公开(公告)号：WO2014038306A1

公开(公告)日：2014-03-13

申请号：PCT/JP2013/070254

申请日：2013-07-19

Applicant: 日本電気株式会社 ,  国立大学法人東北大学

Inventor： 崎村　昇 ,  根橋　竜介 ,  杉林　直彦 ,  松永　翔雲 ,  羽生　貴弘 ,  大野　英男

IPC: G06F17/30 ,  G11C15/04

CPC classification number: G11C15/02 ,  G11C15/046

Abstract: 　全文検索システムは、不揮発性連想メモリとインデックス記憶部を含む文字列検索部を備える。転置インデックスに対して、索引語の文字列コードが上記不揮発性連想メモリに記憶される。上記文字列検索部は、上記不揮発性連想メモリにおいて、入力部から入力された検索語に一致する索引語のコードが検出されると、その番地を基に上記インデックス記憶部を参昭して文書ＩＤをはじめとする関連情報を取り出す。

Abstract translation: 全文搜索系统包括包括非易失性内容可寻址存储器和索引存储单元的文本串搜索单元。 对于反转索引，索引字的文本字符串代码被存储在非易失性内容可寻址存储器中。 当在与通过输入单元输入的搜索词相匹配的非易失性内容可寻址存储器中找到索引代码时，文本串搜索单元基于该数量查询索引存储单元并提取链接信息 作为文件ID。

公开(公告)号：WO2010097257A1

公开(公告)日：2010-09-02

申请号：PCT/EP2010/050797

申请日：2010-01-25

Applicant: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION ,  LASTRAS-MONTANO, Luis ,  FRANCESCHINI, Michele ,  LAM, Chung, Hon ,  RAJENDRAN, Bipin

Inventor： LASTRAS-MONTANO, Luis ,  FRANCESCHINI, Michele ,  LAM, Chung, Hon ,  RAJENDRAN, Bipin

IPC: G11C15/00 ,  G11C15/02 ,  G11C15/04

CPC classification number: G11C15/00 ,  G11C7/1006 ,  G11C13/0004 ,  G11C15/02 ,  G11C15/046

Abstract: A content addressable memory using encoded data words and search words, and techniques for operating such device. In one embodiment, the data word is transformed into a code word guaranteeing a mismatch of at least two code word bits of different binary values during the memory search operation when the data word does not match a search word. In another embodiment, the search word is transformed into a search code such that the Hamming distance between the code word and the search code is greater than a given threshold when there is a mismatch of at least one bit between the data word and the search word.

Abstract translation: 使用编码数据字和搜索词的内容可寻址存储器，以及用于操作这样的设备的技术。 在一个实施例中，当数据字与搜索词不匹配时，数据字被转换成保证在存储器搜索操作期间不同二进制值的至少两个码字位的失配的码字。 在另一个实施例中，搜索词被变换成搜索码，使得当数据字和搜索词之间存在至少一个比特的不匹配时，码字和搜索码之间的汉明距离大于给定阈值 。

公开(公告)号：WO2002061756A1

公开(公告)日：2002-08-08

申请号：PCT/US2002/000791

申请日：2002-01-11

Applicant: MOTOROLA, INC.

Inventor： NAJI, Peter, K.

IPC: G11C15/02

CPC classification number: G11C15/02 ,  G06F12/0802 ,  G06F12/0895 ,  G06F2212/222 ,  G11C15/046

Abstract: A non-volatile, bistable magnetic tunnel junction cache memory (15) includes a cache tag array (16) and a cache data array (18). The cache tag array includes non-volatile magnetic memory tag cells (17) arranged in rows and columns. Each row of the tag array includes a word line and a digit line associated with each tag cell in the row. The cache data array includes non-volatile magnetic memory data cells (19) arranged in rows and columns. The rows of the data array correspond with the rows of the tag array and each row of the data array is magnetically associated with the word line and the digit line associated with each corresponding row of the tag array.

