公开(公告)号：WO2016209207A1

公开(公告)日：2016-12-29

申请号：PCT/US2015/037024

申请日：2015-06-22

Applicant: INTEL CORPORATION

Inventor： LIN, Kevin Lai ,  PAWASHE, Chytra ,  KIM, Raseong ,  YOUNG, Ian A. ,  SINGH, Kanwal Jit ,  BRISTOL, Robert L.

IPC: B81B7/02 ,  H01L21/8238

CPC classification number: B81B7/007 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2207/015 ,  B81B2207/07 ,  B81B2207/094 ,  B81C1/00246 ,  B81C1/00301 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/014 ,  B81C2203/0714 ,  B81C2203/0742 ,  B81C2203/0771

Abstract: A conductive layer is deposited into a trench in a sacrificial layer on a substrate. An etch stop layer is deposited over the conductive layer. The sacrificial layer is removed to form a gap. In one embodiment, a beam is over a substrate. An interconnect is on the beam. An etch stop layer is over the beam. A gap is between the beam and the etch stop layer.

Abstract translation: 将导电层沉积在衬底上的牺牲层中的沟槽中。 蚀刻停止层沉积在导电层上。 去除牺牲层以形成间隙。 在一个实施例中，光束在衬底上。 横梁上有互连。 蚀刻停止层在光束上。 在光束和蚀刻停止层之间存在间隙。

公开(公告)号：WO2016204693A1

公开(公告)日：2016-12-22

申请号：PCT/SG2016/050268

申请日：2016-06-10

Applicant: AGENCY FOR SCIENCE, TECHNOLOGY AND RESEARCH

Inventor： RHEE, Daniel Minwoo ,  CHANG, Peter Hyun Kee

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00 ,  H01L23/02

CPC classification number: B81C1/00301 ,  B81B2207/095 ,  B81C1/00269 ,  B81C2203/019 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: According to various embodiments, there is provided a method for fabricating a semiconductor package, the method including forming a cap structure and a pillar from a first wafer; bonding the first wafer to a second wafer; and filling a gap between the pillar and the cap structure with a mold compound.

Abstract translation: 根据各种实施例，提供了一种制造半导体封装的方法，该方法包括从第一晶片形成帽结构和柱; 将第一晶片接合到第二晶片; 并用模具化合物填充柱和盖结构之间的间隙。

公开(公告)号：WO2015110293A1

公开(公告)日：2015-07-30

申请号：PCT/EP2015/050257

申请日：2015-01-08

Applicant: ROBERT BOSCH GMBH

Inventor： SCHAAF, Ulrich ,  BERSCHAUER, Kristina ,  WAHL, Ruben ,  KUGLER, Andreas

IPC: H05K1/18 ,  H05K1/02 ,  H05K3/10 ,  H01L23/538 ,  H01L23/00 ,  H05K1/11 ,  H05K3/40 ,  H05K3/00 ,  B29C67/00

CPC classification number: H05K1/186 ,  B29C64/00 ,  B29C70/46 ,  B29C70/68 ,  B29C70/882 ,  B81C1/00301 ,  H01L21/4867 ,  H01L21/56 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/1302 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16105 ,  H01L2924/12041 ,  H05K1/0209 ,  H05K1/0272 ,  H05K1/0274 ,  H05K1/117 ,  H05K3/0035 ,  H05K3/101 ,  H05K3/403 ,  H05K3/4069 ,  H05K2201/0108 ,  H05K2201/0133 ,  H05K2201/0949 ,  H05K2201/09836 ,  H05K2201/10083 ,  H05K2201/10151 ,  H05K2201/10174 ,  H05K2201/10674 ,  H05K2201/2009 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: Die vorliegende Erfindung schafft ein elektronisches Funktionsbauteil und ein Herstellungsverfahren für ein elektronisches Funktionsbauteil. Das elektronische Funktionsbauteil umfasst ein elektronisches Bauteil (20), das mittels eines dreidimensionalen Druckprozesses in das Funktionsbauteil eingebettet wird. Durch den dreidimensionalen Druckprozess kann dabei neben dem Umschließen des elektronischen Bauteils auch eine individuelle Anpassung der bezüglich Formgebung und mechanischen Eigenschaften des Funktionsbauteils erfolgen. Ferner werden die elektrischen Anschüsse (21) des elektronischen Bauteils in geeigneter Form an die Oberfläche (30a) des Funktionsbauteils geführt.

