公开(公告)号：WO2017068997A1

公开(公告)日：2017-04-27

申请号：PCT/JP2016/079894

申请日：2016-10-07

Applicant: SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION

Inventor： WAKIYAMA Satoru ,  SHIMIZU Kan ,  HAYASHI Toshihiko ,  NAKAMURA Takuya ,  JYO Naoki

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/03 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/48 ,  H01L24/81 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03616 ,  H01L2224/03828 ,  H01L2224/039 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05157 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05547 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/81022 ,  H01L2224/81065 ,  H01L2224/8114 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81455 ,  H01L2224/81464 ,  H01L2224/81469 ,  H01L2224/8182 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099

Abstract: An imaging device includes a first semiconductor element including at least one bump pad that has a concave shape. The at least one bump pad includes a first metal layer and a second metal layer on the first metal layer. The imaging device includes a second semiconductor element including at least one electrode. The imaging device includes a microbump electrically connecting the at least one bump pad to the at least one electrode. The microbump includes a diffused portion of the second metal layer, and first semiconductor element or the second semiconductor element includes a pixel unit.

Abstract translation: 成像装置包括第一半导体元件，该第一半导体元件包括至少一个具有凹形形状的凸块焊盘。 所述至少一个凸块焊盘包括在第一金属层上的第一金属层和第二金属层。 成像装置包括具有至少一个电极的第二半导体元件。 成像装置包括将至少一个凸块焊盘电连接到至少一个电极的微凸块。 微凸块包括第二金属层的扩散部分，第一半导体元件或第二半导体元件包括像素单元。

公开(公告)号：WO2015193014A1

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：PCT/EP2015/059310

申请日：2015-04-29

Applicant: HERAEUS DEUTSCHLAND GMBH & CO. KG

Inventor： SCHÄFER, Michael ,  SCHMITT, Wolfgang ,  HEILMANN, Albert ,  NACHREINER, Jens

IPC: B22F1/00 ,  B23K35/34 ,  B23K35/36 ,  B23K35/365 ,  B23K35/02 ,  H01L23/00 ,  B22F7/04

CPC classification number: B22F1/0062 ,  B22F7/064 ,  B22F2001/0066 ,  B23K35/025 ,  B23K35/34 ,  B23K35/3602 ,  B23K35/3618 ,  B23K35/365 ,  H01L24/05 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/2731 ,  H01L2224/27312 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/27422 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29324 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/29364 ,  H01L2224/29369 ,  H01L2224/29386 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/2949 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/83055 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83211 ,  H01L2224/83424 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83444 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83464 ,  H01L2224/83469 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/0541 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01108 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/0549 ,  H01L2924/0544 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/00012

Abstract: Metallpaste, die (A) 75 bis 90 Gew.-% wenigstens eines Metalls, das in Form von Partikeln vorliegt, die ein Coating aufweisen, das wenigstens eine organische Verbindung enthält, und (B) 6 bis 20 Gew.-% organisches Lösemittel umfasst, dadurch gekennzeichnet, dass die Metallpaste ferner (C) 2 bis 10 Gew.-% mindestens eines Ammoniumtetrafluoroborats der Formel (NHR1R2R3) + (BF 4 ) - umfasst, wobei die Reste R1, R2 und R3 gleiche oder verschiedene Reste ausgewählt aus H und Kohlenwasserstoffresten mit jeweils ≤ 12 C-Atomen bedeuten.

