公开(公告)号：WO2013027361A1

公开(公告)日：2013-02-28

申请号：PCT/JP2012/005090

申请日：2012-08-10

Applicant: 株式会社デンソー ,  竹内 有一

Inventor： 竹内　有一

IPC: H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L27/098 ,  H01L29/06 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/063 ,  H01L21/0455 ,  H01L21/0475 ,  H01L21/8213 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1058 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/8083

Abstract: 　炭化珪素半導体装置において、トレンチ（６）は、ソース領域（４）および第１ゲート領域（３）を貫通してドリフト層（２）まで達している。前記トレンチ（６）の内壁上には、エピタキシャル成長によって第１導電型のチャネル層（７）が形成される。前記チャネル層（７）の上には第２導電型の第２ゲート領域（８）が形成される。第１凹部（１３）は前記トレンチ（６）の先端部に設けられ、前記ソース領域（４）の厚みよりも深く形成されることにより、前記トレンチ（６）の先端部においてソース領域（４）が除去される。前記第１凹部（１３）のコーナ部は第２導電型層（１６）に覆われている。

Abstract translation: 在该碳化硅半导体器件中，通过穿透源极区域（4）和第一栅极区域（3），沟槽（6）到达漂移层（2）。 通过外延生长在沟槽（6）的内壁上形成第一导电类型的沟道层（7）。 在沟道层（7）上形成第二导电类型的第二栅区（8）。 所述沟槽（6）的前端部设置有形成为比所述源极区域（4）的厚度更深的第一凹部（13），使得所述源极区域（4）在前端部 的沟槽（6）。 第一凹部（13）的角部被第二导电类型的层（16）覆盖。

公开(公告)号：WO2013021636A1

公开(公告)日：2013-02-14

申请号：PCT/JP2012/005040

申请日：2012-08-08

Applicant: 株式会社デンソー ,  竹内 有一 ,  鈴木 巨裕

Inventor： 竹内　有一 ,  鈴木　巨裕

IPC: H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L27/098 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L21/265 ,  H01L21/0465 ,  H01L27/098 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/063 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1025 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66909 ,  H01L29/78 ,  H01L29/8083

Abstract: 　半導体装置は、炭化珪素半導体基板（５）と、前記半導体基板（５）のセル領域（Ｒ１）に形成されたトランジスタと、前記セル領域（Ｒ１）の外周を囲む領域（Ｒ２）に形成された耐圧構造とを有する。前記半導体基板（５）は、第１導電型基板（１）と、前記第１導電型基板（１）上の第１導電型ドリフト層（２）と、前記ドリフト層（２）上の第２導電型層（３）と、前記第２導電型層（３）上の第１導電型層（４）とを有する。前記耐圧構造は、前記セル領域（Ｒ１）の外周を囲み、前記ドリフト層（２）に達する第１凹部（１７）と、前記第１凹部（１７）の内周側の側面の位置において、前記セル領域（Ｒ１）の外周を囲むトレンチ（１３、４５）と、前記トレンチ（１３、４５）内に埋め込まれ、前記第１凹部（１７）の側面を構成する第２導電型埋込層（１５、４６）とを有する。

Abstract translation: 该半导体器件具有：碳化硅半导体衬底（5）; 形成在半导体衬底（5）的单元区域（R1）中的晶体管; 以及形成在围绕电池区域（R1）的外周的区域（R2）中的高耐压结构。 半导体衬底（5）具有：第一导电型衬底（1）; 第一导电型衬底（1）上的第一导电型漂移层（2）; 漂移层（2）上的第二导电类型层（3）; 和在第二导电型层（3）上的第一导电型层（4）。 高耐压结构具有：围绕电池区域（R1）的外周并到达漂移层（2）的第一凹部（17）; 围绕所述单元区域（R1）的外周的沟槽（13,45），所述沟槽位于所述第一凹部（17）的内周侧的侧面的位置; 以及嵌入在所述沟槽（13,45）中并构成所述第一凹部（17）的侧面的第二导电型嵌入层（15,46）。

公开(公告)号：WO2015122049A1

公开(公告)日：2015-08-20

申请号：PCT/JP2014/076721

申请日：2014-10-06

Applicant: トヨタ自動車株式会社 ,  株式会社デンソー ,  添野 明高 ,  竹内 有一 ,  副島 成雅

Inventor： 添野　明高 ,  竹内　有一 ,  副島　成雅

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/66068 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7813

Abstract: 【解決手段】　絶縁ゲート型スイッチング素子を製造する方法であって、半導体基板の表面に第２導電型不純物を注入することによってその表面に第２導電型の第２領域２７を形成する工程と、その表面上に第２領域２７よりも第２導電型不純物濃度が低い第２導電型の第３領域２６をエピタキシャル成長により形成する工程と、レンチゲート電極３４ｂを形成する工程を有する。

Abstract translation: 这种制造绝缘栅极开关元件的方法具有：通过在表面上注入第二导电型杂质，在半导体衬底的表面形成第二导电型第二区域（27）的步骤; 通过外延生长在表面上形成第二导电型第三区域（26）的步骤，所述第三区域具有比第二区域（27）低的第二导电类型杂质浓度; 以及用于形成沟槽栅电极（34b）的步骤。