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    基板処理装置および基板処理方法
    1.
    发明申请
    基板処理装置および基板処理方法 审中-公开
    基板处理装置和基板处理方法

    公开(公告)号：WO2015129623A1

    公开(公告)日：2015-09-03

    申请号：PCT/JP2015/055036

    申请日：2015-02-23

    Applicant: 株式会社SCREENホールディングス

    Inventor： 吉田　武司

    IPC: H01L21/306 ,  H01L21/02 ,  H01L21/027 ,  H01L21/304

    CPC classification number: H01L21/67017 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/67023 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/68742

    Abstract: 　基板処理装置（１）は、上部開口（２２２）を有するチャンバ本体（２２）と、下部開口（２３２）を有するチャンバ蓋部（２３）と、チャンバ蓋部（２３）の蓋内部空間（２３１）に配置される遮蔽板（５１）とを備える。遮蔽板（５１）の径方向の大きさは、下部開口（２３２）の径方向の大きさよりも大きい。チャンバ本体（２２）の上部開口（２２２）がチャンバ蓋部（２３）により覆われることにより、基板（９）が内部に収容されるチャンバ（２１）が形成される。基板処理装置（１）では、基板（９）が搬入されてチャンバ（２１）が形成されるよりも前に、遮蔽板（５１）が下部開口（２３２）に重ねられた状態で、ガス供給部（８１２）から供給されるガスがチャンバ蓋部（２３）の蓋内部空間（２３１）に充填される。これにより、チャンバ（２１）の形成後、チャンバ（２１）内に迅速にガスを充満させ、所望の低酸素雰囲気とすることができる。

    Abstract translation: 该基板处理装置（1）包括：具有顶部开口（222）的室主体（22）; 具有底部开口（232）的腔室盖（23）; 以及位于室盖（23）内部的内部空间（231）中的遮蔽板（51）。 掩模板（51）的径向尺寸大于上述底部开口（232）的径向尺寸。 室主体（22）中的顶部开口（222）被室盖（23）覆盖，从而形成容纳基板（9）的室（21）。 在该基板处理装置（1）中，在基板（9）被输送并且形成室（21）之前，室盖（23）内的内部空间（231）填充有由气体供给 单元（812），其中掩蔽板（51）放置在底部开口（232）的顶部。 结果，一旦已经形成了腔室21，则可以迅速地将所述腔室（21）填充上述气体，产生所需的低氧气氛。

    基板保持回転装置およびそれを備えた基板処理装置、ならびに基板処理方法
    3.
    发明申请
    基板保持回転装置およびそれを備えた基板処理装置、ならびに基板処理方法 审中-公开
    基板保持和旋转装置，具有该基板的基板处理装置和基板处理方法

    公开(公告)号：WO2014203587A1

    公开(公告)日：2014-12-24

    申请号：PCT/JP2014/059396

    申请日：2014-03-31

    Applicant: 大日本スクリーン製造株式会社

    Inventor： 加藤　洋

    IPC: H01L21/683 ,  H01L21/027

    CPC classification number: B08B3/02 ,  B08B3/10 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/67023 ,  H01L21/67046 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/68728 ,  H01L21/68792

    Abstract: 　基板処理装置（１）は、回転台（７）と、回転駆動機構（３）と、回転台（７）に設けられた保持ピン（１０）と、基板（Ｗ）の下面を覆うための保護ディスク（１５）と、保護ディスク（１５）を回転台（７）から浮上させる磁気浮上機構（４１）とを含む。保護ディスク（１５）は、下位置と、下位置よりも上方において基板の下面に接近した接近位置との間で上下動可能である。磁気浮上機構（４１）は、保護ディスク側永久磁石（６０）と、スプラッシュガード（４）に保持された環状のガード側永久磁石（２５）とを含む。ガード駆動機構（５）によってスプラッシュガード（４）を上昇させると、永久磁石の間の磁気反発力によって、保護ディスク（１５）を回転台（７）から浮上させて接近位置に保持できる。

    Abstract translation: 基板处理装置（1）包括旋转台（7），旋转驱动机构（3），设置在旋转台（7）上的保持销（10），保护盘（15） 一个衬底（W）和用于使保护盘（15）从旋转台（7）悬浮的磁悬浮机构（41）。 保护盘（15）可以在较低位置和较靠近底部的底部表面的较低位置和近端位置之间垂直移动。 磁悬浮机构（41）包括保护盘侧永磁体（60）和由防溅罩（4）保持的圆形防护侧永磁体（25）。 通过护罩驱动机构（5）提升防溅罩（4）可使保护盘（15）从旋转台（7）浮起，并通过永磁体之间的磁力排斥力保持在近侧位置。

    基板処理装置
    4.
    发明申请
    基板処理装置 审中-公开
    基板处理装置

    公开(公告)号：WO2014125681A1

    公开(公告)日：2014-08-21

    申请号：PCT/JP2013/079715

    申请日：2013-11-01

    Applicant: 大日本スクリーン製造株式会社

    Inventor： 石井　淳一 ,  岡本　浩一

    IPC: H01L21/304 ,  H01L21/027 ,  H01L21/306

    CPC classification number: B08B3/14 ,  B01D19/0031 ,  B01D35/02 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67023 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6708