Abstract translation: 金属浆料（A）75〜90重量％的至少一种金属存在于具有含有至少一种有机化合物，和（B）的涂层的颗粒的形式的6％至20重量有机溶剂的％ 其特征在于，所述金属糊料还包含（C）2〜10重量式中的至少一个Ammoniumtetrafluoroborats（NHR1R2R3）+的％（BF 4） - ，其中基团R1，R2和R3是选自H和烃基团的相同或不同的基团， 表示每个≤12个C原子。

公开(公告)号：WO2014029930A1

公开(公告)日：2014-02-27

申请号：PCT/FR2013/051852

申请日：2013-07-31

Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES

Inventor： ALIANE, Abdelkader ,  COPPARD, Romain ,  TALLAL, Jamal

IPC: H01L23/14 ,  H01L23/495 ,  H01L31/02 ,  H01L23/00 ,  H01L23/498 ,  H01L21/48 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L24/03 ,  H01L21/4867 ,  H01L21/563 ,  H01L23/145 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/02175 ,  H01L2224/0219 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03848 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/10156 ,  H01L2224/10175 ,  H01L2224/1131 ,  H01L2224/11332 ,  H01L2224/11515 ,  H01L2224/11848 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13187 ,  H01L2224/1601 ,  H01L2224/16505 ,  H01L2224/29035 ,  H01L2224/73103 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/81121 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/8123 ,  H01L2224/81409 ,  H01L2224/818 ,  H01L2224/8184 ,  H01L2224/819 ,  H01L2224/81948 ,  H01L2224/83102 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/053 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05552

Abstract: Ce procédé de fabrication d'un dispositif microélectronique comportant un premier composant (12) hybridé à un second composant (14) au moyen d'interconnexions électriques, consiste : à réaliser des premier et second composants (12, 14), le second composant (14) étant transparent à un rayonnement ultraviolet au moins au droit d'emplacements prévus pour les interconnexions; à former des éléments d'interconnexion (22) comprenant de l'oxyde de cuivre sur le second composant (14) aux emplacements prévus pour les interconnexions; à reporter les premier et second composants (12, 14) l'un sur l'autre; et à appliquer un rayonnement ultraviolet au travers le second composant (14) sur les éléments comprenant de l'oxyde de cuivre de manière à mettre en œuvre un recuit ultraviolet transformant l'oxyde de cuivre en cuivre.

Abstract translation: 用于制造包括通过电互连与第二部件（14）杂交的第一部件（12）的微电子器件的该工艺包括：产生第一和第二部件（12,14），第二部件（14）对于 紫外线辐射至少与提供给互连的位置一致; 在为所述互连提供的位置中形成在所述第二部件（14）上包含氧化铜的互连元件（22）; 将第一和第二部件（12,14）放置在另一个上; 以及通过所述第二部件（14）将紫外线辐射施加到包含氧化铜的元件上，以实现将所述氧化铜转化为铜的紫外线退火。

公开(公告)号：WO2013025728A1

公开(公告)日：2013-02-21

申请号：PCT/US2012/050817

申请日：2012-08-14

Applicant: SPECTRASENSORS, INC. ,  SCHREMPEL, Mathias ,  FEITISCH, Alfred ,  NEUBAUER, Gabi

Inventor： SCHREMPEL, Mathias ,  FEITISCH, Alfred ,  NEUBAUER, Gabi

IPC: H01S5/022 ,  H01S5/042 ,  H01L23/485

CPC classification number: H01S5/02272 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/0383 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05663 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/0567 ,  H01L2224/0568 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/05686 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15747 ,  H01S5/02212 ,  H01S5/0425 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/053 ,  H01L2924/049 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/00

Abstract: A first contact (310) surface of a semiconductor laser chip (302) is formed to a surface roughness selected to have a maximum peak to valley height that is substantially smaller than a diffusion barrier layer thickness. A diffusion barrier layer that includes a non-metallic, electrically-conducting compound and that has the barrier layer thickness is applied to the first contact surface, and the semiconductor laser chip is soldered to a carrier mounting (304) along the first contact surface using a solder composition (306) by heating the soldering composition to less than a threshold temperature at which dissolution of the barrier layer into the soldering composition occurs. Thereby the diffusion barrier remains contiguous. The non-metallic, electrically conducting compound may comprise at least one of titanium nitride, titanium oxy-nitride, tungsten nitride, cerium oxide and cerium gadolinium oxy-nitride

