Abstract:
Es wird ein mikromechanisches Sensorelement (1) mit einer geschlossenen, in einem Rahmen (3) aufgespannten Membran (2), vorgeschlagen, das eine hohe Empfindlichkeit bei hoher Überlastfestigkeit und kleiner Baugröße aufweist und eine piezoresistive Messwerterfassung ermöglicht. Dazu ist im Bereich der Membran (2) mindestens ein Trägerelement (4) ausgebildet, das über mindestens einen Verbindungssteg (5) mit dem Rahmen (3) verbunden ist. Außerdem sind im Bereich des Verbindungsstegs (5) Piezowiderstände (6) zur Detektion einer Deformation angeordnet.
Abstract:
Die vorliegende Erfindung beschreibt ein Verfahren zur Herstellung eines mikromechanischen Membransensors bzw. einen mit dem Verfahren hergestellten mikromechanischen Membransensor. Dabei ist vorgesehen, dass der mikromechanische Membransensor wenigstens eine erste Membran und eine im Wesentlichen über der ersten Membran liegende zweite Membran aufweist. Weiterhin ist vorgesehen, dass der mikromechanische Membransensor einen ersten Hohlraum und einen im Wesentlichen über dem ersten Hohlraum liegenden zweiten Hohlraum aufweist.
Abstract:
Der Erfindung beschreibt ein mikromechanisches Bauelement bzw. ein Verfahren zur Herstellung eines mikromechanischen Bauelements, welches wenigstens einen ersten, einen zweiten und einen dritten Bereich aufweist. Der erste und der zweite Bereich des mikromechanischen Bauelements weist dabei vorteilhafterweise den gleichen Schichtaufbau auf. Zwischen dem ersten und dem zweiten Bereich ist der dritte Bereich angeordnet. Während der Nutzung des mikromechanischen Bauelements beispielsweise als Halterung eines Sensorelements können auf den Bauelement Risse entstehen. Diese Risse können sich unter ungünstigen Umständen auf der Oberfläche des mikromechanischen Bauelements vergrößern bzw. ausbreiten. Beim Aufbau der drei Bereiche ist dabei vorgesehen, dass der dritte Bereich im Vergleich zum ersten und/oder zweiten Bereich höhere Anfälligkeit der Rissausbreitung aufweist. Erfindungsgemäß sind der dritte Bereich und die beiden anderen Bereiche derart gestaltet, dass die Rissausbreitung vorzugsweise im dritten Bereich an vorgebbaren Positionen auf den Bauelement gestoppt wird.
Abstract:
Die Erfindung schafft ein mikromechanisches Bauelement mit Schrägstruktur und ein entsprechendes Herstellungsverfahren. Das Bauelement umfasst ein Substrat (1) mit einer Oberfläche (O); einen ersten Anker (3e; 3e'), welcher auf der Oberfläche (O) des Substrats (1) vorgesehen ist und welcher sich vom Substrat (1) weg erstreckt; und mindestens einen an einer Seitenfläche (S1, S2; S1'; S1'') des Ankers (3e; 3e') vorgesehenen Ausleger (3c, 3d; 3c; 3c'), welcher schräg vom Anker (3e; 3e') weggerichtet ist.
Abstract:
Das erfindungsgemäße Festkörpergelenk (16) zum Aufhängen einer mikromechanischen Einrichtung (2) beinhaltet einen tragenden Balken (17) und eine auf dem tragenden Balken (17) aufgebrachte dünne Schicht (22). Die dünne Schicht ragt seitlich über den tragenden Balken (17) hin. In der dünnen Schicht (22) sind ein oder mehrere Leiterbahnen (18) eingebettet.