Abstract translation: 非挥发性双稳态磁隧道结缓存存储器（15）包括高速缓存标签阵列（16）和高速缓存数据阵列（18）。 高速缓存标签阵列包括以行和列排列的非易失性磁记录标签单元（17）。 标签阵列的每一行包括与行中的每个标记单元相关联的字线和数字线。 高速缓存数据阵列包括以行和列排列的非易失性磁存储器数据单元（19）。 数据阵列的行对应于标签阵列的行，并且数据阵列的每一行与字线和与标签阵列的每个对应行相关联的数字线磁性地相关联。

公开(公告)号：WO2019032455A1

公开(公告)日：2019-02-14

申请号：PCT/US2018/045379

申请日：2018-08-06

Applicant: QUALCOMM INCORPORATED

Inventor： SHIN, Hyunsuk ,  KIM, Jung Pill ,  KIM, Sungryul

IPC: G06F12/0804 ,  G06F12/0891 ,  G11C7/10 ,  G11C11/4063

CPC classification number: G11C11/1673 ,  G06F11/1012 ,  G06F11/1048 ,  G06F12/0895 ,  G06F13/4204 ,  G06F2212/6046 ,  G11C7/1006 ,  G11C11/1655 ,  G11C11/1675 ,  G11C11/4063 ,  G11C13/0069 ,  G11C15/00 ,  G11C15/02 ,  G11C15/046 ,  G11C29/50 ,  G11C2013/0076 ,  G11C2029/0411 ,  H03M13/2906

Abstract: Data bit inversion tracking in cache memory to reduce data bits written for write operations is disclosed. In one aspect, a cache memory including a cache controller and a cache array is provided. The cache array includes one or more cache entries, each of which includes a cache data field and a bit change track field. The cache controller compares a current cache data word to a new data word to be written and stores a bit track change word representing the difference (i.e., inverted bits) between the current cache data word and the new data word in the bit change track field. By using the bit track change word stored in the bit change track field to determine whether fewer bit writes are required to write data in an inverted or a non-inverted form, power consumption can be reduced for write operations through reduced bit write operations.

公开(公告)号：WO2014141566A1

公开(公告)日：2014-09-18

申请号：PCT/JP2013/084908

申请日：2013-12-26

Applicant: 長瀬産業株式会社

Inventor： 大塚　寛治 ,  佐藤　陽一 ,  秋山　豊 ,  藤井　文明 ,  長澤　達也 ,  上井　稔

IPC: G11C15/04 ,  G06F17/30

CPC classification number: G11C15/046 ,  G06F17/30982 ,  G11C8/12 ,  G11C15/02 ,  G11C15/04 ,  Y02D10/45

Abstract: 【課題】低電力性と高速検索の機能とを実現する新規の半導体装置及びそれを用いた方法を提供する。 【解決手段】本発明の半導体装置は、ｙ軸方向にエントリアドレスを登録する場所が割り当てられ、ｘ軸方向にキーデータが割り当てられる構成を持つ検索メモリマット１０２と、検索メモリマットに接続された制御回路１０５と、を備える。検索メモリマットは、キーデータが割り当てられる領域をｙ軸方向に沿って複数に分割することにより、複数の分割メモリが形成されている。制御回路は、キーデータが入力される入力部１０５１と、入力部に入力されたキーデータを複数に分割する分割部１０５２と、分割部が分割したキーデータのそれぞれを当該分割したキーデータをアドレスとして分割メモリに割り当てて、当該分割したキーデータのそれぞれに対応するエントリアドレスを当該分割メモリに書き込む書込部１０５３と、を有する。

Abstract translation: [问题]提供实现高速搜索的低功率使用和功能的新的半导体器件以及使用该半导体器件的方法。 [解决方案]该半导体器件具有：搜索存储器垫（102），其具有在y轴方向上分配登记入口地址的位置，并且在x轴方向上分配密钥数据的配置; 以及连接到搜索存储器垫的控制电路（105）。 对于搜索存储器垫，通过分割沿着y轴方向分配密钥数据的区域来形成多个分割存储器单元。 控制电路具有：输入单元（1051），其中键入数据; 划分单元（1052），其分割已经输入到输入单元中的关键数据; 以及写入单元（1053），其将由分割单元划分的密钥数据分配为分区存储器单元的地址，并将与分割的密钥数据相对应的结束地址写入分区存储单元。