Abstract translation: 半导体激光芯片（302）的第一接触面（310）形成为选择为具有基本上小于扩散阻挡层厚度的最大峰谷高度的表面粗糙度。 包含非金属导电性化合物并且具有阻挡层厚度的扩散阻挡层被施加到第一接触表面，并且半导体激光器芯片沿着第一接触表面焊接到载体安装件（304），使用 焊料组合物（306）通过将焊料组合物加热到低于阻挡层溶入焊接组合物的阈值温度。 从而扩散屏障保持连续。 非金属导电化合物可以包括氮化钛，氮氧化钛，氮化钨，氧化铈和铈钆氧化氮化物中的至少一种

公开(公告)号：WO2010107542A1

公开(公告)日：2010-09-23

申请号：PCT/US2010/024589

申请日：2010-02-18

Applicant: ADVANCED MICRO DEVICES, INC. ,  ATI TECHNOLOGIES ULC ,  TOUZELBAEV, Maxat ,  BLACK, Bryan ,  YANG, Yizhang ,  REFAI-AHMED, Gamal

Inventor： TOUZELBAEV, Maxat ,  BLACK, Bryan ,  YANG, Yizhang ,  REFAI-AHMED, Gamal

IPC: H01L23/42

CPC classification number: H01L23/42 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/29076 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/29164 ,  H01L2224/29169 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/013 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

Abstract: Various semiconductor chip thermal interface material methods and apparatus are disclosed. In one aspect, a method of establishing thermal contact between a first semiconductor chip (15, 115) and a heat spreader (30) is provided. The method includes placing a thermal interface material layer (35, 35 ', 35 ", 35 " ', 35 " ") containing a support structure (40, 40') on the first semiconductor chip (15, 115). The heat spreader (30) is positioned proximate the thermal interface material layer (35, 35 ', 35 ", 35 " ', 35 " "). The thermal interface material layer (35, 35 ', 35 ", 35 " ', 35 "") is reflowed to establish thermal contact with both the first semiconductor chip (15, 115) and the heat spreader (30).

Abstract translation: 公开了各种半导体芯片热界面材料的方法和装置。 一方面，提供了在第一半导体芯片（15,115）和散热器（30）之间建立热接触的方法。 该方法包括将包含支撑结构（40,40'）的热界面材料层（35,35'，35“，35”'，35“）放置在第一半导体芯片（15,115）上。 散热器（30）位于热界面材料层（35,35'，35“，35”'，35“”）附近。 热界面材料层（35,35'，35“，35”'，35“”）被回流以与第一半导体芯片（15,115）和散热器（30）建立热接触。

公开(公告)号：WO2009072493A1

公开(公告)日：2009-06-11

申请号：PCT/JP2008/071883

申请日：2008-12-02

Applicant: 日立化成工業株式会社 ,  増子 崇 ,  川守 崇司 ,  満倉 一行 ,  加藤木 茂樹

Inventor： 増子 崇 ,  川守 崇司 ,  満倉 一行 ,  加藤木 茂樹

IPC: H01L21/60 ,  G03F7/004 ,  G03F7/037

CPC classification number: H01L24/27 ,  C08G18/8116 ,  C09J175/16 ,  C09J179/08 ,  G03F7/037 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/29076 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29499 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83194 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/351 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

Abstract: 　接続端子を有する基板３上に感光性接着剤（絶縁樹脂層７）を設ける第１の工程と、感光性接着剤を露光及び現像により、接続端子が露出する開口１３が形成されるようにパターニングする第２の工程と、開口１３に導電材を充填して導電層９を形成する第３の工程と、接続用電極部を有する半導体チップ５を感光性接着剤に直接接着すると共に、基板３の接続端子と半導体チップ５の接続用電極部とを導電層９を介して電気的に接続する第４の工程と、を備える、半導体装置１の製造方法。

