公开(公告)号：WO2014178421A1

公开(公告)日：2014-11-06

申请号：PCT/JP2014/062066

申请日：2014-05-01

Applicant: 富士フイルム株式会社

Inventor： 杉島　泰雄 ,  高橋　智美 ,  小山　朗子 ,  上村　哲也

IPC: H01L21/308 ,  H01L21/28 ,  H01L21/306

CPC classification number: C23F1/32 ,  C23F1/38 ,  C23F1/40 ,  C23F1/44 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/32134 ,  H01L29/665 ,  H01L29/7833

Abstract: 　ゲルマニウム（Ｇｅ）を含む第一層と、ゲルマニウム（Ｇｅ）以外の特定金属元素を含む第二層とを有する半導体基板について、第二層を選択的に除去するエッチング液であって、有機アルカリ化合物を含むエッチング液。

Abstract translation: 本发明是一种蚀刻溶液，对于具有包括锗（Ge）的第一层和包含除锗（Ge）之外的特定金属元素的第二层的半导体衬底，选择性地除去第二层，所述蚀刻 溶液，包括有机碱化合物。

公开(公告)号：WO2006069738A8

公开(公告)日：2007-08-02

申请号：PCT/EP2005013909

申请日：2005-12-22

Applicant: BASF AG ,  SEELMANN-EGGEBERT HANS-PETER ,  OETTER GUENTER ,  BERASTAIN ARTURO ,  OSTOS RIOS CESAR

Inventor： SEELMANN-EGGEBERT HANS-PETER ,  OETTER GUENTER ,  BERASTAIN ARTURO ,  OSTOS RIOS CESAR

IPC: C22B11/08

CPC classification number: C22B3/08 ,  C22B3/16 ,  C22B11/046 ,  C22B11/08 ,  C22B15/0071 ,  C22B15/0076 ,  C23F1/40 ,  Y02P10/214 ,  Y02P10/234 ,  Y02P10/236

Abstract: The invention relates to a composition for cyanide lixiviation, comprising at least one non-ionic surfactant, and to a method for the production of metals using the above-mentioned composition.

Abstract translation: 描述了一种用于氰化浸出，其包含至少一种非离子表面活性的组合物，以及用于提取金属，尤其是金，银，铂使用上述组合物的方法。

公开(公告)号：WO2006101638B1

公开(公告)日：2007-02-15

申请号：PCT/US2006005839

申请日：2006-02-17

Applicant: MOTOROLA INC ,  DUNN GREGORY J ,  CROSWELL ROBERT T ,  MAGERA JAROSLAW A ,  SAVIC JOVICA ,  TUNGARE AROON V

Inventor： DUNN GREGORY J ,  CROSWELL ROBERT T ,  MAGERA JAROSLAW A ,  SAVIC JOVICA ,  TUNGARE AROON V

IPC: H01L21/302

CPC classification number: C23F1/40 ,  C23F1/02 ,  C23F1/32 ,  C23F1/34 ,  H05K1/162 ,  H05K3/0044 ,  H05K3/025 ,  H05K3/06 ,  H05K3/429 ,  H05K2201/0175 ,  H05K2201/0179 ,  H05K2201/09309 ,  H05K2201/09509 ,  H05K2203/025 ,  H05K2203/0746

Abstract: A method is disclosed for fabricating a patterned embedded capacitance layer. The method includes fabricating (1305, 1310) a ceramic oxide layer (510) overlying a conductive metal layer (515) overlying a printed circuit substrate (505), perforating (1320) the ceramic oxide layer within a region (705), and removing (1325) the ceramic oxide layer and the conductive metal layer in the region by chemical etching of the conductive metal layer. The ceramic oxide layer may be less than 1 micron thick.

Abstract translation: 公开了一种制造图案化的嵌入式电容层的方法。 该方法包括制造（1305,1310）覆盖覆盖在印刷电路基板（505）上的导电金属层（515）的陶瓷氧化物层（510），在区域（705）内对陶瓷氧化物层进行穿孔（1320） （1325）通过导电金属层的化学蚀刻在该区域中的陶瓷氧化物层和导电金属层。 陶瓷氧化物层可以小于1微米厚。

公开(公告)号：WO2017061217A1

公开(公告)日：2017-04-13

申请号：PCT/JP2016/076144

申请日：2016-09-06

Applicant: 日新製鋼株式会社

Inventor： 齋田　知明 ,  田井　善一 ,  今川　一成

IPC: C23F1/00 ,  C22C38/00 ,  C22C38/58 ,  C23F1/40

CPC classification number: C22C38/00 ,  C22C38/58 ,  C23F1/00 ,  C23F1/40

Abstract: 海塩粒子の影響を受けるウォーターフロント環境でも、早期に発銹することのない、耐食性に優れたステンレス鋼管及びその製造方法を提供すること。　研磨目をステンレス鋼管の表面に有し、着色を有する酸化皮膜が該表面上に存在せず、該表面上における表面欠陥が抑制された、孔食電位が０．４Ｖ以上である、耐食性に優れたステンレス鋼管。

