金属材、およびこの金属材を用いた通電部品
    2.
    发明申请
    金属材、およびこの金属材を用いた通電部品 审中-公开
    使用金属材料的金属材料和电流承载组件

    公开(公告)号:WO2016027802A1

    公开(公告)日:2016-02-25

    申请号:PCT/JP2015/073121

    申请日:2015-08-18

    Abstract:  金属の基材と、基材の上に積層され、第4周期の遷移金属と酸素との化合物を主体とする金属化合物層と、金属化合物層の上に分散し、白金族元素を主体とする白金族部と、白金族部を覆い、白金族元素と酸素との化合物を主体とする白金族化合物被膜と、を含む、金属材。白金族部を構成する白金族元素は、Ru、Rh、OsおよびIrのうちの1種または2種以上であることが好ましい。

    Abstract translation: 一种金属材料,包括:金属基底; 层叠在基材上并主要由氧化合物和第四排过渡金属构成的金属化合物层; 铂族部分分散在金属化合物层的顶部,主要由铂族元素组成; 以及覆盖铂族部分并且主要由氧和铂族元素的化合物组成的铂族化合物涂膜。 构成铂族部分的铂族元素优选为选自Ru,Rh,Os和Ir中的一种或多种元素。

    薄膜太陽電池及び薄膜太陽電池の製造方法
    7.
    发明申请
    薄膜太陽電池及び薄膜太陽電池の製造方法 审中-公开
    薄膜太阳能电池和薄膜太阳能电池的生产方法

    公开(公告)号:WO2015005091A1

    公开(公告)日:2015-01-15

    申请号:PCT/JP2014/066310

    申请日:2014-06-19

    Abstract:  薄膜太陽電池は、基板11と、基板上に配置された第1電極層12と、第1電極層12上に配置されたI-III-VI 2 族化合物により形成されるp型光吸収層13と、p型光吸収層13上に配置されたn型の第2電極層15と、を備え、p型光吸収層13は、I族元素として、Cuを含み、III族元素として、Ga及びInを含み、p型光吸収層13の層全体におけるCuとIII族元素の原子数の比が1.0よりも低く、第2電極層15側の表面におけるGaとIII族元素の原子数の比が、0.13以下であり、第2電極層15側の表面におけるCuとIII族元素の原子数の比が、1.0以上である。

    Abstract translation: 一种薄膜太阳能电池,包括基板(11),布置在基板上的第一电极层(12),由设置在第一电极上的I-III-VI2族化合物形成的p型光吸收层(13) 层(12)和布置在p型光吸收层(13)上的n型第二电极层(15)。 p型光吸收层(13)包括Cu作为1族元素,并且包括Ga和In作为III族元素。 整个p型光吸收层(13)中Cu和III族元素之间的原子数比低于1.0; Ga和第二电极层(15)侧的表面中的III族元素之间的原子数比不大于0.13; 并且第二电极层(15)侧的表面中Cu与III族元素的原子序数比为1.0以上。

    摺動部材及びその製造方法
    8.
    发明申请
    摺動部材及びその製造方法 审中-公开
    滑动构件及其制造方法

    公开(公告)号:WO2014115457A1

    公开(公告)日:2014-07-31

    申请号:PCT/JP2013/084212

    申请日:2013-12-20

    Abstract:  摺動部材は、基材と、基材の表面上に形成されている、クロムを主成分とする硬質クロムめっき層と、硬質クロムめっき層上に形成されている、炭素元素を主として構成される硬質炭素層とを有する。硬質クロムめっき層の水素濃度は、150質量ppm以下である。 摺動部材の製造方法は、上述の摺動部材を作製するに当たり、表面上にクロムを主成分とする硬質クロムめっき層が形成された基材の表面を、250℃以上の温度で加熱処理して、硬質クロムめっき層の水素濃度を150質量ppm以下とし、しかる後、硬質クロムめっき層上に炭素元素を主として構成される硬質炭素層を形成する製造方法である。

    Abstract translation: 该滑动构件包括:底座; 形成在基体表面上并主要由铬构成的硬铬镀层; 以及形成在硬铬镀层上的主要由元素碳构成的硬碳层。 硬铬镀层的氢浓度为150质量ppm以下。 这种滑动部件的制造方法是上述滑动部件的制造方法,其中形成有主要由铬组成的硬铬镀层的基体的表面在 温度为250℃以上,使得硬铬镀层的氢浓度为150质量ppm以下,之后,在硬铬镀层上形成主要由元素碳构成的硬碳层。

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