Abstract translation: 公开了半导体装置（1）的制造方法。 该方法具有在具有连接端子的基板（3）上布置感光性粘合剂（绝缘树脂层（7））的第一步骤; 通过曝光和显影对感光性粘合剂进行图案化以形成连接端子从其露出的开口（13）的第二步骤; 通过用导电材料填充所述开口（13）形成导电层（9）的第三步骤; 以及将具有连接电极部分的半导体芯片（5）直接接合到所述感光性粘合剂并将所述基板（3）的连接端子与所述半导体芯片（5）的连接电极部分彼此电连接的第四步骤， 其间的导电层（9）。

公开(公告)号：WO2009003435A1

公开(公告)日：2009-01-08

申请号：PCT/DE2008/000776

申请日：2008-05-07

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  FISCHER, Helmut ,  EISSLER, Dieter ,  HEINDL, Alexander

Inventor： FISCHER, Helmut ,  EISSLER, Dieter ,  HEINDL, Alexander

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/78 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01L25/0753 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/12 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/90 ,  H01L24/95 ,  H01L24/97 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/22 ,  H01L33/382 ,  H01L33/44 ,  H01L2221/68322 ,  H01L2221/68354 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/81001 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/90 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/10158 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Bauelementen (1) angegeben, bei dem eine Mehrzahl von Halbleiterkörpern (2) mit jeweils einer Halbleiterschichtenfolge bereitgestellt wird. Weiterhin wird ein Bauelementträgerverbund (30) mit einer Mehrzahl von Anschlussflächen (35) bereitgestellt. Die Halbleiterkörper (2) werden relativ zum Bauelementträgerverbund (30) positioniert. Zwischen den Anschlussflächen (35) und den zugeordneten Halbleiterkörpern (2) wird eine elektrisch leitende Verbindung hergestellt und die Halbleiterkörper werden an dem Bauelementträgerverbund (30) befestigt. Die optoelektronischen Bauelemente (2) werden fertig gestellt, wobei für jedes optoelektronische Bauelement (1) ein Bauelementträger (3) aus dem Bauelementträgerverbund (30), auf dem die Halbleiterkörper (2) befestigt sind, ausgebildet wird. Ferner wird ein optoelektronisches Bauelement angegeben.

Abstract translation: 提供了一种用于生产光电元件（1）的，其中多个在每种情况下的半导体层序列设置有半导体本体（2）的。 此外，具有多个焊盘（35）的一个组件承载组件（30）设置。 该半导体主体（2）相对于所述分量载波组件（30）被定位。 连接面（35）和所分配的半导体本体（2）之间被制备，导电性化合物和半导体本体被紧固到部件载体复合物（30）。 光电子器件（2）完成，其中，对于每个光电部件（1）的分量载波（3）从在其上形成所述半导体主体（2）所连接的分量载波组件（30）。 此外，光电元件中指定。

公开(公告)号：WO2008109457A1

公开(公告)日：2008-09-12

申请号：PCT/US2008/055528

申请日：2008-02-29

Applicant: MICRON TECHNOLOGY, INC. ,  FARNWORTH, Warren, M.

Inventor： FARNWORTH, Warren, M.

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/78 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L21/561 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3157 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05618 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/013 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

Abstract: Packaged semiconductor components and methods for manufacturing packaged semiconductor components. In one embodiment a semiconductor component (100) comprises a die (20) having a semiconductor substrate (12) and an integrated circuit (26). The substrate has a first side (14), a second side (17), a sidewall between the first and second sides, a first indentation (21a) at the sidewall around a periphery of the first side, and a second indentation (21b) at the sidewall around a periphery of the second side. The component further includes a first exterior cover (51) at the first side and a second exterior cover (71) at the second side. The first exterior cover has a first extension (54) in the first indentation, and the second exterior cover has a second extension (74) in the second indentation. The first and second extensions are spaced apart from each other by an exposed portion (23) of the sidewall.

