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    PLASMA THERMAL SHIELD FOR HEAT DISSIPATION IN PLASMA CHAMBER
    1.
    发明申请
    PLASMA THERMAL SHIELD FOR HEAT DISSIPATION IN PLASMA CHAMBER 审中-公开
    等离子体散热器的等离子体热屏蔽

    公开(公告)号：WO2015094863A1

    公开(公告)日：2015-06-25

    申请号：PCT/US2014/069600

    申请日：2014-12-10

    Applicant: APPLIED MATERIALS, INC.

    Inventor： OUYE, Alan Hiroshi

    IPC: H05H1/24 ,  H05H1/34

    CPC classification number: H01J37/32798 ,  H01J37/32477 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32642 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68377

    Abstract: Methods of and apparatuses for dicing semiconductor wafers, each wafer having a plurality of integrated circuits, are described. In an example, a plasma thermal shield for a plasma processing chamber includes an annular ring body having an inner opening. A plasma-facing surface of the annular ring body has a general topography. A bottom surface of the annular ring body reciprocates the general topography with recessed regions disposed therein, providing one or more protruding regions at the bottom surface of the annular ring body.

    Abstract translation: 对具有多个集成电路的各晶片的切割半导体晶片的方法和装置进行说明。 在一个示例中，用于等离子体处理室的等离子体热屏蔽罩包括具有内部开口的环形环体。 环形圈体的等离子体表面具有一般的形貌。 环形圈体的底面使一般形状与设置在其中的凹陷区域往复运动，在环形圈体的底表面处提供一个或多个突出区域。

    METHODS AND APPARATUS FOR PROCESSING A SUBSTRATE USING A SELECTIVELY GROUNDED AND MOVABLE PROCESS KIT RING
    2.
    发明申请
    METHODS AND APPARATUS FOR PROCESSING A SUBSTRATE USING A SELECTIVELY GROUNDED AND MOVABLE PROCESS KIT RING 审中-公开
    使用选择性接地和可移动工艺套件环处理衬底的方法和装置

    公开(公告)号：WO2014159222A1

    公开(公告)日：2014-10-02

    申请号：PCT/US2014/022593

    申请日：2014-03-10

    Applicant: APPLIED MATERIALS, INC.

    Inventor： RASHEED, Muhammad ,  SAVANDAIAH, Kirankumar ,  JOHANSON, William ,  GE, Zhenbin ,  YOSHIDOME, Goichi ,  RITCHIE, Alan A.

    IPC: H01L21/02

    CPC classification number: H01L21/68735 ,  C23C16/045 ,  C23C16/4585 ,  H01J37/32642

    Abstract: Embodiments of methods and apparatus for processing a substrate are provided herein. In some embodiments, a process kit for a substrate process chamber may include a ring having a body and a lip extending radially inward from the body, wherein the body has a first annular channel formed in a bottom of the body; an annular conductive shield having a lower inwardly extending ledge that terminates in an upwardly extending portion configured to interface with the first annular channel of the ring; and a conductive member electrically coupling the ring to the conductive shield when the ring is disposed on the conductive shield.

    Abstract translation: 本文提供了用于处理基板的方法和装置的实施例。 在一些实施例中，用于衬底处理室的处理套件可以包括具有本体和从主体径向向内延伸的唇缘的环，其中主体具有形成在主体的底部中的第一环形通道; 环形导电屏蔽件，其具有下部向内延伸的凸缘，其终止于构造成与环的第一环形通道相接合的向上延伸部分; 以及当所述环设置在所述导电屏蔽上时，所述导电构件将所述环电耦合到所述导电屏蔽层。

    THREE DIMENSIONAL METAL DEPOSITION TECHNIQUE
    3.
    发明申请
    THREE DIMENSIONAL METAL DEPOSITION TECHNIQUE 审中-公开
    三维金属沉积技术

    公开(公告)号：WO2014018707A1

    公开(公告)日：2014-01-30

    申请号：PCT/US2013/051943

    申请日：2013-07-25

    Applicant: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.