Abstract translation: 提供了具有优异的耐腐蚀性的不锈钢管，即使在受海盐颗粒影响的海滨环境中也不会过早生锈，并且提供了其制造方法。 这种耐腐蚀性优异的不锈钢管在不锈钢管表面上具有抛光痕迹，在所述表面上没有着色的氧化物膜，表面上的表面缺陷被抑制，点蚀电位为0.4V以上。

公开(公告)号：WO2015134575A1

公开(公告)日：2015-09-11

申请号：PCT/US2015/018686

申请日：2015-03-04

Applicant: UNIVERSITY OF WASHINGTON

Inventor： WANG, Liguo

IPC: H01J37/26 ,  H01J37/244 ,  H01L21/44 ,  H01L33/42

CPC classification number: H01J37/16 ,  C23F1/40 ,  C23F4/00 ,  H01J37/20 ,  H01J37/26 ,  H01J37/261 ,  H01J2237/2001 ,  H01J2237/2002 ,  H01J2237/2003 ,  H01J2237/2004

Abstract: AA grid assembly for cryo-electron microscopy may be fabricated using standard nanofabrication processes. The grid assembly may comprise two support members, each support member comprising a silicon substrate coated with an electron-transparent silicon nitride layer. These two support members are positioned together with the silicon nitride layers facing each other with a rigid spacer layer disposed there between. The rigid spacer layer defines one or more chambers in which a biological sample may be provided and fast frozen with a high degree of control of the ice thickness.

Abstract translation: 用于低温电子显微镜的AA网格组件可以使用标准的纳米制造工艺制造。 栅格组件可以包括两个支撑构件，每个支撑构件包括涂覆有电子透明氮化硅层的硅衬底。 这两个支撑构件与其间设置有刚性间隔层的彼此面对的氮化硅层一起定位。 刚性间隔层限定一个或多个室，其中可以提供生物样品并以高度控制冰厚度快速冷冻。

公开(公告)号：WO2015054464A1

公开(公告)日：2015-04-16

申请号：PCT/US2014/059848

申请日：2014-10-09

Applicant: E. I. DU PONT DE NEMOURS AND COMPANY ,  EKC TECHNOLOGY INC

Inventor： CUI, Hua

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/02063 ,  C11D3/39 ,  C11D3/395 ,  C11D11/0047 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  C23F1/28 ,  C23F1/34 ,  C23F1/38 ,  C23F1/40 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32134

Abstract: The present disclosure relates to a method for removing a hard mask consisting essentially of TiN, TaN, TiNxOy, TiW, W, Ti and alloys of Ti and W from a semiconductor substrate. The method comprising contacting the semiconductor substrate with a removal composition. The removal composition comprises 0.1 wt% to 90 wt% of an oxidizing agent; 0.0001 wt% to 50 wt% of a carboxylate; and the balance up to 100 wt% of the removal composition comprising deionized water.

Abstract translation: 本公开涉及一种从半导体衬底去除基本上由TiN，TaN，TiN x O y，TiW，W，Ti以及Ti和W的合金组成的硬掩模的方法。 该方法包括使半导体衬底与去除组合物接触。 去除组合物包含0.1重量％至90重量％的氧化剂; 0.0001重量％至50重量％的羧酸酯; 并且其余至多100重量％的去除组合物包含去离子水。

公开(公告)号：WO2013137192A1

公开(公告)日：2013-09-19

申请号：PCT/JP2013/056636

申请日：2013-03-11

Applicant: 株式会社フジミインコーポレーテッド

Inventor： 玉田　修一 ,  鎗田　哲

IPC: H01L21/304 ,  C09K3/14

CPC classification number: C09G1/02 ,  C09K3/1409 ,  C09K3/1436 ,  C09K3/1463 ,  C23F1/30 ,  C23F1/40 ,  C23F3/02 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/3212

Abstract: 　本発明は、ＩＶ族材料を含有する部分を有する研磨対象物を研磨した際、エッチングを原因とした段差が研磨対象物の表面に生じることを抑えることができる研磨用組成物を提供する。本発明は、ＩＶ族材料を含有する部分を有する研磨対象物を研磨する用途で使用される研磨用組成物であって、酸化剤と防食剤とを含有する研磨用組成物である。防食剤は、分子内に含有される２個以上のカルボニル基が分子内で炭素原子を介して結合した化合物からなる群より選択される少なくとも１種であることが好ましい。より具体的には、１，３－ジケトン化合物、１，４－ジケトン化合物およびトリケトン化合物からなる群より選択される少なくとも１種であることが好ましい。

