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/495 ,  H01L23/49537 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 　まず、第１金属板（１０１）における接合部形成領域の上に、酸化膜除去剤を含む水溶液（１０３）を配する。続いて、水溶液（１０３）が配置された状態で、第１金属板（１０１）の上に、第２金属板（１０２）を載置する。その後、第１金属板（１０１）と第２金属板（１０２）との互いの接合部形成領域に、上下方向から荷重を印加することにより、第１金属板（１０１）と第２金属板（１０２）とを互いに接合して接合部（１１０）を形成して、接合体を製造する。

Abstract translation: 首先，将含有氧化膜去除剂的水溶液（103）设置在第一金属板（101）的接合部形成区域上。 然后，在配置有水溶液（103）的状态下，在第一金属板（101）上设置第二金属板（102）。 然后，通过从上下方向施加负载使第一金属板（101）和第二金属板（102）彼此接合，形成接合部（110），使第一金属 板（101）和第二金属板（102），并且制造粘合体。

公开(公告)号：WO2012077305A1

公开(公告)日：2012-06-14

申请号：PCT/JP2011/006709

申请日：2011-11-30

Applicant: パナソニック株式会社 ,  南尾 匡紀 ,  田中 淳也 ,  伊村 領太郎

Inventor： 南尾　匡紀 ,  田中　淳也 ,  伊村　領太郎

IPC: H01L23/48 ,  B21D39/03 ,  H01L23/50

CPC classification number: B21D39/032 ,  H01L23/49537 ,  H01L23/49551 ,  H01L23/49568 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 　導電路は、第１金属から構成され、貫通孔（１３）を有する第１導電路形成板（１１）と、第２金属から構成され、貫通孔に圧入された圧入部（１７）を有する第２導電路形成板（１５）とを含む。貫通孔の壁面と圧入部の側面とは、第１導電路形成板と第２導電路形成板との互いの重ね合わせ面の法線に対して傾斜した傾斜接合面（１８）を形成し、該傾斜接合面の近傍領域には、金属流動による接合部（２５）が形成されている。

Abstract translation: 导电路径包括：由第一金属构成并具有通孔（13）的第一导电路径形成板（11）; 以及第二导电路径形成板（15），其由第二金属构成并且具有插入到所述通孔中的凹陷（17）。 通孔的壁面和凹部的侧面形成倾斜接合面（18），该倾斜接合面朝向第一导电路径形成板（11）和第二导电路径形成板（11）的表面的法线倾斜 15）重叠。 接合部（25）由倾斜接合面附近的区域上的金属流形成。

公开(公告)号：WO2012053205A1

公开(公告)日：2012-04-26

申请号：PCT/JP2011/005865

申请日：2011-10-20

Applicant: パナソニック株式会社 ,  南尾 匡紀 ,  田中 淳也 ,  井島 新一

Inventor： 南尾　匡紀 ,  田中　淳也 ,  井島　新一

IPC: H01L23/50 ,  H01L23/48 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L23/49537 ,  B29C45/14221 ,  B29C45/14655 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/367 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/66 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 半導体装置を小型化した場合であっても、高信頼性である半導体装置を提供することを目的とする。　樹脂製の外装体（４）と、第１中継リード（１ｂ）とパワー素子（Ｔ１）が搭載された第１ダイパット部（１ｃ）と外装体（４）から端部が突出した第１外部接続リード（１ａ１）とを有する第１リードフレーム（１）と、第２中継リード（２ｂ）と制御素子（Ｔ２）が搭載された第２ダイパット部（２ｃ）と外装体（４）から端部が突出した第２外部接続リード（２ａ）とを有する第２リードフレーム（２）と、を有し、第１ダイパット部（１ｃ）と第２ダイパット部（２ｃ）、または、第１外部接続リード（１ａ）と第２中継リード（２ｂ）とが互いに接合部で接続され、第１中継リード（１ｂ）との接合部から延びる第２中継リード（２ｂ）の端部と、第２ダイパット部（２ｃ）の吊りリード（２ｅ）の端部との少なくとも一方が、外装体（４）の内部に位置する。

Abstract translation: 本发明的目的是提供即使半导体器件小型化也是高可靠性的半导体器件。 半导体器件具有：树脂外壳（4）; 具有第一继电器引线（1b）的第一引线框架（1），安装有功率元件（T1）的第一管芯焊盘（1c），以及从壳体突出的一端的第一外部连接引线（1a1） 4）; 以及具有第二继电器引线（2b）的第二引线框架（2），具有安装在其上的控制元件（T2）的第二管芯焊盘（2c），以及第二外部连接引线（2a），其一端从所述壳体 （4）。 在第一管芯焊盘部分（1c）和第二管芯部分（2c）之间或第一外部连接引线（1a）和第二继电器引线（2b）之间的连接形成在连接处。 从第一中继部分（1b）的连接处延伸的第二继电器引线（2b）的端部和/或第二管芯焊盘（2c）的悬挂引线（2e）的端部被定位 （4）内。

公开(公告)号：WO2011155165A1

公开(公告)日：2011-12-15

申请号：PCT/JP2011/003135

申请日：2011-06-03

Applicant: パナソニック株式会社 ,  南尾 匡紀 ,  井島 新一

Inventor： 南尾　匡紀 ,  井島　新一

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/50 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L23/49537 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 　樹脂封止型半導体装置は、パワー素子（１）及び制御素子（４）と、パワー素子（１）を保持する第１ダイパッド部（３Ａ）を含む第１リードフレーム（３）と、制御素子（４）を保持する第２ダイパッド部（５Ａ）を含む第２リードフレーム（５）と、パワー素子、第１ダイパッド部、第２素子及び第２ダイパッド部を封止する樹脂材からなる外装体（６）とを有している。第２ダイパッド部の下面は、パワー素子の上面よりも高く配置され、第１ダイパッド部の少なくとも一部と第２ダイパッド部の少なくとも一部とは、平面視で互いに重なっている。複数の第１リードのうちの１つのリードと、複数の第２リードのうちの１つのリードとは、外装体の内部で直接に接合された接合部（２３）により、互いに電気的に接続されている。