Abstract translation: 本发明提供了一种电子功能部件和用于电子功能部件的制造方法。 的电子功能部件包括由在所述功能部件的三维印刷方法嵌入一个电子部件（20）。 通过三维印刷工艺有关的设计和功能部件的机械性能的个别调整，可接着进行到电子元件的外壳。 此外，在一个合适的形式向表面（30A）的电子部件的电Anschüsse（21）都出了功能部件的。

公开(公告)号：WO2014099614A1

公开(公告)日：2014-06-26

申请号：PCT/US2013/074702

申请日：2013-12-12

Applicant: PROMERUS, LLC

Inventor： TSANG, W. C., Peter ,  BELL, Andrew ,  ZHEN, Hongshi ,  SETO, Keitaro

IPC: H05K3/34 ,  B23K35/36

CPC classification number: B23K35/3618 ,  B23K35/0244 ,  B23K35/025 ,  B23K35/0255 ,  B23K35/36 ,  B23K35/3612 ,  B23K35/3613 ,  B81C1/00301 ,  B81C1/00317 ,  B81C2201/019 ,  C09D167/02 ,  H05K3/3489 ,  H05K2203/0485

Abstract: Embodiments in accordance with the present invention relate generally to polymer compositions useful in the forming of microelectronic assemblies, and more specifically to such compositions that encompass a thermally decomposable polymer and that provide both tackiness and solder fluxing.

Abstract translation: 根据本发明的实施方案一般涉及可用于形成微电子组件的聚合物组合物，更具体地涉及包含可热分解聚合物并且提供粘性和助焊剂的这种组合物。

公开(公告)号：WO2013082315A1

公开(公告)日：2013-06-06

申请号：PCT/US2012/067120

申请日：2012-11-29

Applicant: QUALCOMM MEMS TECHNOLOGIES, INC.

Inventor： SHENOY, Ravindra V.

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00047 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2207/092 ,  B81B2207/095 ,  B81C1/00301 ,  B81C2203/0127

Abstract: This disclosure provides systems, methods and apparatus for providing packaged microelectromechanical systems (MEMS) devices. In one aspect, package can include a cover glass joined to a device substrate, the cover glass including integrated electrical connectivity and configured to encapsulate one or more MEMS devices on the device substrate. The cover glass can include one or more spin-on glass layers and electrically conductive routing and interconnects. The package can include a narrow seal surrounding the one or more encapsulated MEMS devices.

Abstract translation: 本公开提供了用于提供封装的微机电系统（MEMS）装置的系统，方法和装置。 在一个方面，封装可以包括接合到器件衬底的覆盖玻璃，所述覆盖玻璃包括集成的电连接并且被配置为将一个或多个MEMS器件封装在所述器件衬底上。 盖玻璃可以包括一个或多个旋涂玻璃层和导电布线和互连。 封装可以包括围绕一个或多个封装的MEMS器件的窄密封。

公开(公告)号：WO2012136544A1

公开(公告)日：2012-10-11

申请号：PCT/EP2012/055559

申请日：2012-03-28

Applicant: EPCOS AG ,  BAUER, Christian ,  KRÜGER, Hans ,  PORTMANN, Jürgen ,  STELZL, Alois ,  PAHL, Wolfgang ,  KOCH, Robert

Inventor： BAUER, Christian ,  KRÜGER, Hans ,  PORTMANN, Jürgen ,  STELZL, Alois ,  PAHL, Wolfgang ,  KOCH, Robert

IPC: B81C1/00

CPC classification number: H01L41/053 ,  B81B2207/095 ,  B81C1/00301 ,  H01L24/11 ,  H01L41/25 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1461 ,  H03H9/1071 ,  Y10T29/42 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: Es wird ein hermetisches Waferlevelpackage aus zwei vorzugsweise materialgleichen piezoelektrischen Wafern und ein Herstellungsverfahren dafür vorgestellt. Die elektrisch und mechanische Verbindung zwischen den beiden Wafern gelingt mit Rahmenstrukturen und Pillars, deren auf zwei Wafer verteilte Teilstrukturen mit Hilfe von Verbindungsschichten wafergebondet werden.