Abstract:
Die Erfindung betrifft ein mikromechanisches Bauteil (10) mit einer Halterung (12) mit einer an einer Oberfläche der Halterung (12) ausgebildeten Aussparung (14); einer Membran (16), welche die Aussparung (14) zumindest teilweise abdeckt; mindestens einem auf der Membran (16) angeordneten Aktivelement (24) mit Spannungsanschlüssen; wobei das Aktivelement (24) dazu ausgebildet ist, bei Anlegen einer Spannung an das Aktivelement (24) seine räumliche Ausdehnung zu variieren und die Membran (16) zu verformen; und einem auf der Membran (16) angeordneten Mikroelement (22), welches über ein Verformen der Membran (16) durch Anlegen der Spannung an das Aktivelement (24) verstellbar ist. Des Weiteren betrifft die Erfindung ein Herstellungsverfahren für ein mikromechanisches Bauteil (10) und ein Verfahren zum Betreiben eines mikromechanischen Bauteils (10).
Abstract:
Die Erfindung schafft ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterstruktur mit den Schritten: Bereitstellen eines kristallinen Halbleitersubstrats (1); Vorsehen eines porösen Bereichs (10) angrenzend an einer Oberfläche (OF) des Halbleitersubstrats (1); Einbringen von einem Dotierstoff (12) in den porösen Bereich (10) von der Oberfläche (OF) aus; und thermisches Rekristallisieren des porösen Bereich (10) in einen kristallinen Dotierungsbereich (10') des Halbleitersubstrats (1), dessen Dotierungsart und/oder Dotierungskonzentration und/oder Dotierungsverteilung von derjenigen bzw. denjenigen des Halbleitersubstrat (1) abweicht. Die Erfindung schafft ebenfalls eine entsprechende Halbleiterstruktur.
Abstract:
Mit der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zur Herstellung eines mikromechanischen kapazitiven Druckwandlers bzw. ein mit diesem Verfahren hergestelltes mikromechanisches Bauelement beschrieben. Zunächst wird dabei eine erste Elektrode in einem dotierten Halbleitersubstrat erzeugt. In einem weiteren Verfahrensschritt wird eine Membran mit einer zweiten Elektrode an der Oberfläche des Halbleitersubstrats erzeugt. Weiterhin ist vorgesehen, dass eine erste Schicht, die vorzugsweise aus dielektrischem Material besteht, auf die Membran und das Halbleitersubstrat aufgebracht wird. Mittels dieser ersten Schicht werden die Membran und das Halbleitersubstrat des fertigen mikromechanischen kapazitiven Druckwandlers direkt oder indirekt miteinander mechanisch verbunden. Weiterhin wird zwischen der ersten und der zweiten Elektrode eine vergrabene Kaverne in dem Halbleitersubstrat erzeugt. Mit einem nachfolgenden Ätzschritt durch Öffnungen in der ersten Schicht wird abschließend die Membran aus dem Halbleitersubstrat herausgelöst, wobei die mechanische Verbindung von der Membran zum Halbleitersubstrat mittels der ersten Schicht erfolgt. Diese mechanische Verbindung erlaubt der Membran bzw. der zweiten Elektrode eine bewegliche Aufhängung oberhalb der ersten Elektrode.
Abstract:
Es wird eine Vorrichtung mit einer Halbleiterschaltung (21) und einem Substrat (10) vorgeschlagen, wobei eine thermische und/oder mechanische Entkopplung mittels einer Entkopplungsstruktur (30, 31) vorgesehen ist.
Abstract:
The invention relates to a production method for a micromechanical electrostatic adjuster device (10), comprising the steps: application of a first conducting layer (12) to a substrate (28,30), etching the first conducting layer (12) to form at least one first electrode (16) in the material of the first conducting layer (12), application of a separation layer (32a) to the first conducting layer (12), application of a second conducting layer to the separation layer (32a), etching the second conducting layer to form at least one second electrode (22) in the material of the second conducting layer and application of a cover layer (40) to the second electrode (22) and bending the second electrode (22) by means of a mechanical compression load exerted on the second electrode (22) by means of the cover layer (40). The invention further relates to a corresponding micromechanical electrostatic adjuster device.