    Inventor： GODET, Ludovic ,  SARAJLIC, Adjin

    IPC: C23C14/34 ,  H01J37/32 ,  H01J37/34 ,  H01J37/08

    CPC classification number: H01J37/32422 ,  C23C14/046 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/345 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32403 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32633 ,  H01J37/32642 ,  H01J37/3414 ,  H01J37/3417 ,  H01J37/3467 ,  H01J2237/08 ,  H01J2237/31701

    Abstract: A plasma processing apparatus (200) is disclosed. The plasma processing apparatus includes a source (206) configured to generate a plasma (140) in a process chamber (202) having a plasma sheath (242) adjacent to the front surface of a workpiece (138), and a plasma sheath modifier (208). The plasma sheath modifier controls a shape of a boundary (241) between the plasma and the plasma sheath so a portion of the shape of the boundary is not parallel to a plane (151) defined by a front surface of the workpiece facing the plasma. A metal target (209) is affixed to the back surface of the plasma sheath modifier so as to be electrically insulated from the plasma sheath modifier and is electrically biased such that ions (102) exiting the plasma and passing through an aperture in the plasma sheath modifier are attracted toward the metal target. These ions cause sputtering of the metal target, allowing three dimensional metal deposition of the workpiece.

    Abstract translation: 公开了一种等离子体处理装置（200）。 等离子体处理装置包括：源（206），被配置为在具有与工件（138）的前表面相邻的等离子体鞘（242）的处理室（202）中产生等离子体（140） 208）。 等离子体护套修改器控制等离子体和等离子体护套之间的边界（241）的形状，使得边界形状的一部分不平行于由面向等离子体的工件的前表面限定的平面（151）。 金属靶（209）固定到等离子体护套改性剂的背面，以便与等离子体护套改性剂电绝缘，并被电偏置，使得离开等离子体并通过等离子体护套中的孔的离子（102） 改性剂被吸引到金属靶。 这些离子引起金属靶溅射，允许工件的三维金属沉积。

    プラズマ処理装置及びヒータの温度制御方法
    5.
    发明申请
    プラズマ処理装置及びヒータの温度制御方法 审中-公开
    等离子体加工设备和加热器温度控制方法

    公开(公告)号：WO2013105575A1

    公开(公告)日：2013-07-18

    申请号：PCT/JP2013/050195

    申请日：2013-01-09

    Applicant: 東京エレクトロン株式会社

    Inventor： 大橋　薫

    IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/31

    CPC classification number: H01L21/67248 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32183 ,  H01J37/32642 ,  H01J37/32724 ,  H01J37/32935 ,  H01J2237/2001 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/6833 ,  H01L22/26 ,  H02N13/00

    Abstract: 　高周波電力によりガスをプラズマ化し、該プラズマの作用により被処理体をプラズマ処理するプラズマ処理装置であって、減圧可能なチャンバと、チャンバ内に設けられ、被処理体を載置する載置台と、載置台に設けられ、チャック電極に電圧を印加することにより被処理体を静電吸着する静電チャックと、静電チャック内又は近傍に設けられ、円形のセンタゾーンと、その外周側に同心円状に設けられた２つ以上のミドルゾーンと、最外周に同心円状に設けられたエッジゾーンと、に分割されたヒータと、ヒータの制御温度を、前記分割されたゾーン毎に調整する温度制御部と、を備えるプラズマ処理装置が提供される。

    Abstract translation: 该等离子体处理装置利用高频电力使气体进入等离子体状态，通过等离子体的作用，对被处理物进行等离子体处理。 等离子体处理装置具有：能够减压的室; 放置台，其设置在所述室中，并且将所述被摄体放置在所述放置台上; 设置在所述放置台上的静电吸盘，并且当向所述卡盘电极施加电压时静电吸引所述被检体; 分为设置在静电卡盘或其附近的圆形中心区域的加热器，同心地设置在中心区域的外周侧上的两个以上的中间区域和同心圆的边缘区域 设在最外周; 以及温度控制单元，其通过每个分割区域来调节加热器控制温度。

