公开(公告)号：WO2017013796A1

公开(公告)日：2017-01-26

申请号：PCT/JP2015/071002

申请日：2015-07-23

Applicant: 日鉄住金マイクロメタル株式会社 ,  新日鉄住金マテリアルズ株式会社

Inventor： 山田　隆 ,  小田　大造 ,  大石　良 ,  宇野　智裕

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/45 ,  B23K35/0227 ,  B23K35/302 ,  B23K2201/40 ,  C22C5/04 ,  C22C9/00 ,  C22C9/04 ,  C22C9/06 ,  H01L23/49582 ,  H01L24/05 ,  H01L24/43 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/43 ,  H01L2224/43125 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/43825 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/43986 ,  H01L2224/45 ,  H01L2224/45005 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45155 ,  H01L2224/45164 ,  H01L2224/45169 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/45847 ,  H01L2224/45944 ,  H01L2224/45964 ,  H01L2224/4801 ,  H01L2224/48011 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48507 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48864 ,  H01L2224/78 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/85045 ,  H01L2224/85075 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15738 ,  H01L2924/15763 ,  H01L2924/35121 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01202 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/20654 ,  H01L2924/20655 ,  H01L2924/20656 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01083

Abstract: Ｃｕ合金芯材の表面にＰｄを主成分とする被覆層と、該被覆層の表面にＡｕとＰｄを含む表皮合金層を有する半導体装置用ボンディングワイヤであって、Ｐｄめっきリードフレームでの２ｎｄ接合性をさらに改善するとともに、高湿加熱条件においても優れたボール接合性を実現することのできるボンディングワイヤを提供する。　Ｃｕ合金芯材の表面にＰｄを主成分とする被覆層と、該被覆層の表面にＡｕとＰｄを含む表皮合金層を有する半導体装置用ボンディングワイヤにおいて、ワイヤ最表面Ｃｕ濃度を１～１０ａｔ％とし、芯材中にＰｄ、Ｐｔの一方又は両方を総計で０．１～３．０質量％の範囲で含有することにより、２ｎｄ接合性の改善と、高湿加熱条件における優れたボール接合性を実現することができる。さらに、表皮合金層のＡｕの最大濃度が１５ａｔ％～７５ａｔ％であると好ましい。

Abstract translation: 提供一种用于半导体器件的接合线，所述接合线包括在Cu合金芯的表面上主要由Pd组成的涂层和在涂层的表面上含有Au和Pd的覆盖合金层，其中第二接合 Pd镀层引线框架的性能进一步提高，即使在高湿度和高温条件下也能实现优异的球接合性能。 在用于半导体器件的接合线中，所述接合线包括在Cu合金芯的表面上主要由Pd构成的涂层和在涂层的表面上含有Au和Pd的覆盖合金层，Cu的浓度 在金属丝的最外表面上设置为1-10at％，并且核心总共包含Pd和/或Pt的0.1-3.0质量％，从而提高第二接合性能并且能够实现优异的球接合性能 在高湿度和高温条件下。 此外，覆盖合金层中的Au的最大浓度优选为15〜75原子％。

公开(公告)号：WO2016204138A1

公开(公告)日：2016-12-22

申请号：PCT/JP2016/067624

申请日：2016-06-14

Applicant: 日鉄住金マイクロメタル株式会社 ,  新日鉄住金マテリアルズ株式会社

Inventor： 山田　隆 ,  小田　大造 ,  榛原　照男 ,  大石　良 ,  齋藤　和之 ,  宇野　智裕

IPC: H01L21/60

CPC classification number: B23K35/0227 ,  B23K35/3013 ,  B23K35/302 ,  B23K2201/40 ,  C22C5/04 ,  C22C9/00 ,  C22C9/04 ,  C22C9/06 ,  H01L24/05 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/43 ,  H01L2224/4312 ,  H01L2224/43125 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/4382 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/43986 ,  H01L2224/45 ,  H01L2224/45005 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45105 ,  H01L2224/45109 ,  H01L2224/45111 ,  H01L2224/45113 ,  H01L2224/45118 ,  H01L2224/4512 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45155 ,  H01L2224/45169 ,  H01L2224/45173 ,  H01L2224/45178 ,  H01L2224/45541 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4845 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/78 ,  H01L2224/78251 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/85065 ,  H01L2224/85075 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01034 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/0705 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/186 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01202 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/01001 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01013