    Abstract: 簡単な構成で、基板に付着するパーティクルの量を低減する技術を提供する。基板処理装置（１０）は、処理液をノズル（１１）から吐出して基板（９）を処理する装置である。基板処理装置（１０）は、供給配管（３０）および気泡捕捉部（Ｆ２）を備えている。供給配管（３０）の一方端は、パーティクルを除去する第１フィルター（Ｆ１）を介して、処理液を供給する処理液供給部（２０）のタンク（２１）に接続されており、供給配管（３０）の他方端は、ノズル（１１）に接続されている。気泡捕捉部（Ｆ２）は、供給配管（３０）における、第１フィルター（Ｆ１）とノズル（１１）との間の位置に介挿されており、処理液中に含まれる気泡（Ｂａ１）を捕捉する。気泡捕捉部（Ｆ２）による圧力損失（ＰＬ２）は、前記第１フィルター（Ｆ１）による圧力損失（ＰＬ１）と略同じか、それよりも小さい。

    Abstract translation: 提供了使用简单的构造减少粘附到基底上的颗粒的量的技术。 基板处理装置（10）是从喷嘴（11）排出处理液以处理基板（9）的装置。 基板处理装置（10）设置有供给管（30）和气泡捕获单元（F2）。 通过除去颗粒的第一过滤器（F1），供给管（30）的一端与供给处理液的处理液供给单元（20）的罐（21）连接，另一端 供给管（30）连接到喷嘴（11）。 气泡捕获单元（F2）插入在供给管（30）上的第一过滤器（F1）和喷嘴（11）之间的位置处，并且捕获包含在处理液体中的气泡（Ba1）。 通过气泡捕获单元（F2）的压力损失（PL2）通过第一过滤器（F1）基本上等于或小于压力损失（PL1）。

    VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUM METALLISIEREN VON WAFERN
    6.
    发明申请
    VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUM METALLISIEREN VON WAFERN 审中-公开
    装置和方法敷金属WAFERS

    公开(公告)号：WO2012079101A1

    公开(公告)日：2012-06-21

    申请号：PCT/AT2011/000492

    申请日：2011-12-12

    Applicant: HACKSTEINER, Markus

    Inventor： HACKSTEINER, Markus

    IPC: H01L21/67 ,  C25D7/12 ,  H01L21/288

    CPC classification number: C25D17/06 ,  C25D5/003 ,  C25D5/08 ,  C25D7/123 ,  C25D17/001 ,  C25D17/004 ,  C25D17/08 ,  C25D17/12 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/67023 ,  H01L21/6715

    Abstract: Eine Vorrichtung (1) zum Metallisieren von Wafern (11), insbesondere Mikrochipwafern, in einem Elektrolyt besteht aus mehreren Halteeinrichtungen (3), wobei jede Halteeinrichtung (3) einen Raum (27) für den Elektrolyt aufweist, der von den Aufnahmeräumen (27) für Elektrolyt in anderen Halteeinrichtungen (3) getrennt ist, und wobei jedem Wafer (11) ein als Kathode dienender Ring (15) und ein Anodennetz (29) als Anode zugeordnet ist.

    Abstract translation: 在多个保持装置构成的电解质的装置（1），用于晶片（11）的电镀，特别是微芯片的晶片（3），每个保持装置（3）包括用于接收空间的电解质的空间（27）（27） 被分离在其它保持装置（3）的电解质，并且其中，每个晶片（11）作为阴极服务环（15）和阳极格栅（29）被作为阳极相关联。

    METHODS AND APPARATUS FOR CLEANING SEMICONDUCTOR WAFERS
    7.
    发明申请
    METHODS AND APPARATUS FOR CLEANING SEMICONDUCTOR WAFERS 审中-公开
    清洗半导体波形的方法和装置

    公开(公告)号：WO2010066081A1

    公开(公告)日：2010-06-17

    申请号：PCT/CN2008/073471

    申请日：2008-12-12

    Applicant: ACM RESEARCH (SHANGHAI) INC. ,  WANG, Jian ,  NUCH, Sunny Voha ,  XIE, Liangzhi ,  WU, Junping ,  JIA, Zhaowei ,  HUANG, Yunwen ,  GAO, Zhifeng ,  WANG, Hui

    Inventor： WANG, Jian ,  NUCH, Sunny Voha ,  XIE, Liangzhi ,  WU, Junping ,  JIA, Zhaowei ,  HUANG, Yunwen ,  GAO, Zhifeng ,  WANG, Hui

    IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  B08B3/12 ,  B06B3/00

    CPC classification number: H01L21/67051 ,  B08B3/08 ,  B08B3/12 ,  B08B3/123 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/67023 ,  H01L21/6708

    Abstract: A method for cleaning semiconductor substrate using ultra/mega sonic device comprising holding a semi conductor substrate by using a chuck, positioning a ultra/mega sonic device adjacent to the semiconductor substrate, injecting chemical liquid on the semiconductor substrate and gap between the semiconductor substrate and the ultra/mega sonic device, changing gap between the semiconductor substrate and the ultra/mega sonic device for each rotation of the chuck during the clea ning process. The gap can be increased or reduced by 0.5λ /N for each rotation of the chuck, where λ is wavelength of ultra/mega sonic wave, N is an integer number between 2 and 1000. The gap is varied in the range of 0.5 λn during the cleaning process, where λ is wavelength of ultra/mega sonic wave, and n is an integer number starting from 1.