Abstract translation: 封装半导体元件和制造封装半导体元件的方法。 在一个实施例中，半导体部件（100）包括具有半导体衬底（12）和集成电路（26）的管芯（20）。 衬底具有第一侧面（14），第二侧面（17），第一和第二侧面之间的侧壁，在第一侧周围的侧壁处的第一凹部（21a）和第二凹部（21b） 在第二侧周围的侧壁处。 该部件还包括在第一侧的第一外盖（51）和在第二侧的第二外盖（71）。 第一外盖在第一压痕中具有第一延伸部（54），第二外盖在第二压痕中具有第二延伸部（74）。 第一和第二延伸部通过侧壁的暴露部分（23）彼此间隔开。

公开(公告)号：WO2008108413A1

公开(公告)日：2008-09-12

申请号：PCT/JP2008/053976

申请日：2008-03-05

Applicant: 京セラ株式会社 ,  石井 格

Inventor： 石井 格

IPC: H01L23/02 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/13 ,  B81C1/00269 ,  B81C2203/0109 ,  B81C2203/019 ,  H01L23/10 ,  H01L24/11 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05169 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13211 ,  H01L2224/13339 ,  H01L2224/13347 ,  H01L2224/13355 ,  H01L2224/1339 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29211 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/294 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 　本発明は、微小構造体装置の製造方法に関する。第２基板３の表面上に、ロウ材からなるボールと金属ボールとを含むペーストを塗布する塗布ステップと、ペーストを、ロウ材からなるボールの融点以上であって、かつ該ロウ材からなるボールおよび金属ボールにそれぞれ含まれる材料の化合物を介して金属ボール同士が連結される温度未満の温度に加熱する加熱ステップと、ペーストに第１基板２の表面を接触させて、第１基板と第２基板とを熱圧着し、第１基板および第２基板を、化合物と金属ボールとを介して接続する熱圧着ステップとを備えてなる。

Abstract translation: 公开了一种微结构装置的制造方法。该方法包括以下步骤：将含有由蜡质材料和金属球构成的球的糊状物施加到第二基板（3）的表面上的施加步骤; 加热步骤，用于将糊状物加热到由蜡质材料构成的球的熔融温度以上的温度，并且低于金属球通过形成的化合物形成的化合物彼此结合的温度 包含在由蜡质材料和包含金属球的材料组成的球中的材料; 以及热压缩步骤，用于在使糊状物与第一基板（2）的表面接触的同时热压第一基板（2）和第二基板（3），从而将第一基板（2）连接到第二基板 3）通过化合物和金属球。

公开(公告)号：WO2004105132A1

公开(公告)日：2004-12-02

申请号：PCT/IB2004/001596

申请日：2004-05-18

Applicant: AXALTO SA ,  SCHLUMBERGER MALCO, INC. ,  GROENINCK, Denis ,  BONVALOT, Béatrice

Inventor： GROENINCK, Denis ,  BONVALOT, Béatrice

IPC: H01L23/485

CPC classification number: H01L24/85 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02317 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45164 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48453 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48475 ,  H01L2224/48477 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48655 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/48669 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/48855 ,  H01L2224/48864 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85051 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/10161 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2224/78 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48869 ,  H01L2924/00015

Abstract: An electrical connection for a microelectronic chip, and a method for manufacturing such a connection. A method of manufacturing an electrical connection for a microelectronic chip, the microelectronic chip 3, 13, 23, 33 comprises at least one connection pad of reduced size 2, 2A, 2B, 2C, 2D, wherein the method of manufacturing comprises the steps of: - adding an additional layer 11, 11',11", 11A, 11B on the at least one connection pad, - bonding a wire 8 on the additional layer.

Abstract translation: 微电子芯片的电连接，以及制造这种连接的方法。 一种制造微电子芯片的电连接的方法，微电子芯片3,13,23,33包括至少一个尺寸减小的2A，2B，2C，2D的连接焊盘，其中制造方法包括以下步骤： ： - 在所述至少一个连接焊盘上添加附加层11,11'，11“，11A，11B， - 将所述附加层上的导线8接合。