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    WAFER DICING USING HYBRID LASER SCRIBING AND PLASMA ETCH APPROACH WITH MASK PLASMA TREATMENT FOR IMPROVED MASK ETCH RESISTANCE
    1.
    发明申请
    WAFER DICING USING HYBRID LASER SCRIBING AND PLASMA ETCH APPROACH WITH MASK PLASMA TREATMENT FOR IMPROVED MASK ETCH RESISTANCE 审中-公开
    使用混合激光切割和等离子体蚀刻方法进行抛光加工，具有改进的掩模抗蚀性的掩模等离子体处理

    公开(公告)号：WO2015116389A1

    公开(公告)日：2015-08-06

    申请号：PCT/US2015/011479

    申请日：2015-01-14

    Applicant: APPLIED MATERIALS, INC.

    Inventor： LEI, Wei-Sheng ,  EATON, Brad ,  KUMAR, Ajay ,  PAPANU, James S. ,  PARK, Jungrae

    IPC: H01L21/301

    CPC classification number: H01L21/78 ,  B23K26/361 ,  B23K2203/172 ,  B23K2203/50 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31127 ,  H01L21/67207

    Abstract: Methods of dicing semiconductor wafers, each wafer having a plurality of integrated circuits, are described. In an example, a method of dicing a semiconductor wafer having a plurality of integrated circuits involves forming a mask above the semiconductor wafer, the mask including a layer covering and protecting the integrated circuits. The mask is exposed to a plasma treatment process to increase an etch resistance of the mask. The mask is patterned with a laser scribing process to provide gaps in the mask, the gaps exposing regions of the semiconductor wafer between the integrated circuits. Subsequent to exposing the mask to the plasma treatment process, the semiconductor wafer is plasma etched through the gaps in the mask to singulate the integrated circuits.

    Abstract translation: 对半导体晶片的切割方法，具有多个集成电路的各晶片进行说明。 在一个例子中，对具有多个集成电路的半导体晶片进行切割的方法包括在半导体晶片上形成掩模，该掩模包括覆盖并保护集成电路的层。 将掩模暴露于等离子体处理工艺以增加掩模的耐蚀刻性。 用激光划线工艺对掩模进行图案化以在掩模中提供间隙，在半导体晶片的间隙暴露在集成电路之间。 在将掩模暴露于等离子体处理工艺之后，通过掩模中的间隙对半导体晶片进行等离子体蚀刻，以对集成电路进行分离。

    건식 박리 장치, 건식 박리를 위한 고속 입자 빔을 생성하는 노즐 및 고속 입자 빔을 이용한 건식 박리 방법.
    2.
    发明申请
    건식 박리 장치, 건식 박리를 위한 고속 입자 빔을 생성하는 노즐 및 고속 입자 빔을 이용한 건식 박리 방법. 审中-公开
    干燥分离装置，用于产生用于干燥分离的高速颗粒束的喷嘴，以及使用高速颗粒束的干燥分离方法

    公开(公告)号：WO2014098487A1

    公开(公告)日：2014-06-26

    申请号：PCT/KR2013/011843

    申请日：2013-12-18

    Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

    Inventor： 김인호 ,  이진원

    IPC: H01L21/3065

    CPC classification number: H01L21/31138 ,  G03F7/40 ,  G03F7/42 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31127 ,  H01L21/324

    Abstract: 본 발명에 따른 건식 박리 방법은, 포토레지스트를 애싱하는 건식 박리 방법으로서, 상기 포토레지스트에 승화성 입자를 분사하여 상기 포토레지스트를 박리하는 분사및 박리 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 그리고, 본 발명에 따른 건식 박리 장치는 포토레지스트를 애싱하는 건식 박리 장치로서, 승화성 입자로 이루어진 고속 입자 빔을 생성하는 노즐을 포함하되, 상기 노즐은, 이산화탄소로 이루어진 입자생성가스를 통과시켜 초고속 균일 나노 입자를 생성하는 노즐로서, 노즐의 출구측으로 갈수록 단면적이 넓어지는 형태의 팽창부를 포함하되, 상기 팽창부는 제1팽창부 및 제2팽창부를 순차적으로 포함하여 이루어지며, 상기 제2팽창부의 평균 팽창각이 상기 제1팽창부의 팽창각 보다 큰 것을 특징으로 한다.