Abstract: Ｃｕ合金芯材と、前記Ｃｕ合金芯材の表面に形成されたＰｄ被覆層とを有する半導体装置用ボンディングワイヤにおいて、前記ボンディングワイヤが高温環境下における接続信頼性を付与する元素を含み、下記（１）式で定義する耐力比が１．１～１．６であることを特徴とする。　耐力比＝最大耐力／０．２％耐力　（１）

Abstract translation: 提供一种用于半导体器件的接合线，所述接合线具有形成在Cu合金芯的表面上的Cu合金芯和Pd涂层，其特征在于包括在高温环境中赋予连接可靠性的元件 ，其中由式（1）定义的证明应力比为1.1-1.6。 （1）证明应力比=最大应力/ 0.2％屈服应力。

公开(公告)号：WO2016122776A1

公开(公告)日：2016-08-04

申请号：PCT/US2015/064521

申请日：2015-12-08

Applicant: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC

Inventor： SEDDON, Michael J. ,  CARNEY, Francis J.

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/482 ,  H01L23/485 ,  H01L21/78 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L24/32 ,  H01L21/4825 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L23/482 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/27 ,  H01L24/28 ,  H01L24/29 ,  H01L24/30 ,  H01L24/31 ,  H01L24/33 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/03416 ,  H01L2224/03418 ,  H01L2224/03444 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/0348 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05075 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2224/13171 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16503 ,  H01L2224/16507 ,  H01L2224/17106 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29083 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/29166 ,  H01L2224/29171 ,  H01L2224/29565 ,  H01L2224/29582 ,  H01L2224/29655 ,  H01L2224/29666 ,  H01L2224/3003 ,  H01L2224/30505 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32503 ,  H01L2224/81439 ,  H01L2224/8181 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/81825 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/8381 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2224/8481 ,  H01L2224/8581 ,  H01L2224/8681 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/10162 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/27 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/20642 ,  H01L2224/48

Abstract: Methods of forming a semiconductor package (2, 12) are provided. Implementations include forming on a die backside (16) an intermediate metal layer (26) having multiple sublayers (40-46), each including a metal selected from the group consisting of titanium, nickel, copper, silver, and combinations thereof. A tin layer (48) is deposited onto the intermediate metal layer (26) and is then reflowed with a silver layer (52) of a substrate (50) to form an intermetallic layer (56) having a melting temperature above 260 degrees Celsius and including an intermetallic consisting of silver and tin and/or an intermetallic consisting of copper and tin. Another method of forming a semiconductor package includes forming a bump (22) on each of a plurality of exposed pads (20) of a top side (18) of a die (14), each exposed pad (20) surrounded by a passivation layer (24), each bump (22) including an intermediate metal layer (36) as described above and a tin layer (48) coupled to the intermediate metal layer (36), the tin layer (48) being then reflowed with a silver layer (52) of a substrate (50) to form an intermetallic layer (64), as described above.

Abstract translation: 提供形成半导体封装（2,12）的方法。 实施方案包括在模具背面（16）上形成具有多个子层（40-46）的中间金属层（26），每个子层包括选自钛，镍，铜，银及其组合的金属。 将锡层（48）沉积在中间金属层（26）上，然后用衬底（50）的银层（52）回流以形成熔点高于260摄氏度的金属间层（56），并且 包括由银和锡组成的金属间化合物和/或由铜和锡组成的金属间化合物。 形成半导体封装的另一种方法包括在裸片（14）的顶侧（18）的多个裸露焊盘（20）的每一个上形成凸块（22），每个裸露焊盘（20）被钝化层包围 （24）中，每个凸起（22）包括如上所述的中间金属层（36）和耦合到中间金属层（36）的锡层（48），然后锡层（48）用银层 （52），以形成金属间层（64），如上所述。