Abstract translation: 它呈现两个材料优选相同的压电晶片的一个密闭的晶片级封装，以及它们的制造方法。 两个晶片之间的电气和机械连接与框架结构和支柱，其分布在两个晶片局部结构通过接合层的手段晶圆接合来实现的。

公开(公告)号：WO2012069078A1

公开(公告)日：2012-05-31

申请号：PCT/EP2010/068037

申请日：2010-11-23

Applicant: ROBERT BOSCH GMBH ,  PRUEMM, Andreas ,  KRAFT, Karl-Heinz ,  MAYER, Thomas ,  HOECHST, Arnim ,  SCHELLING, Christoph

Inventor： PRUEMM, Andreas ,  KRAFT, Karl-Heinz ,  MAYER, Thomas ,  HOECHST, Arnim ,  SCHELLING, Christoph

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/60

CPC classification number: B81C1/00301 ,  B81B7/007 ,  B81C3/008 ,  B81C2203/035 ,  B81C2203/051 ,  G01L9/0048 ,  G01L19/0076 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/123 ,  G01P15/125 ,  G01P2015/084 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76898 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/03002 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/81805 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/00

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements (166) vorgeschlagen. Das Verfahren umfasst die folgenden Schritte: a) ein Halbleiterchip (110) wird auf einem Ausgangssubstrat (112) erzeugt, wobei der Halbleiterchip (110) in mindestens einer Stützstelle (116) mit dem Ausgangssubstrat (112) verbunden ist, wobei der Halbleiterchip (110) eine dem Ausgangssubstrat (112) abgewandte Vorderseite (130) und eine dem Ausgangssubstrat (112) zuweisende Rückseite (132) aufweist, b) in mindestens einem Durchkontaktierungsschritt wird mindestens ein Durchkontakt-Füllmaterial (142) auf den Halbleiterchip (110) aufgebracht, wobei zumindest ein Teilbereich (140) der Rückseite (132) mit dem Durchkontakt- Füllmaterial (142) beschichtet wird, c) der Halbleiterchip (110) wird von dem Ausgangssubstrat (1 12) getrennt, und d) der Halbleiterchip (110) wird auf mindestens ein Trägersubstrat (150) aufgebracht, wobei der mit dem Durchkontakt-Füllmaterial (142) beschichtete Teilbereich (140) der Rückseite (132) des Halbleiterchips (110) mit mindestens einem Bondpad (152) auf dem Trägersubstrat (150) verbunden wird.

Abstract translation: 因此建议一种制造半导体器件（166）的方法。 该方法包括以下步骤：a）一个半导体芯片（产生110）（起始衬底112）上，其中所述半导体芯片（110）（在至少一个支承点（116）与所述起始衬底112），其中所述半导体芯片（110 ）具有前表面（130）和一个（背向所述起始衬底112）分配后侧（132）中，b）在至少一个Durchkontaktierungsschritt至少一个经由填充在半导体芯片上的材料（142）（110）被施加（起始衬底112），其特征在于 至少与所述Durchkontakt-填充材料（142）的部分（140）是背面（132）涂覆的，c）中的半导体芯片（110）被分离（从开始衬底1 12），以及d）在半导体芯片（110）被至少 一个支承衬底（150）被施加，其中，与所述填充材料的通触点（142）涂覆在具有半导体芯片（110）的后侧（132）的部分（140）的至少一个键合焊盘（152）上 在支撑基板（150）连接。

公开(公告)号：WO2009111874A1

公开(公告)日：2009-09-17

申请号：PCT/CA2009/000292

申请日：2009-03-11

Applicant: THE ROYAL INSTITUTION FOR THE ADVANCEMENT OF LEARNING/ MCGIIL UNIVERSITY ,  EL-GAMAL, Mourad ,  LEMOINE, Dominique ,  CICEK, Paul-Vahe ,  NABKI, Frederic

