公开(公告)号：WO2012041608A2

公开(公告)日：2012-04-05

申请号：PCT/EP2011/064432

申请日：2011-08-23

Applicant: TECHNISCHE UNIVERSITÄT BERLIN ,  SCHLIWA, Andrei ,  STOCK, Erik ,  BIMBERG, Dieter

Inventor： SCHLIWA, Andrei ,  STOCK, Erik ,  BIMBERG, Dieter

IPC: H01L33/02

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L33/20 ,  H01L33/30 ,  H01L33/465

Abstract: An embodiment of the invention relates to single-photon source for emitting single photons, comprising a cavity having a first mirror and a second mirror and exhibiting a longitudinal resonance frequency between the first and second mirror; at least one quantum dot arranged inside said cavity, said quantum dot being strain-dependent and configured to generate radiation at a strain-dependent radiation frequency; a device capable of exciting the quantum dot to generate radiation;a piezoelectric crystal being arranged outside the cavity and mechanically coupled to the second mirror's outer surface, said piezoelectric crystal configured to receive a control voltage and capable of applying either a laterally tensile and vertically compressive strain to both the cavity and the quantum dot, or a laterally compressive and vertically tensile strain to both the cavity and the quantum dot, depending on the control voltage's polarity;wherein, in response to said strain, the resonance frequency and the radiation frequency shift in opposite directions.

Abstract translation: 本发明的一个实施例涉及用于发射单光子的单光子源，其包括具有第一反射镜和第二反射镜并且在第一反射镜和第二反射镜之间呈现纵向谐振频率的谐振腔; 至少一个布置在所述空腔内的量子点，所述量子点是应变相关的并且被配置为以与应变相关的辐射频率产生辐射; 能够激发量子点以产生辐射的装置;压电晶体，布置在腔体外部并机械耦合到第二反射镜的外表面，所述压电晶体被配置为接收控制电压并且能够施加横向拉伸和垂直压缩 根据控制电压的极性，对腔体和量子点应变，或对腔体和量子点的横向压缩和垂直拉伸应变;其中，响应于所述应变，谐振频率和辐射频移 在相反的方向。

公开(公告)号：WO2008034420A3

公开(公告)日：2008-06-26

申请号：PCT/DE2007001662

申请日：2007-09-11

Applicant: UNIV BERLIN TECH ,  QUAST HOLGER ,  BIMBERG DIETER

Inventor： QUAST HOLGER ,  BIMBERG DIETER

IPC: G01J11/00

CPC classification number: G01J11/00

Abstract: The invention provides, inter alia, a method for sampling an individual optical pulse (LP) and for forming samples (AW1-AW5) which characterize the pulse profile of the optical pulse to be sampled, in which a sequence of temporally successive optical sampling pulses (AP1-AP5) having different optical wavelengths (1-5) is formed when the pulse to be sampled is sampled by means of the sampling pulses with the formation of modulated sampling pulses (AP1'-AP5') and the modulated sampling pulses (AP1'-AP5') are measured wavelength-individually with the formation of the samples.

Abstract translation: 根据本发明，提供了ü。 一。 用于扫描单个光脉冲（LP）和样品（AW1-AW5），其表征扫描的光脉冲的脉冲轮廓，其中，连续的光学采样脉冲（AP1-AP5）的序列形成，所述不同的形成方法 光波长（1-5）中，具有脉冲的扫描脉冲被扫描以形成调制的扫描脉冲（AP1'-AP5“）进行采样，并经调制的扫描脉冲（AP1'-AP5”）被测量波长个别地以形成样品。

公开(公告)号：WO2012104143A2

公开(公告)日：2012-08-09

申请号：PCT/EP2012/050746

申请日：2012-01-19

Applicant: TECHNISCHE UNIVERSITÄT BERLIN ,  KALOSHA, Vladimir ,  POSILOVIC, Kristijan ,  BIMBERG, Dieter

Inventor： KALOSHA, Vladimir ,  POSILOVIC, Kristijan ,  BIMBERG, Dieter

IPC: H01S5/40

CPC classification number: H01S5/1003 ,  H01S5/101 ,  H01S5/105 ,  H01S5/1064 ,  H01S5/1237 ,  H01S5/2036 ,  H01S5/4068 ,  H01S2301/166 ,  H01S2301/18

Abstract: An embodiment of the invention relates to a device comprising a laser and a waveguide stripe or netlike hexagonal stripe structure, which allows propagation of multitude of the lateral modes in the waveguide stripe or stripe structure, wherein the waveguide stripe has at least one corrugated edge section along its longitudinal axis to provide preferable amplification of the fundamental lateral mode or in-phase supermode and to obtain high brightness of the emitted radiation.