    Abstract translation: 根据本发明的干法分离方法是一种用于灰化光致抗蚀剂的干法分离方法，包括在光致抗蚀剂上喷射升华颗粒并分离光致抗蚀剂的喷涂和分离步骤。 此外，根据本发明的干式分离装置是用于灰化光致抗蚀剂的干式分离装置，包括用于产生包括升华颗粒的高速粒子束的喷嘴，其中喷嘴通过以下方式产生超高速均匀纳米颗粒 通过其包含二氧化碳的颗粒产生气体，并且包括具有使得其横截面面积朝向喷嘴的排出侧变宽的形状的扩张部分，其中扩张部分依次包括第一扩张部分和第二扩张部分 并且其中所述第二膨胀部的平均膨胀角大于所述第一膨胀部的膨胀角。

    COOLING PEDESTAL FOR DICING TAPE THERMAL MANAGEMENT DURING PLASMA DICING
    5.
    发明申请
    COOLING PEDESTAL FOR DICING TAPE THERMAL MANAGEMENT DURING PLASMA DICING 审中-公开
    在等离子体处理期间冷却热带管道热管理

    公开(公告)号：WO2015179192A1

    公开(公告)日：2015-11-26

    申请号：PCT/US2015/030613

    申请日：2015-05-13

    Applicant: APPLIED MATERIALS, INC.

    Inventor： NANGOY, Roy, C.

    IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/301

    CPC classification number: H01L21/82 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32724 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/31127 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/673 ,  H01L21/78

    Abstract: Methods of and apparatuses for dicing semiconductor wafers, each wafer having a plurality of integrated circuits, are described. In an example, a plasma etch chamber includes a plasma source disposed in an upper region of the plasma etch chamber. The plasma etch chamber also includes a cathode assembly disposed below the plasma source. The cathode assembly includes a cooling RF-powered chuck for supporting an inner portion of a backside of a substrate carrier. The cathode assembly also includes a cooling RF-isolated support surrounding but isolated from the RF-powered chuck. The RF-isolated support is for supporting an outer portion of the backside of the substrate carrier.

    Abstract translation: 对具有多个集成电路的各晶片的切割半导体晶片的方法和装置进行说明。 在一个示例中，等离子体蚀刻室包括设置在等离子体蚀刻室的上部区域中的等离子体源。 等离子体蚀刻室还包括设置在等离子体源下方的阴极组件。 阴极组件包括用于支撑衬底载体的背面的内部的冷却RF供电的卡盘。 阴极组件还包括围绕但与RF供电的卡盘隔离的冷却RF隔离支架。 RF隔离支撑件用于支撑衬底载体的背面的外部部分。

    METHOD OF COATING WATER SOLUBLE MASK FOR LASER SCRIBING AND PLASMA ETCH
    6.
    发明申请
    METHOD OF COATING WATER SOLUBLE MASK FOR LASER SCRIBING AND PLASMA ETCH 审中-公开
    涂层用于激光切割和等离子体蚀刻的水溶性掩模的方法

    公开(公告)号：WO2015023287A1

    公开(公告)日：2015-02-19

    申请号：PCT/US2013/055213

    申请日：2013-08-15

    Applicant: APPLIED MATERIALS, INC.

    Inventor： LEI, Wei-Sheng ,  EATON, Brad ,  IYER, Aparna ,  EGAN, Todd ,  YALAMANCHILI, Madhava Rao ,  KUMAR, Ajay

    IPC: H01L21/301 ,  H01L21/3065

    CPC classification number: H01L21/3065 ,  B23K26/0624 ,  B23K26/364 ,  B23K26/40 ,  B23K2203/172 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/31105 ,  H01L21/31127 ,  H01L21/32131 ,  H01L21/78

    Abstract: Methods of using a hybrid mask composed of a first water soluble film layer and a second water-soluble layer for wafer dicing using laser scribing and plasma etch described. In an example, a method of dicing a semiconductor wafer having a plurality of integrated circuits involves forming a hybrid mask above the semiconductor wafer. The hybrid mask is composed of a first water-soluble layer disposed on the integrated circuits, and a second water-soluble layer disposed on the first water-soluble layer. The method also involves patterning the hybrid mask with a laser scribing process to provide a patterned hybrid mask with gaps, exposing regions of the semiconductor wafer between the integrated circuits. The method also involves etching the semiconductor wafer through the gaps in the patterned hybrid mask to singulate the integrated circuits.