公开(公告)号：WO2016062464A1

公开(公告)日：2016-04-28

申请号：PCT/EP2015/071356

申请日：2015-09-17

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PLÖSSL, Andreas

IPC: H01L23/00 ,  H01L33/40 ,  H01L33/62

CPC classification number: H01L24/29 ,  H01L23/15 ,  H01L23/49866 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L33/40 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/05673 ,  H01L2224/05678 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1141 ,  H01L2224/11436 ,  H01L2224/13294 ,  H01L2224/13339 ,  H01L2224/13347 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/27334 ,  H01L2224/2741 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/29083 ,  H01L2224/29084 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/29166 ,  H01L2224/29169 ,  H01L2224/29171 ,  H01L2224/29173 ,  H01L2224/29178 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32503 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81201 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81205 ,  H01L2224/81207 ,  H01L2224/81208 ,  H01L2224/81469 ,  H01L2224/81473 ,  H01L2224/81478 ,  H01L2224/8184 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83205 ,  H01L2224/83207 ,  H01L2224/83208 ,  H01L2224/83359 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83469 ,  H01L2224/83473 ,  H01L2224/83478 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/10349 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/13014 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2924/15724 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2924/00012

Abstract: Es wird eine elektronische Vorrichtung angegeben mit einem ersten Bauteil (1) und einem zweiten Bauteil (2), die mit einer Sinterschicht (3) mit einem ersten Metall miteinander verbunden sind, wobei zumindest eines der Bauteile (1, 2) zumindest eine Kontaktschicht (4, 4') aufweist, die in unmittelbarem Kontakt mit der Sinterschicht (3) angeordnet ist, die ein zweites, vom ersten Metall unterschiedliches Metall aufweist und die frei von Gold ist. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Vorrichtung angegeben.

Abstract translation: 设置有第一部件（1）和被连接到（3）具有与每个其他的第一金属的烧结层中的第二组分（2）中，组分的，其中至少一个（1，2）至少（接触层的电子器件 4，4“），其被布置成与具有第二，从所述第一金属和金属是游离的金不同的烧结层（3）直接接触。 此外，提供了一种制造电子器件的方法。

公开(公告)号：WO2015198839A1

公开(公告)日：2015-12-30

申请号：PCT/JP2015/066351

申请日：2015-06-05

Applicant: ソニー株式会社

Inventor： 村井　誠 ,  高岡　裕二 ,  佐藤　和樹 ,  山田　宏行

IPC: H01L23/12 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/16 ,  H01L21/563 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/12 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L25/03 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05173 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/10175 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/1181 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/119 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/14131 ,  H01L2224/14133 ,  H01L2224/14136 ,  H01L2224/16013 ,  H01L2224/16055 ,  H01L2224/16057 ,  H01L2224/16058 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/16503 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29387 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48106 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/81012 ,  H01L2224/81065 ,  H01L2224/81075 ,  H01L2224/8112 ,  H01L2224/81121 ,  H01L2224/81143 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81201 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81204 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/81385 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/81893 ,  H01L2224/81906 ,  H01L2224/81907 ,  H01L2224/8191 ,  H01L2224/81935 ,  H01L2224/81986 ,  H01L2224/831 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83204 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/0652 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2225/06586 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15151 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/3841 ,  H05K1/111 ,  H05K3/3436 ,  H05K3/3452 ,  H05K2201/09227 ,  H05K2201/09663 ,  H05K2201/0979 ,  H05K2201/0989 ,  H05K2201/10674 ,  Y02P70/611 ,  Y02P70/613 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2224/814 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2221/68304 ,  H01L21/304 ,  H01L2221/68381 ,  H01L21/78 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/11

Abstract: 　半導体チップは、チップ本体と、チップ本体の素子形成面に設けられたはんだを含む複数の電極とを有する。パッケージ基板は、基板本体と、基板本体の表面に設けられた複数の配線およびソルダレジスト層とを有する。はんだを含む複数の電極は、第１の電位を供給する複数の第１電極と、第１の電位とは異なる第２の電位を供給する複数の第２電極とを含む。複数の第１電極および複数の第２電極は、チップ本体の中央部に、行方向および列方向の両方に交互に配置されている。複数の配線は、複数の第１電極を相互に接続する複数の第１配線と、複数の第２電極を相互に接続する複数の第２配線とを含む。

Abstract translation: 本发明的半导体芯片包括主芯片体和设置在所述主芯片体的元件形成表面上的多个焊料包含电极。 封装基板包括：主基板主体; 以及设置在所述主基板主体的表面上的多根导线和阻焊层。 多个含焊料的电极包括提供第一电位的多个第一电极和提供不同于第一电位的第二电位的多个第二电极。 多个第一电极和多个第二电极在主芯片体的中间沿行方向和列方向交替布置。 上述多根线包括将多个第一电极彼此连接的多条第一线和将多个第二电极彼此连接的多条第二线。