Abstract translation: 本发明的实施例涉及一种包括激光器和波导条纹或网状六边形条纹结构的装置，其允许波导条纹或条纹结构中的多个横向模式的传播，其中波导条纹具有至少一个波纹状边缘部分 沿其纵向轴线提供基本横向模式或同相超模的优选放大并且获得发射辐射的高亮度。

公开(公告)号：WO2012080076A1

公开(公告)日：2012-06-21

申请号：PCT/EP2011/072181

申请日：2011-12-08

Applicant: TECHNISCHE UNIVERSITÄT BERLIN ,  PROF. DR. BIMBERG, Dieter ,  GELLER, Martin ,  NOWOZIN, Tobias ,  MARENT, Andreas

Inventor： PROF. DR. BIMBERG, Dieter ,  GELLER, Martin ,  NOWOZIN, Tobias ,  MARENT, Andreas

IPC: H01L29/12 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/66 ,  H01L29/68 ,  H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  G11C16/04 ,  H01L29/788 ,  H01L21/336

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/788 ,  H01L29/803

Abstract: An embodiment of the invention relates to a memory comprising a strained double-heterostructure (110) having an inner semiconductor layer (115) which is sandwiched between two outer semiconductor layers, (120, 125) wherein the lattice constant of the inner semiconductor layer differs from the lattice constants of the outer semiconductor layers, the resulting lattice strain in the double-heterostructure inducing the formation of at least one quantum dot inside the inner semiconductor layer, said at least one quantum dot being capable of storing charge carriers therein, and wherein, due to the lattice strain, the at least one quantum dot has an emission barrier (Eb) of 1,15 eV or higher, and provides an energy state density of at least three energy states per 1000 nm3, all said at least three energy states (186) being located in an energy band (DeltaWb) of 50 meV or less.

Abstract translation: 本发明的一个实施例涉及一种包含应变双异质结构（110）的存储器，该应变双异质结构（110）具有夹在两个外半导体层之间的内半导体层（115）（120,125），其中内半导体层的晶格常数不同 从所述外部半导体层的晶格常数得到的所述双异质结构中的所得晶格应变引起在所述内部半导体层内形成至少一个量子点，所述至少一个量子点能够在其中存储电荷载流子，并且其中 由于晶格应变，至少一个量子点具有1,15eV或更高的发射势垒（Eb），并且提供每1000nm 3至少三个能态的能态密度，所有所述至少三个能量 状态（186）位于50meV以下的能带（DeltaWb）中。

公开(公告)号：WO2008034420A2

公开(公告)日：2008-03-27

申请号：PCT/DE2007/001662

申请日：2007-09-11

Applicant: TECHNISCHE UNIVERSITÄT BERLIN ,  QUAST, Holger ,  BIMBERG, Dieter

Inventor： QUAST, Holger ,  BIMBERG, Dieter

IPC: G01J11/00

CPC classification number: G01J11/00

Abstract: Erfindungsgemäß vorgesehen ist u. a. ein Verfahren zum Abtasten eines einzelnen optischen Pulses (LP) und zum Bilden von Abtastwerten (AW1-AW5), die den Pulsverlauf des abzutastenden optischen Pulses kennzeichnen, bei dem eine Abfolge zeitlich aufeinander folgender optischer Abtastpulse (AP1-AP5) gebildet wird, die unterschiedliche optische Wellenlängen (1-5) aufweisen, mit den Abtastpulsen der abzutastende Puls unter Bildung modulierter Abtastpulse (AP1'-AP5') abgetastet wird und die modulierten Abtastpulse (AP1'-AP5') wellenlängenindividuell unter Bildung der Abtastwerte gemessen werden.

Abstract translation: 发明＆lt; 被提供。 一。 用于扫描单个光脉冲（LP）和样品（AW1-AW5），其表征扫描的光脉冲的脉冲轮廓，其中，连续的光学采样脉冲（AP1-AP5）的序列形成，所述不同的形成方法 光波长BEAR NTS（1-5）中，具有采样脉冲的扫描脉冲，以形成调制的扫描脉冲（AP1'-AP5“）进行采样，并经调制的扫描脉冲（AP1'-AP5”）波长BEAR被ngenindividuell样品的形式测量

公开(公告)号：WO2012136206A3

公开(公告)日：2012-12-13

申请号：PCT/DE2012200019

申请日：2012-03-29

Applicant: UNIV BERLIN TECH ,  MARENT ANDREAS ,  BIMBERG DIETER

Inventor： MARENT ANDREAS ,  BIMBERG DIETER

IPC: H01L29/80 ,  B82Y10/00 ,  G11C16/04 ,  H01L29/788

CPC classification number: G11C16/0466 ,  B82Y10/00 ,  G11C16/0408 ,  G11C16/14 ,  G11C16/26 ,  H01L29/788 ,  H01L29/803