公开(公告)号：WO2014038341A1

公开(公告)日：2014-03-13

申请号：PCT/JP2013/071443

申请日：2013-08-01

Applicant: 日本電気株式会社 ,  国立大学法人東北大学

Inventor： 崎村　昇 ,  根橋　竜介 ,  杉林　直彦 ,  松永　翔雲 ,  羽生　貴弘 ,  大野　英男

IPC: G11C15/02 ,  G11C11/15 ,  G11C15/04

CPC classification number: G11C15/046 ,  G11C15/02

Abstract: 　不揮発性連想メモリセルは、第１及び第２の抵抗変化素子Ｒｊ，Ｒｊｂを含む。第１及び第２の抵抗変化素子の一方の端子ｎ２、ｎ３には、ワード線ＷＬにゲートが共通接続されたトランジスタＭ３，Ｍ４を介してビット線ＢＬ，／ＢＬがそれぞれ接続され、他方の端子にはプレート線ＰＬが共通接続される。また、第１及び第２の抵抗変化素子の一方の端子には、サーチ線ＳＬ，／ＳＬがそれぞれゲートに接続されたトランジスタＭ１，Ｍ２が接続される。トランジスタＭ１，Ｍ２には、トランジスタＭ５を介して電源が接続されるとともにトランジスタＭ６を介して出力線であるマッチ線ＭＬに接続される。

Abstract translation: 非易失性内容可寻址存储单元包括第一和第二电阻变化元件（Rj，Rjb）。 位线（BL，/ BL）分别经由其栅极共同连接到字线（WL）的晶体管（M3，M4）连接到第一和第二电阻变化元件的一个端子（n2，n3） 并且板线（PL）与其他端子共同连接。 分别连接有搜索线（SL，/ SL）的栅极的晶体管（M1，M2）连接到第一和第二电阻变化元件的一个端子。 电源通过晶体管（M5）连接到晶体管（M1，M2），并且作为输出线的匹配线（ML）经由晶体管（M6）连接到晶体管（M1，M2）。

公开(公告)号：WO2008040561A3

公开(公告)日：2008-05-22

申请号：PCT/EP2007008702

申请日：2007-10-08

Applicant: CROCUS TECHNOLOGY SA ,  NOZIERES JEAN-PIERRE ,  JAVERLIAC VIRGILE

Inventor： NOZIERES JEAN-PIERRE ,  JAVERLIAC VIRGILE

IPC: G11C11/16

CPC classification number: G11C15/046 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  G11C15/02

Abstract: A content-addressable random access memory having magnetic tunnel junction-based memory cells and methods for making and using same. The magnetic tunnel junction has first and second magnetic layers and can act as a data store and a data sense. Within each cell, registered data is written by setting a magnetic orientation of the first magnetic layer in the magnetic tunnel junction via current pulses in one or more current lines. Input data for comparison with the registered data can be similarly set through the magnetic orientation of the second magnetic layer via the current lines. The data sense is performed by measuring cell resistance, which depends upon the relative magnetic orientation of the magnetic layers. Since data storage, data input, and data sense are integrated into one cell, the memory combines higher densities with non- volatility. The memory can support high speed, reduced power consumption, and data masking.

Abstract translation: 具有基于磁性隧道结的存储单元的内容寻址随机存取存储器及其制造和使用方法。 磁隧道结具有第一和第二磁层，并且可以充当数据存储和数据传感。 在每个单元内，通过在一个或多个电流线中通过电流脉冲设置磁隧道结中第一磁层的磁取向来写入寄存数据。 用于与登记数据进行比较的输入数据可以类似地通过第二磁性层经由电流线的磁性定向来设定。 数据传感是通过测量单元电阻来实现的，这取决于磁性层的相对磁性取向。 由于数据存储，数据输入和数据传感都集成到一个单元中，因此内存将更高的密度与非易失性相结合。 内存可以支持高速，低功耗和数据屏蔽。

公开(公告)号：WO2016090515A1

公开(公告)日：2016-06-16

申请号：PCT/CL2015/050049

申请日：2015-12-10

Applicant: UNIVERSIDAD DE SANTIAGO DE CHILE ,  UNIVERSIDAD FEDERAL DO RIO DE JANEIRO

Inventor： ESCOBAR DONOSO, Roberto Alejandro ,  ALLENDE PRIETO, Sebastián Eduardo ,  VARGAS AYALA, Nicolas Manuel ,  CASTILLO SEPÚLVEDA, Sebastián Rodrigo ,  ALTBIR DRULLINSKY, Dora Rosa ,  D'ALBUQUERQUE E CASTRO, Jose ,  PEREIRA BAHIANA, Monica

IPC: G11C11/02 ,  G11C11/10 ,  G11C11/56 ,  G11C15/02 ,  G11C19/08 ,  B82Y25/00

CPC classification number: B82Y25/00 ,  G11C11/02 ,  G11C11/10 ,  G11C11/56 ,  G11C15/02 ,  G11C19/08

Abstract: Medio de almacenamiento magnético de alta densidad que está provisto de partículas ferromagnéticas de baja simetría, en donde estas partículas están formadas por segmentos o barras, o sistemas de barras y combinaciones de estas que forman estructuras de diferentes geometrías.

