公开(公告)号：WO2010106144A3

公开(公告)日：2010-11-18

申请号：PCT/EP2010053553

申请日：2010-03-18

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN EV ,  SIDOROV VICTOR ,  ZHYTNYTSKA RIMMA ,  WUERFL JOACHIM

Inventor： SIDOROV VICTOR ,  ZHYTNYTSKA RIMMA ,  WUERFL JOACHIM

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/12 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05007 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05616 ,  H01L2224/05618 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/0566 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/11472 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: The invention relates to a metallization (40) (and a semiconductor wafer (10) having corresponding metallization) and to a method for the production thereof that first of all can be produced by means of physical gas phase separation (dry separation) and secondly ensures sufficient adhesion of a lot bump. The method for producing a metallization (40) for at least one contact pad (20) according to the invention comprises the following process steps: applying at least one contact pad (20) to a substrate (10), applying a barrier layer (30) to the top side of the at least one contact pad (20) and applying a metallization (40) to the top side of the barrier layer (30), the barrier layer (30) and the metallization (40) being applied by means of physical separation and the metallization (40) being designed as a layer structure having two multiple alternating metallization layers (41, 42), wherein the first metallization layer (41) is made of nickel or an Ni alloy having a layer thickness of less than 500 nm and the second metallization layer (42) is made of a material that is different than nickel and is electrically conductive.

Abstract translation: 本发明的目的，金属化（40）（或者与相应的金属化的半导体晶片（10））通过物理气相沉积（干分离）的装置和用于它们的生产提供一种方法，一方面可以制备和在另一方面的焊料的足够高的粘附性 确保-Bumps。 用于至少一个接触焊盘（20）一种制造金属化（40）的本发明方法具有以下方法步骤：在衬底（10）上施加至少一个接触焊盘（20），沉积阻挡层（30）（在所述至少一个接触垫的顶 20），以及将金属化（40）（在该阻挡层（30的顶部），其中所述阻挡层（30）和金属化（40）通过物理分离和金属化（40）为两个层结构，多个交替的金属化来施加 41，42形成），镍的第一金属化层（41），或具有小于500纳米的层厚度，并从一个角度的第二金属化层（42）由镍不同Ni合金，延展性的导电材料，优选金形成， 是。

公开(公告)号：WO2010106144A2

公开(公告)日：2010-09-23

申请号：PCT/EP2010/053553

申请日：2010-03-18

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V. ,  SIDOROV, Victor ,  ZHYTNYTSKA, Rimma ,  WUERFL, Joachim

Inventor： SIDOROV, Victor ,  ZHYTNYTSKA, Rimma ,  WUERFL, Joachim

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/12 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05007 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05616 ,  H01L2224/05618 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/0566 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/11472 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Metallisierung für mindestens ein Kontaktpad und einen Halbieiterwafer mit Metallisierung für mindestens ein Kontaktpad. Es ist Aufgabe der voriiegenden Erfindung, eine Metallisierung (bzw. einen Halbleiterwafer mit entsprechender Metallisierung) und ein Verfahren zu deren Herstellung anzugeben, die einerseits mittels physikalischer Gasphasenabscheidung (Trockenabscheidung) herstellbar sind und andererseits eine ausreichend hohe Adhäsion eines Lot-Bumps gewährleisten. Das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung einer Metallisierung (40) für mindestens ein Kontaktpad (20) weist folgende Verfahrensschritte auf: Aufbringen mindestens eines Kontaktpads (20) auf ein Substrat (10), Aufbringen einer Barriereschicht (30) auf die Oberseite des mindestens einen Kontaktpads (20), und Aufbringen einer Metallisierung (40) auf die Oberseite der Barriereschicht (30), dadurch gekennzeichnet, dass die Barriereschicht (30) und die Metallisierung (40) mittels physikalischer Abscheidung aufgebracht werden und dass die Metallisierung (40) als Schichtstruktur zweier, mehrfach alternierender Metallisierungsschichten (41, 42) ausgebildet wird, wobei die erste Metallisierungsschicht (41) aus Nickel oder eine Ni-Legierung mit einer Schichtdicke kleiner als 500 nm und die zweite Metallisierungsschicht (42) aus einem von Nickel verschiedenen, elektrisch leitfähigen Material ausgebildet wird.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造金属化用于至少一个接触垫和一个与Halbieiterwafer金属化至少一个接触垫的方法。 它是可以制备的voriiegenden本发明的目的，金属化（或具有适当金属化的半导体晶片）通过物理气相沉积（干分离）的装置和用于它们的生产提供一种方法，在一方面和另一方面确保焊锡凸块的足够高的粘合性。 用于至少一个接触焊盘（20）一种制造金属化（40）的本发明方法具有以下方法步骤：在衬底（10）上施加至少一个接触焊盘（20），沉积阻挡层（30）（在所述至少一个接触垫的顶 20），和在该阻挡层（30）的顶部施加的金属化（40），其特征在于，所述阻挡层（30）和金属化（40）通过物理沉积的装置和在所施加的金属化两个作为层结构（40）， 多个交替的金属层（41,42）形成，其中所述镍的第一金属化层（41）或具有小于500nm的层的厚度和第二金属化层（42）Ni合金是从镍不同的角度，导电材料形成 ，