公开(公告)号：WO2015091232A1

公开(公告)日：2015-06-25

申请号：PCT/EP2014/077482

申请日：2014-12-12

Applicant: ATOTECH DEUTSCHLAND GMBH

Inventor： ÖZKÖK, Mustafa ,  RAMOS, Gustavo

IPC: H05K3/24 ,  H01L23/00

CPC classification number: H05K3/244 ,  C23C18/1651 ,  C23C18/1837 ,  C23C18/44 ,  C23C18/54 ,  H01L23/498 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/45669 ,  H01L2224/45673 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48864 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85395 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H05K2203/049 ,  H05K2203/072 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/20756 ,  H01L2924/20757 ,  H01L2924/20758 ,  H01L2924/20759 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01201 ,  H01L2924/01202 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/013 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01049

Abstract: The present invention relates to a method of bonding a silver based wire to a substrate, particularly a printed circuit board and an IC-substrate, possessing a layer assembly comprising a copper bonding portion and a palladium or palladium alloy layer and a substrate having a silver wire bonded to aforementioned layer assembly.

Abstract translation: 本发明涉及一种将银基线焊接到具有包括铜结合部分和钯或钯合金层的层组件的基板，特别是印刷电路板和IC基板的方法，以及具有银 引线键合到上述层组件。

公开(公告)号：WO2014137288A1

公开(公告)日：2014-09-12

申请号：PCT/SG2014/000066

申请日：2014-02-19

Applicant: HERAEUS MATERIALS SINGAPORE PTE.LTD.

Inventor： CHEW, Yeong Huey ,  SARANGAPANI, Murali ,  MILKE, Eugen

IPC: H01L23/49 ,  C22C9/00 ,  H01L21/60

CPC classification number: C22C9/00 ,  C22C5/04 ,  H01L24/05 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/4312 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/4382 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/43985 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/85099 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/01201 ,  H01L2924/2075 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/20756 ,  H01L2924/20757 ,  H01L2924/20758 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/20303 ,  H01L2924/20304 ,  H01L2924/20305 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/01202 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01034

Abstract: The invention is related to a bonding wire, comprising a core (2) with a surface, wherein the core (2) comprises copper as a main component, and a coating layer (3) superimposed over the surface of the core (2), wherein the coating layer (3) comprises palladium as a main component, wherein the core (2) comprises at least 5 wt. ppm silver and at least 20 wt. ppm phosphorus as further components, wherein the wire meets the relation 0.000025

Abstract translation: 本发明涉及一种接合线，其包括具有表面的芯（2），其中所述芯（2）包括铜作为主要成分，以及叠层在所述芯（2）的表面上的涂层（3） 其中所述涂层（3）包含钯作为主要组分，其中所述芯（2）包含至少5重量％ ppm银和至少20wt。 ppm磷作为其他组分，其中线满足关系0.000025

公开(公告)号：WO2014137287A1

公开(公告)日：2014-09-12

申请号：PCT/SG2014/000065

申请日：2014-02-19

Applicant: HERAEUS MATERIALS SINGAPORE PTE. LTD.

Inventor： CHEW, Yeong, Huey ,  SARANGAPANI, Murali ,  MILKE, Eugen

IPC: H01L23/49 ,  C22C9/00 ,  H01L21/60

CPC classification number: C22C9/00 ,  B23K35/0261 ,  B23K35/0266 ,  B23K35/302 ,  B23K35/322 ,  B32B15/018 ,  C22C1/02 ,  H01L24/05 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/4312 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/4382 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/43985 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/85099 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/01201 ,  H01L2924/2075 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/20756 ,  H01L2924/20757 ,  H01L2924/20758 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/20303 ,  H01L2924/20304 ,  H01L2924/20305 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/01202 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01033

Abstract: The invention is related to a bonding wire, comprising a core (2) with a surface, wherein the core (2) comprises copper as a main component, and a coating layer (3) superimposed over the surface of the core (2), wherein the coating layer (3) comprises palladium as a main component, wherein the core (2) comprises silver and phosphorus as further components, wherein the core comprises silver and phosphorus as further components, wherein the ratio between the silver content and the phosphorus content of the core is in the range of 0.03 to 2.