Abstract translation: 本发明提供了一种抛光组合物，当抛光包含含有IV族材料的部分的抛光对象时，可以抑制由于蚀刻导致的抛光对象表面上的电平差异的产生。 本发明是一种抛光组合物，用于涉及抛光对象的应用，该抛光对象包括含IV族材料的部分，抛光组合物含有氧化剂和防腐蚀剂。 防腐蚀剂优选为选自由分子内具有至少两个羰基的至少两个羰基通过碳原子结合的化合物中的至少一种。 更具体地说，防腐剂优选为选自1,3-二酮化合物，1,4-二酮化合物和三酮化合物中的至少一种。

公开(公告)号：WO2007049750A1

公开(公告)日：2007-05-03

申请号：PCT/JP2006/321512

申请日：2006-10-27

Applicant: 関東化学株式会社 ,  高橋 秀樹

Inventor： 高橋 秀樹

IPC: H01L21/306 ,  C23F1/40

CPC classification number: C23F1/40 ,  C09K13/00 ,  C23F1/00 ,  H01L21/32134

Abstract: 本発明のエッチング液は、パラジウムと金とが共存する材料をエッチングするヨウ素系エッチング液であって、含窒素五員環化合物、アルコール化合物、アミド化合物、ケトン化合物、チオシアン酸化合物、アミン化合物およびイミド化合物からなる群から選ばれた少なくとも１種の添加剤を含有し、パラジウムと金に対するエッチングレート比（パラジウムに対するエッチングレート／金に対するエッチングレート）が１以上である。    

Abstract translation: 公开了一种用于蚀刻其中钯和金共存的材料的碘基蚀刻溶液。 该蚀刻溶液含有至少一种选自含氮五元环化合物，醇化合物，酰胺化合物，酮化合物，硫氰酸化合物，胺化合物和酰亚胺化合物的添加剂。 钯和金之间的蚀刻速率比（钯的蚀刻速率/金的蚀刻速率）不小于1。

公开(公告)号：WO2017014016A1

公开(公告)日：2017-01-26

申请号：PCT/JP2016/069350

申请日：2016-06-29

Applicant: 凸版印刷株式会社

Inventor： 三上　菜穂子 ,  田村　純香 ,  寺田　玲爾 ,  倉田　真嗣 ,  藤戸　大生 ,  西辻　清明 ,  西　剛広

IPC: C23C14/04 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10

CPC classification number: B21B3/02 ,  B21B1/227 ,  B21B2261/04 ,  B32B15/015 ,  B32B15/04 ,  C23C14/042 ,  C23C16/042 ,  C23F1/28 ,  C23F1/40 ,  H01L51/0015

Abstract: 表面と、表面とは反対側の面である裏面とを備える金属圧延シートのうち、表面および裏面の少なくとも一方が処理対象である。メタルマスク用基材の製造方法は、処理対象を酸性エッチング液によって３μｍ以上エッチングすることによって、金属圧延シートが有する厚さを１０μｍ以下まで薄くするとともに、０．２μｍ以上の表面粗さＲｚを有したレジスト用処理面となるように処理対象を粗らし、金属製のメタルマスク用シートを得る。

Abstract translation: 对于具有前表面和后表面的前表面的后表面的轧制金属板，前表面和后表面中的至少一个是待处理的表面。 一种金属掩模用基材的制造方法，其特征在于，通过使用酸性蚀刻液将3μm以上的被处理表面进行蚀刻而使轧制金属板的厚度为10μm以下，被处理面为 粗糙化，得到表面粗糙度Rz为0.2μm以上的抗蚀剂的被处理面，得到金属掩模用金属片。

公开(公告)号：WO2014178424A1

公开(公告)日：2014-11-06

申请号：PCT/JP2014/062069

申请日：2014-05-01

Applicant: 富士フイルム株式会社

Inventor： 上村　哲也 ,  小山　朗子 ,  高橋　智美 ,  水谷　篤史 ,  杉島　泰雄

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/28 ,  H01L21/308

CPC classification number: H01L21/30604 ,  C23F1/38 ,  C23F1/40 ,  C23F1/44 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/324 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/16 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/665 ,  H01L29/7833

Abstract: 　ゲルマニウム（Ｇｅ）を含む第一層と、ニッケルプラチナ（ＮｉＰｔ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、およびコバルト（Ｃｏ）から選ばれる少なくとも１種の特定金属元素を含む第二層とを有する半導体基板について、第二層を選択的に除去するエッチング方法であって、アルカリ化合物を含むエッチング液を第二層に接触させて第二層を除去する半導体基板のエッチング方法。

Abstract translation: 本发明是一种蚀刻方法，对于具有包括锗（Ge）的第一层的半导体衬底和包括选自镍铂（NiPt），钛（Ti）的至少一种特定金属元素的第二层的半导体衬底 ），镍（Ni）和钴（Co），选择性地除去第二层，所述蚀刻方法通过使包含有机碱性化合物的蚀刻溶液与第二层接触来去除第二层。