Abstract: The invention relates to a memory cell (10) comprising at least one binary memory area for storing an item of bit information and to a method for storing an item of bit information. According to the invention, it is provided that the memory area (SB), e.g. a quantum dot layer of In(Ga)As quantum dots, can optionally store holes or electrons and allows a recombination of holes and electrons, the charge carrier type of the charge carriers stored in the memory area defines the bit information of the memory area and a charge carrier injection device (PN) is present, by means of which optionally holes or electrons can be injected into the memory area (SB) and the bit information can thus be changed. The holes and electrons come from a hole reservoir (LR) or electron reservoir (ER) which consist e.g. of p-doped or n-doped GaAs. The readout layer (AS) is a two-dimensional hole or electron gas layer.

Abstract translation: 本发明涉及一种具有用于存储位信息的至少一个二进制存储区域的存储单元（10），以及用于存储Bitinfomation的方法。 根据本发明，它提供的是，存储器区域（SB），例如。 例如，在量子点层（Ga）的量子点，wahl¬例如可以存储空穴或电子和空穴和电子的重组允许存储在载流子的存储区域中的数据的电荷载流子确定的存储器区域的所述位信息，并提供一个电荷载流子注入装置（PN） 是，与可选的空穴或电子到存储器区域（SB）可以被注入，从而将位可被改变。 空穴和电子从空穴（LR）或电子储存器（ER），其例如源于 由p型或n型掺杂的GaAs构成。 读出层（AS）是一二维空穴或电子气层。

公开(公告)号：WO2012041608A3

公开(公告)日：2012-06-07

申请号：PCT/EP2011064432

申请日：2011-08-23

Applicant: UNIV BERLIN TECH ,  SCHLIWA ANDREI ,  STOCK ERIK ,  BIMBERG DIETER

Inventor： SCHLIWA ANDREI ,  STOCK ERIK ,  BIMBERG DIETER

IPC: H01L33/02

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L33/20 ,  H01L33/30 ,  H01L33/465

Abstract: An embodiment of the invention relates to single-photon source for emitting single photons, comprising a cavity having a first mirror and a second mirror and exhibiting a longitudinal resonance frequency between the first and second mirror; at least one quantum dot arranged inside said cavity, said quantum dot being strain-dependent and configured to generate radiation at a strain-dependent radiation frequency; a device capable of exciting the quantum dot to generate radiation;a piezoelectric crystal being arranged outside the cavity and mechanically coupled to the second mirror's outer surface, said piezoelectric crystal configured to receive a control voltage and capable of applying either a laterally tensile and vertically compressive strain to both the cavity and the quantum dot, or a laterally compressive and vertically tensile strain to both the cavity and the quantum dot, depending on the control voltage's polarity;wherein, in response to said strain, the resonance frequency and the radiation frequency shift in opposite directions.

Abstract translation: 本发明的实施例涉及用于发射单个光子的单光子源，包括具有第一反射镜和第二反射镜的空腔，并且在第一和第二反射镜之间呈现纵向共振频率; 至少一个量子点布置在所述空腔内，所述量子点是应变依赖性的，并被配置成在应变依赖辐射频率下产生辐射; 能够激发所述量子点以产生辐射的装置;压电晶体，被布置在所述空腔的外部并且机械耦合到所述第二反射镜的外表面，所述压电晶体被配置为接收控制电压并能够施加横向拉伸和垂直压缩 取决于控制电压的极性，空腔和量子点的应变或向空腔和量子点的横向压缩和垂直拉伸应变应变;其中响应于所述应变，谐振频率和辐射频率偏移 在相反的方向

公开(公告)号：WO2008067799A2

公开(公告)日：2008-06-12

申请号：PCT/DE2007/002182

申请日：2007-12-03

Applicant: TECHNISCHE UNIVERSITÄT BERLIN ,  BIMBERG, Dieter ,  GELLER, Martin ,  MARENT, Andreas

Inventor： BIMBERG, Dieter ,  GELLER, Martin ,  MARENT, Andreas

IPC: G11C16/02 ,  H01L29/788

CPC classification number: H01L29/8613 ,  B82Y10/00 ,  G11C2216/08 ,  H01L29/127 ,  H01L29/205 ,  H01L29/8616