Abstract translation: 本发明涉及一种接合线，包括具有表面的芯（2），其中芯（2）包括铜作为主要成分，以及叠层在芯（2）的表面上的涂层（3） 其中所述涂层（3）包括钯作为主要成分，其中所述芯（2）包含银和磷作为其它组分，其中所述芯包含银和磷作为其它组分，其中所述银含量与所述磷含量之比 的核心在0.03到2的范围内。

公开(公告)号：WO2014107040A1

公开(公告)日：2014-07-10

申请号：PCT/KR2014/000038

申请日：2014-01-03

Applicant: 엠케이전자 주식회사

Inventor： 홍성재 ,  허영일 ,  김재선 ,  이종철 ,  문정탁

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/45 ,  B23K20/004 ,  B23K35/0227 ,  B23K35/3006 ,  B23K2201/42 ,  B23K2203/08 ,  C22C5/06 ,  C22F1/14 ,  H01L24/43 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2224/48479 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01005

Abstract: 본 발명은 은(Ag) 합금 본딩 와이어에 관한 것으로서, 더욱 구체적으로는 은(Ag)을 주성분으로 하는 은 합금 본딩 와이어로서 팔라듐(Pd) 0.5 내지 4 중량% 및 금(Au) 2 내지 8 중량% 포함하고, 상기 본딩 와이어의 길이 방향에 대한 수직 단면에 대하여 중심부의 평균 결정립 크기(b)에 대한 외측부의 평균 결정립 크기(a)의 비율(a/b)이 0.3 내지 3인 것을 특징으로 하는 은 합금 본딩 와이어에 관한 것이다. 본 발명의 본딩 와이어를 이용하면 열충격 강도에 강하고 SOB 접합성이 우수하며 질소 분위기에서도 우수한 본딩 특성이 얻어질 수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及银（Ag）合金接合线，更具体地说，涉及以银为主要成分的银合金接合线，其包含0.5-4重量％的钯（Pd）和2-8重量％的钯 金（Au）的重量，其特征在于，当接合线垂直于长度方向切割时，横截面外部的平均粒径（a）与该截面的平均粒径（a）的比（a / b） （b）的中心部分为0.3〜3。本发明的接合线具有耐热冲击性高，SOB粘结优异，氮气氛良好的特性。

公开(公告)号：WO2014032228A1

公开(公告)日：2014-03-06

申请号：PCT/CN2012/080668

申请日：2012-08-28

Applicant: SANDISK SEMICONDUCTOR (SHANGHAI) CO., LTD. ,  WANG, Li ,  ZHU, Wenqiang ,  NIAN, Peter ,  PIADUCHE, Robertito ,  ARMENTANO, Aj ,  ZHANG, Jianjian

Inventor： WANG, Li ,  ZHU, Wenqiang ,  NIAN, Peter ,  PIADUCHE, Robertito ,  ARMENTANO, Aj ,  ZHANG, Jianjian

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60 ,  H01L23/488 ,  H01L23/50

CPC classification number: H01L24/06 ,  H01L23/50 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/78 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06179 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/4813 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48482 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/85048 ,  H01L2224/85051 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00015

Abstract: A semiconductor device and a method of fabricating the semiconductor device are provided by the implementation of the present invention. The semiconductor device comprises: a substrate, a semiconductor die disposed above the substrate, and a bonding member. The substrate further comprises a bonding finger. The semiconductor die further comprises a first and an adjacent second bonding pads. The bonding member further comprises a single bonding wire having a ball disposed on a first end that electrically connects the first bonding pad and the second bonding pad and an opposite second end bonded directly on the bonding finger.

Abstract translation: 通过实施本发明提供半导体器件和制造半导体器件的方法。 半导体器件包括：衬底，设置在衬底上方的半导体管芯，以及接合构件。 基板还包括粘结指状物。 半导体管芯还包括第一和第二相邻的第二接合焊盘。 接合构件还包括单个接合线，其具有设置在电连接第一接合焊盘和第二接合焊盘的第一端上的球，以及直接接合在接合指状物上的相对的第二端。