Abstract translation: 公开了具有：功率元件（1）和控制元件（4）的树脂密封半导体器件; 第一引线框架（3），其包括保持所述功率元件（1）的第一管芯焊盘部分（3A）; 第二引线框架（5），其包括保持所述控制元件（4）的第二管芯焊盘部分（5A）; 以及外壳体（6），其由密封功率元件的树脂材料，第一管芯焊盘部分，第二元件和第二管芯焊盘部分组成。 第二管芯焊盘部分的下表面设置成高于功率元件的上表面，并且第一管芯焊盘部分的至少一部分和第二管芯焊盘部分的至少一部分在平面图中彼此重叠。 多个第一引线中的一个和多个第二引线中的一个通过直接接合在外壳体内部的连接部分（23）彼此内部彼此电连接。

公开(公告)号：WO2012137439A1

公开(公告)日：2012-10-11

申请号：PCT/JP2012/002089

申请日：2012-03-26

Applicant: パナソニック株式会社 ,  南尾 匡紀 ,  笹岡 達雄

Inventor： 南尾　匡紀 ,  笹岡　達雄

IPC: H01L23/36 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L23/49558 ,  H01L21/565 ,  H01L21/566 ,  H01L23/29 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/49537 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49568 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/49586 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 　封止型半導体装置は、第１導電路形成板（１）と、第１導電路形成板に接合された第２導電路形成板（５）と、第１導電路形成板に接着されたパワー素子（１２）と、第１導電路形成板に絶縁性放熱シート（１３）を介して保持された放熱板（１４）と、第１導電路形成板及び第２導電路形成板を封止する封止樹脂体（９）とを備えている。第１導電路形成板の絶縁性放熱シートと接する領域には貫通孔（３）又はリードの隙間（１ｂ）が形成されている。貫通孔又はリードの隙間に絶縁性放熱シートが圧入されている。

Abstract translation: 这种封装的半导体器件设置有第一导电路径形成板（1），接合到第一导电路径形成板的第二导电路径形成板（5），与第一导电路径 由第一导电路径形成板保持在其间的绝热散热片（13）的散热板（14）和封装树脂（9），封装树脂（9）封装在第一导电路径形成板和第二导电层 路径形成板。 在与绝缘散热片接触的第一导电路径形成板的区域中形成有通孔（3）或引线间隙（1b）。 隔热散热片被压配合到通孔或引导间隙中。

公开(公告)号：WO2012111254A1

公开(公告)日：2012-08-23

申请号：PCT/JP2012/000313

申请日：2012-01-19

Applicant: パナソニック株式会社 ,  南尾 匡紀

Inventor： 南尾　匡紀

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/28 ,  H01L23/50 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L21/565 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/49537 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00012

Abstract: 　半導体装置は、切り欠き部（５ａ）が形成されたリード（５）と、ダイパッド部（１１）と、ダイパッド部（１１）に保持されたパワー素子（１）と、パワー素子（１）を含むダイパッド部（１１）及びリード（５）の内側の端部を封止する樹脂材から構成される外装体（６）とを有している。切り欠き部（５ａ）は、リード（５）における外装体（６）との境界部分を含む領域に配置されると共に樹脂材が充填されている。

Abstract translation: 一种半导体器件，包括其中形成有切口部分（5a）的引线（5），芯片焊盘部分（11），保持在芯片焊盘部分（11）上的功率元件（1）和外部主体（6） 由能够密封包括功率元件（1）的芯片焊盘（11）的内部边缘和引线（5）的内部边缘的树脂组成。 切口部（5a）配置在引线（5）的包含引线（5）与外部主体（6）之间的界面的区域中，填充有树脂材料。

公开(公告)号：WO2012023236A1

公开(公告)日：2012-02-23

申请号：PCT/JP2011/004126

申请日：2011-07-21

Applicant: パナソニック株式会社 ,  南尾 匡紀 ,  笹岡 達雄

Inventor： 南尾　匡紀 ,  笹岡　達雄

IPC: H01L23/34 ,  H01L23/28

CPC classification number: H01L23/3107 ,  H01L21/4878 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/49503 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01033

Abstract: 　本発明に係る半導体装置は、貫通孔（１５）を有する板部材（１３）と、貫通孔に絶縁性部材（１７）を介して固定され、板部材の上面から突出する突出部を含む金属柱（１６）と、突出部に固定された半導体素子（１２）と、半導体素子と電気的に接続されたリードフレーム（１１）と、半導体素子を覆うと共に、板部材、金属柱及びリードフレームの少なくとも一部を覆う外装体（１４）とを備えている。板部材の下面（１３ｂ）は、外装体から露出したことを特徴とする。

Abstract translation: 该半导体装置包括：具有通孔（15）的板构件（13）。 金属柱（16），其经由绝缘构件（17）固定到所述通孔，并且包括从所述板构件的上表面突出的突出部分; 固定到突出部分的半导体元件（12）; 引线框架（11），其电连接到所述半导体元件; 以及覆盖半导体元件的外壳（14），同时至少部分地覆盖板构件，金属柱和引线框架。 该半导体器件的特征在于，板构件的下表面（13b）从外壳露出。