    METHOD AND APPARATUS FOR MEASURING WAFER BIAS POTENTIAL
    7.
    发明申请
    METHOD AND APPARATUS FOR MEASURING WAFER BIAS POTENTIAL 审中-公开
    测量晶片偏置电位的方法和装置

    公开(公告)号：WO2011021160A3

    公开(公告)日：2011-08-11

    申请号：PCT/IB2010053735

    申请日：2010-08-18

    Applicant: LAM RES CORP ,  LAM RES AG ,  MAKHRATCHEV KONSTANTIN ,  VALCORE JOHN

    Inventor： MAKHRATCHEV KONSTANTIN ,  VALCORE JOHN

    IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  H01L21/66

    CPC classification number: H01J37/32642 ,  H01J37/32935

    Abstract: A device for use in a wafer processing chamber having a plasma forming volume and a hot edge ring. The hot edge ring has a first surface and a second surface. The first surface is in contact with the plasma forming volume. The second surface is not in contact with the plasma forming volume. The device includes a detector operable to contact the second surface of the hot edge ring. The detector can detect a parameter of the hot edge ring and can provide a detected signal based on the detected parameter.

    Abstract translation: 一种用于具有等离子体形成体积和热边缘环的晶片处理室中的装置。 热边缘环具有第一表面和第二表面。 第一表面与等离子体形成体积接触。 第二表面不与等离子体形成体积接触。 该装置包括可操作以接触热边缘环的第二表面的检测器。 检测器可以检测热边缘环的参数并且可以基于检测到的参数提供检测到的信号。

    DIRECT DRIVE ARRANGEMENT TO CONTROL CONFINEMENT RINGS POSITIONING AND METHODS THEREOF
    8.
    发明申请
    DIRECT DRIVE ARRANGEMENT TO CONTROL CONFINEMENT RINGS POSITIONING AND METHODS THEREOF 审中-公开
    直接驱动装置来控制装配环的定位及其方法

    公开(公告)号：WO2011028599A3

    公开(公告)日：2011-06-16

    申请号：PCT/US2010046788

    申请日：2010-08-26

    Applicant: LAM RES CORP ,  RASNICK JOHN W ,  EGLEY FRED D

    Inventor： RASNICK JOHN W ,  EGLEY FRED D

    IPC: H01L21/02 ,  H01L21/68 ,  H05H1/46

    CPC classification number: H01J37/32642 ,  H01J37/32623

    Abstract: A direct drive arrangement for controlling pressure volume within a confinement region of a processing chamber of a plasma processing system during substrate processing is provided. The confinement region is a chamber volume surrounded by confinement rings is provided. The arrangement includes plunger assemblies configured for changing the pressure of motor assemblies configured for vertically moving the plunger assemblies, and recording set point position values for the plunger assemblies. The arrangement further includes a set of circuits configured for driving the motor assemblies to move the plunger assemblies to change the pressure volume within the confinement region. The set of circuits is also configured for providing power to the motor assemblies. The set of circuits is further configured for receiving the set point position values from the motor assemblies.

    Abstract translation: 提供了用于在衬底处理期间控制等离子体处理系统的处理室的限制区域内的压力体积的直接驱动装置。 限制区域是由限制环包围的室容积。 该装置包括被配置为改变构造成用于垂直移动柱塞组件的马达组件的压力并记录柱塞组件的设定点位置值的柱塞组件。 该装置还包括一组电路，其被配置用于驱动马达组件以移动柱塞组件以改变约束区域内的压力体积。 该组电路还被配置为向马达组件提供动力。 该组电路还被配置为接收来自马达组件的设定点位置值。

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