Abstract: Die Erfindung bezieht sich u. a. auf eine Speicherzelle (10) zum Speichern mindestens einer Bitinformation, wobei die Speicherzelle eine Halbleiterstruktur (11) mit einem zumindest einen Potentialtopf (200) aufweisenden Bandverlauf (EL) und zumindest zwei elektrische Anschlüsse (40, 130) umfasst, wobei sich durch Anlegen einer elektrischen Einspeisespannung (Us=Uspeis) an die zwei Anschlüsse der Beladungszustand des Potentialtopfes mit Ladungsträgern vergrößern, durch Anlegen einer Entladespannung (Us=Usperr) verkleinern und durch Anlegen einer Beibehaltespannung (Us=Ubei) beibehalten lässt und wobei der jeweilige Beladungszustand des Potentialtopfes die Bitinformation der Speicherzelle festlegt. Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass die Halbleiterstruktur eine Raumladungszone (Wn) aufweist und der Potentialtopf durch eine Halbleiterheterostruktur (80) gebildet ist, wobei die Halbleiterheterostruktur und die Raumladungszone relativ zueinander räumlich derart angeordnet sind, dass sich die Halbleiterheterostruktur bei Anliegen der Beibehaltespannung innerhalb der Raumladungszone, bei Anliegen der Einspeisespannung am Rand oder außerhalb der Raumladungszone und bei Anliegen der Entladespannung innerhalb der Raumladungszone befindet.

Abstract translation: 本发明涉及Ú。 一。 用于存储至少一个比特的信息，其中，所述存储单元包括半导体结构（11）与具有带线（EL）的至少一个势阱（200）和至少两个电端子（40，130），其中所述一个通过施加一个存储器单元（10） （= Uspeis我们）放大供电电压与电荷载流子的势阱的负载状态的两个端子通过施加放电电压（我们= UREV）崩溃和施加Beibehaltespannung（我们= Ubei）可以被保留，并且由此所述势阱中的比特的各自的装载状态 的存储单元组。 根据本发明，该半导体结构具有空间电荷区（WN）和势阱由半导体异质结构（80）形成，其中该半导体异质结构和空间电荷区被相对于彼此在空间布置，使得与空间电荷区内Beibehaltespannung的关注的半导体异质结构， 是在电源电压的施加在边缘或空间电荷区外面并且在空间电荷区中的放电电压的施加。

公开(公告)号：WO2012104143A3

公开(公告)日：2012-11-01

申请号：PCT/EP2012050746

申请日：2012-01-19

Applicant: UNIV BERLIN TECH ,  KALOSHA VLADIMIR ,  POSILOVIC KRISTIJAN ,  BIMBERG DIETER

Inventor： KALOSHA VLADIMIR ,  POSILOVIC KRISTIJAN ,  BIMBERG DIETER

IPC: H01S5/40 ,  H01S5/10

CPC classification number: H01S5/1003 ,  H01S5/101 ,  H01S5/105 ,  H01S5/1064 ,  H01S5/1237 ,  H01S5/2036 ,  H01S5/4068 ,  H01S2301/166 ,  H01S2301/18

Abstract: An embodiment of the invention relates to a device comprising a laser and a waveguide stripe or netlike hexagonal stripe structure, which allows propagation of multitude of the lateral modes in the waveguide stripe or stripe structure, wherein the waveguide stripe has at least one corrugated edge section along its longitudinal axis to provide preferable amplification of the fundamental lateral mode or in-phase supermode and to obtain high brightness of the emitted radiation.

Abstract translation: 本发明的一个实施例涉及一种包括激光器和波导带或网状六边形条带结构的装置，其允许波导条带或条带结构中的多个横向模式的传播，其中波导带具有至少一个波纹边缘部分 沿着其纵向轴线以提供对基本横向模式或同相超模的优选放大并且获得发射辐射的高亮度。

公开(公告)号：WO2010012268A3

公开(公告)日：2010-04-15

申请号：PCT/DE2009001025

申请日：2009-07-20

Applicant: UNIV BERLIN TECH ,  WINKELNKEMPER MOMME ,  SCHLIWA ANDREI ,  BIMBERG DIETER

Inventor： WINKELNKEMPER MOMME ,  SCHLIWA ANDREI ,  BIMBERG DIETER

IPC: H01S5/34

CPC classification number: H01S5/34 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/1042 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3412

Abstract: The invention relates to a method for the production of a photon pair source, which generates entangled photon pairs, having at least one quantum dot, wherein in the method the operational behaviour of the photon pair source is determined by adjusting the fine structure splitting of the excitonic energy level of the at least one quantum dot. It is provided according to the invention for the fine structure splitting of the excitonic energy level to be adjusted by depositing the at least one quantum dot on a {111} crystal surface of a semiconductor substrate.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造产生的光子对源与至少一个量子点，其中所述至少一个量子点的光子对源的性能的过程中通过设置激子能级的精细结构而确定的纠缠光子对。 根据本发明，它提供的是，激子能级的精细结构的设定发生在所述至少一个量子点沉积在半导体基板的{111}晶面。