    Abstract translation: 一种使用超声波设备清洗半导体衬底的方法，包括：通过使用卡盘夹持半导体衬底，将超声波器件邻近半导体衬底定位，在半导体衬底上注入化学液体，将半导体衬底与半导体衬底之间的间隙 超声波超声波装置，在清洁过程中，对于卡盘的每次旋转，改变半导体衬底和超/超声波装置之间的间隙。 间隙可以增加或减少0.5？ / N为卡盘的每次旋转，其中？ 是超/兆声波的波长，N是2和1000之间的整数。在清洁过程中间隙在0.5？n的范围内变化，其中？ 是超/大声波的波长，n是从1开始的整数。

    DEVICE AND METHOD FOR HOLDING A SUBSTRATE
    9.
    发明申请
    DEVICE AND METHOD FOR HOLDING A SUBSTRATE 审中-公开
    用于保持基板的装置和方法

    公开(公告)号：WO2007062199A3

    公开(公告)日：2007-12-27

    申请号：PCT/US2006045353

    申请日：2006-11-22

    Applicant: MATERIALS AND TECHNOLOGIES COR ,  FUENTES RICARDO I

    Inventor： FUENTES RICARDO I

    IPC: H01L21/67

    CPC classification number: H01L21/68728 ,  H01L21/67023

    Abstract: A device and method for holding a substrate, e.g., a semiconductor wafer, during a process, e.g., a liquid meniscus process, the substrate having a first side and a second side. The device includes one or more holding components, e.g., fingers, configured to contact a second side of the substrate without significantly contacting the first side of the substrate. At least one of the holding components may be configured to be moved during the process so as to prevent the at least one holding components from effecting the process, e.g., contacting the liquid meniscus. Such an arrangement may be employed when the substrate includes a top side having at least one structure or feature thereon, it being desirable that the holding components avoid contact with the structures or features during the process.

    Abstract translation: 一种用于在例如液体弯液面过程的过程中保持衬底（例如半导体晶片）的装置和方法，所述衬底具有第一侧和第二侧。 该装置包括一个或多个保持部件，例如手指，构造成接触基板的第二侧而不显着接触基板的第一侧。 至少一个保持部件可被配置为在该过程期间移动，以便防止至少一个保持部件影响该过程，例如接触液体弯液面。 当衬底包括其上具有至少一个结构或特征的顶侧时，可以采用这种布置，期望保持部件避免在该过程期间与结构或特征的接触。

    METHOD AND APPARATUS FOR FLUID PROCESSING A WORKPIECE
    10.
    发明申请
    METHOD AND APPARATUS FOR FLUID PROCESSING A WORKPIECE 审中-公开
    流体加工工艺的方法和装置

    公开(公告)号：WO2005042804A2

    公开(公告)日：2005-05-12

    申请号：PCT/US2004/035163

    申请日：2004-10-22

    Applicant: NEXX SYSTEMS, INC. ,  KEIGLER, Arthur ,  LIU, ZHENQUI ,  HARRELL, John ,  WU, Qunwei

    Inventor： KEIGLER, Arthur ,  LIU, ZHENQUI ,  HARRELL, John ,  WU, Qunwei

    IPC: C25D

    CPC classification number: C25D17/001 ,  C25D5/003 ,  C25D7/123 ,  C25D17/005 ,  C25D17/06 ,  C25D21/10 ,  C25D21/12 ,  H01L21/67023 ,  H01L21/67126

    Abstract: A method and apparatus for fluid processing a workpiece are described. The system can include a process module and a system of one or more fluid processing elements to control the fluid flow and/or the electric field distribution during the fluid processing of the workpiece. A member can be used to agitate the fluid during deposition of a film (e.g., using an oscillatory motion). A plate can be used to shape an electric field incident on a surface of a workpiece. By controlling the fluid flow and the electric field distribution, improved deposition of the film on the workpiece surface can result. Furthermore, a vertical configuration and/or a modular architecture can be employed to improve throughput, increase productivity, and reduce cost.

    Abstract translation: 描述了用于流体处理工件的方法和装置。 该系统可以包括处理模块和一个或多个流体处理元件的系统，以在工件的流体处理期间控制流体流动和/或电场分布。 可以使用成员在膜的沉积期间搅拌流体（例如，使用振荡运动）。 可以使用板来形成入射在工件表面上的电场。 通过控制流体流动和电场分布，可以改善薄膜在工件表面上的沉积。 此外，可以采用垂直配置和/或模块化架构来提高吞吐量，提高生产率并降低成本。

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