Inventor： EL-GAMAL, Mourad ,  LEMOINE, Dominique ,  CICEK, Paul-Vahe ,  NABKI, Frederic

IPC: B81C1/00 ,  H01L21/768 ,  B81B7/02 ,  H01L41/08

CPC classification number: B81C1/00301 ,  G01L9/0042 ,  H01L21/02697 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/131 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1461 ,  H03H3/007 ,  H03H9/10 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: Microelectromechanical systems (MEMS) are small integrated devices or systems that combine electrical and mechanical components. It would be beneficial for such MEMS devices to be integrated with silicon CMOS electronics and packaged in controlled environments and support industry standard mounting interconnections such as solder bump through the provisioning of through-wafer via-based electrical interconnections. However, the fragile nature of the MEMS devices, the requirement for vacuum, hermetic sealing, and stresses placed on metallization membranes are not present in packaging conventional CMOS electronics. Accordingly there is provided a means of reinforcing the through-wafer vias for such integrated MEMS-CMOS circuits by in¬ filling a predetermined portion of the through-wafer electrical vias with low temperature deposited ceramic materials which are deposited at temperatures below 350°C, and potentially to below 250°C, thereby allowing the re-inforcing ceramic to be deposited after fabrication of the CMOS electronics.

Abstract translation: 微机电系统（MEMS）是组合电气和机械组件的小型集成设备或系统。 这样的MEMS器件将与硅CMOS电子器件集成在一起并被封装在受控环境中并且通过提供基于晶片的基于电路的电互连来支持工业标准安装互连（例如焊料凸块）将是有益的。 然而，在封装传统的CMOS电子器件时，MEMS器件的脆弱性质，对真空，气密封装以及置于金属化膜上的应力的要求并不存在。 因此，提供了一种用于通过在低于350℃的温度下沉积的低温沉积陶瓷材料填充通孔晶片电气通孔的预定部分来加强用于这种集成的MEMS-CMOS电路的贯通晶片通孔的手段， 并且潜在地低于250℃，从而允许在制造CMOS电子器件之后沉积重新催化陶瓷。

公开(公告)号：WO2008077821A2

公开(公告)日：2008-07-03

申请号：PCT/EP2007/063975

申请日：2007-12-14

Applicant: CONTINENTAL TEVES AG & CO. OHG ,  VTI TECHNOLOGIES OY ,  HARTMANN, Bernhard ,  HILSER, Roland ,  KUISMA, Heikki ,  TORKKELI, Altti

Inventor： HARTMANN, Bernhard ,  HILSER, Roland ,  KUISMA, Heikki ,  TORKKELI, Altti

IPC: B81B7/00

CPC classification number: H01L23/055 ,  B81B2207/012 ,  B81B2207/095 ,  B81B2207/096 ,  B81B2207/097 ,  B81C1/0023 ,  B81C1/00301 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00

Abstract: Verfahren zur Herstellung eines Verkapselungsmoduls (A) und/oder zur Verkapselung einer mikromechanischen Anordnung, wobei aus einem Rohkörper (1) elektrisch leitenden Halbleitermaterials, insbesondere aus dotierten Silizium, elektronische Anschlussmittel, wie Durchkontaktierungen (2), elektrische Leitungen, Kontakte und/oder elektronische Strukturen, durch einen oder mehrere Strukturierungsprozesse und/oder Ätzprozesse ausgebildet werden, wobei im Zuge der Ausbildung der elektronischen Anschlussmittel ein Sockel (6) des Halbleitermaterials entsteht, auf welchem die elektronischen Anschlussmittel angeordnet sind, wobei diese anschließend mit einem Einbettungsmaterial (9) eingebettet werden und das Einbettungsmaterial und/oder der Halbleitersockel (6) nach dem Einbetten soweit entfernt werden, dass eine definierte Anzahl der elektronischen Anschlussmittel elektrische Kontakte an mindestens einer der Außenflächen (7, 8) des so hergestellten Verkapselungsmoduls (A) aufweist, wobei im Zuge der Ausbildung der elektronischen Anschlussmittel, durch den mindestens einen Strukturierungs- und/oder Ätzprozess, auf dem Sockel des Halbleitermaterials (6), mindestens ein inselförmiger Materialhügel, auf dem/denen insbesondere jeweils eine Durchkontaktierung (2) angeordnet ist, ausgebildet wird, welcher eine Halbleiter-Elektrode (3) verkörpert. Die Erfindung betrifft zusätzlich ein Verkapselungsmodul und/oder eine mikromechanische Anordnung mit wenigstens einer Durchkontaktierung (2) und mindestens einer Halbleiter-Elektrode (3) sowie die Verwendung in Kraftfahrzeugen.