Abstract translation: 本发明涉及一种设置有低对称铁磁性颗粒的高密度磁存储介质，其中所述颗粒由段或条形成，或者是棒状体系和形成不同几何形状结构的所述棒的组合。

公开(公告)号：WO2010137573A1

公开(公告)日：2010-12-02

申请号：PCT/JP2010/058782

申请日：2010-05-25

Applicant: 日本電気株式会社 ,  根橋 竜介 ,  崎村 昇 ,  杉林 直彦 ,  多田 あゆ香

Inventor： 根橋　竜介 ,  崎村　昇 ,  杉林　直彦 ,  多田　あゆ香

IPC: G11C15/04 ,  G11C11/15

CPC classification number: G11C15/02 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1675 ,  G11C15/046

Abstract: 　各ＣＡＭセルは、不揮発性記憶部、電位保持部、及び一致検出部を備える。不揮発性記憶部は、第１、第２書き込みビット線間をつなぐ書き込み電流配線、第１ＭＴＪ、及び第２ＭＴＪを有する。書き込み電流は、書き込み電流配線を通して第１、第２書き込みビット線間を流れる。その書き込み電流によって、第１ＭＴＪに記憶データが書き込まれ、第２ＭＴＪに反転データが書き込まれる。電位保持部は、記憶データに応じた電位を保持する第１ノードと、反転データに応じた電位を保持する第２ノードとを有する。一致検出部は、第１ノード、第２ノード、及び検索データに応じた電位が印加されるサーチ線に接続される。検索データが記憶データに一致する場合、一致検出部はマッチ線を第１状態に設定する。検索データが反転データに一致する場合、一致検出部はマッチ線を第２状態に設定する。

Abstract translation: 公开了一种非易失性CAM，其中每个CAM单元设置有非易失性存储部分，电位保持部分和重合检测部分。 非易失性存储部分具有：写入连接第一和第二写位线的当前布线，第一MTJ和第二MTJ。 写入电流通过写入电流布线在第一和第二写入位线之间流动。 存储数据被写入第一MTJ，并且逆数据由写入电流写入第二MTJ。 潜在保持部分具有保持取决于存储数据的电位的第一节点和保持取决于逆数据的电位的第二节点。 符合检测部分与根据第一节点，第二节点和搜索数据应用电位的搜索线连接。 如果搜索数据与存储数据一致，则重合检测部分将匹配线设置为第一状态。 如果搜索数据与逆数据一致，则符合检测部分将匹配线设置为第二状态。

公开(公告)号：WO2008040561A2

公开(公告)日：2008-04-10

申请号：PCT/EP2007/008702

申请日：2007-10-08

Applicant: CROCUS TECHNOLOGY S.A. ,  NOZIERES, Jean-Pierre ,  JAVERLIAC, Virgile

Inventor： NOZIERES, Jean-Pierre ,  JAVERLIAC, Virgile

IPC: G11C11/15

CPC classification number: G11C15/046 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  G11C15/02

Abstract: A content-addressable random access memory having magnetic tunnel junction-based memory cells and methods for making and using same. The magnetic tunnel junction has first and second magnetic layers and can act as a data store and a data sense. Within each cell, registered data is written by setting a magnetic orientation of the first magnetic layer in the magnetic tunnel junction via current pulses in one or more current lines. Input data for comparison with the registered data can be similarly set through the magnetic orientation of the second magnetic layer via the current lines. The data sense is performed by measuring cell resistance, which depends upon the relative magnetic orientation of the magnetic layers. Since data storage, data input, and data sense are integrated into one cell, the memory combines higher densities with non- volatility. The memory can support high speed, reduced power consumption, and data masking.

Abstract translation: 一种具有磁性隧道结的存储单元的内容寻址随机存取存储器及其制造和使用方法。 磁隧道结具有第一和第二磁性层，并且可以用作数据存储和数据感测。 在每个单元内，通过在一个或多个电流线路中经由电流脉冲设置磁性隧道结中的第一磁性层的磁性取向来写入登记数据。 用于与登记数据进行比较的输入数据可以通过第二磁性层经由电流线的磁取向相似地设定。 数据检测通过测量电池电阻来执行，这取决于磁性层的相对磁性取向。 由于数据存储，数据输入和数据检测被集成到一个单元中，因此存储器将较高的密度与非易失性相结合。 内存可以支持高速，降低功耗和数据屏蔽。