Abstract translation: 一种用于生产Verkapselungsmoduls（A）和方法/或用于微机械组件的封装，其特征在于，一个绿色主体（1）的导电半导体材料，特别是掺杂硅，电子连接装置，如通孔（2），电布线，接触和/或电子的 结构可以由一个或多个图案化工艺和/或蚀刻工艺来形成，其中，在形成所述电子连接装置，底座的过程（6）形成在半导体材料，在其上的电子连接装置被安排成，然后与包埋材料（9）被嵌入的 和所述灌封材料和/或嵌入可被移除的程度，定义电子连接数是指在所述外表面中的至少一个电触点之后所述半导体基体（6）（7，8）的Verkapselungsmoduls的由此制备的（a），其中，所述 形成电子连接装置的过程中，由所述至少一种结构化和/或蚀刻工艺的半导体材料的基体上形成的（6），至少一个岛状材料山设置于/其特别在每种情况下金属化通孔（2），其 半导体电极（3）实施。 本发明另外涉及一种封装模块和/或具有通孔（2）和至少一个半导体电极（3）的至少一个的微型机械装置以及机动车辆中使用。

公开(公告)号：WO2007017980A1

公开(公告)日：2007-02-15

申请号：PCT/JP2006/309724

申请日：2006-05-16

Applicant: 株式会社村田製作所 ,  山下 宗治 ,  見角 厚司

Inventor： 山下 宗治 ,  見角 厚司

IPC: H01L23/12 ,  G01P15/08 ,  G01P15/12 ,  H01L29/84

CPC classification number: G01P1/023 ,  B81B7/0048 ,  B81B2207/092 ,  B81C1/00301 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/123 ,  G01P2015/0831 ,  H01L21/4853 ,  H01L23/13 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/315 ,  H01L23/49805 ,  H01L24/80 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10157 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49135 ,  Y10T428/24917 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

Abstract: 　実装基板への接合強度に優れ、実装基板等からの外部応力による影響が少なく、構造の簡略化及び電子部品として機能する機能部における特性の変動が生じ難い、電子部品の製造方法を提供する。 　電子部品として機能させるための機能部と、かつ外部接続用電極９とが設けられている素子基板２を用意し、素子基板２上に、耐サンドブラスト性が高い接着剤層５を介して耐サンドブラスト性が低いケース板３を貼り合わせ、ケース板３にサンドブラスト加工により接着剤層５が外部に露出するように外部接続用電極９の上方において穴３ｆを形成し、穴３ｆに露出している接着剤層部分をエッチングにより除去し、露出した外部接続用電極９と電気的に接続されるように電極膜７Ａを形成し、先端面に電極膜７Ａ由来の端子電極が形成されるように突起３ｂを機械加工により形成する、電子部品の製造方法。

Abstract translation: 在作为电子部件起作用的部分，抑制在简化结构和特性变化的同时抑制外部应力对包装基板的冲击的封装基板的表现出优异的接合强度的电子部件的制造方法。 设置有用作电子部件的功能部件和用于外部连接的电极（9）的元件基板（2），通过粘合剂将显示出低耐喷涂性的壳体板（3）粘附到元件基板（2）上 具有高耐喷砂性的层（5），孔（3f）在电极（9）上方的壳体板（3）中钻孔，用于外部连接，使得粘合剂层（5）通过喷砂暴露于外部，粘合剂 通过蚀刻去除暴露在孔（3f）中的层部分，形成电极膜（7A）以与外部连接的暴露电极（9）电连接，并且通过机械加工形成突起（3b），使得 从电极膜（7A）导出的端子电极形成在前端面上。