    Abstract translation: 使用由第一水溶性薄膜层和第二水溶性层组成的晶片切割使用激光划线和等离子体蚀刻的方法。 在一个示例中，对具有多个集成电路的半导体晶片进行切割的方法包括在半导体晶片上形成混合掩模。 混合掩模由设置在集成电路上的第一水溶性层和设置在第一水溶性层上的第二水溶性层组成。 该方法还涉及用激光划线工艺图案化混合掩模，以提供具有间隙的图案化混合掩模，暴露集成电路之间的半导体晶片的区域。 该方法还涉及通过图案化混合掩模中的间隙蚀刻半导体晶片以对集成电路进行分离。

    保護膜形成用薬液
    8.
    发明申请
    保護膜形成用薬液 审中-公开
    形成保护膜的化学溶液

    公开(公告)号：WO2011052443A1

    公开(公告)日：2011-05-05

    申请号：PCT/JP2010/068439

    申请日：2010-10-20

    Applicant: セントラル硝子株式会社 ,  斎藤 真規 ,  荒田 忍 ,  齋尾 崇 ,  公文 創一 ,  七井 秀寿 ,  赤松 佳則

    Inventor： 斎藤　真規 ,  荒田　忍 ,  齋尾　崇 ,  公文　創一 ,  七井　秀寿 ,  赤松　佳則

    IPC: H01L21/304

    CPC classification number: H01L21/02068 ,  C11D1/002 ,  C11D1/004 ,  C11D1/04 ,  C11D1/40 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/027 ,  H01L21/306 ,  H01L21/31127

    Abstract: 開示されているのは、表面に微細な凹凸パターンを形成されたウェハにおいて該凹凸パターンの少なくとも凹部表面の一部がチタン、窒化チタン、タングステン、アルミニウム、銅、スズ、窒化タンタル、ルテニウム、及びシリコンからなる群から選ばれる少なくとも１種の物質を含むウェハの洗浄時に、少なくとも前記凹部表面に撥水性保護膜を形成するための撥水性保護膜形成剤を含む薬液であり、該撥水性保護膜形成剤が非水溶性の界面活性剤であることを特徴とするウェハの撥水性保護膜形成用薬液である。この薬液によって形成される撥水性保護膜は洗浄工程におけるウェハのパターン倒れを防止できる。

    Abstract translation: 公开了含有形成防水保护膜的试剂的化学溶液，其用于至少在具有细小凹凸投影图案的晶片的凹陷表面上形成防水保护膜， 当晶片被清洁时，所述晶片在至少一部分凹陷表面中含有选自钛，氮化钛，钨，铝，铜，锡，氮化钽，钌和硅中的至少一种物质 的凹凸投影图案。 用于形成晶片的防水保护膜的化学溶液的特征在于，用于形成防水保护膜的试剂是水不溶性表面活性剂。 使用该化学溶液形成的防水保护膜能够在清洗步骤期间防止晶片中的图案塌陷。

    IMPRINT APPARATUS, IMPRINT METHOD, AND ARTICLE MANUFACTURING METHOD
    10.
    发明申请
    IMPRINT APPARATUS, IMPRINT METHOD, AND ARTICLE MANUFACTURING METHOD 审中-公开
    IMPRINT APPARATUS，IMPRINT METHOD，AND ARTICLE MANUFACTURING METHOD

    公开(公告)号：WO2017010102A1

    公开(公告)日：2017-01-19

    申请号：PCT/JP2016/003329

    申请日：2016-07-14

    Applicant: CANON KABUSHIKI KAISHA

    Inventor： KITAYAMA, Fumiaki

    IPC: H01L21/027 ,  B29C59/02

    CPC classification number: H01L21/31127 ,  B29C35/0888 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/67092

    Abstract: An imprint apparatus cures an imprint material supplied onto a substrate held by a substrate holder by bringing a mold held by a mold holder into contact with the imprint material. The imprint apparatus includes an adjuster to adjust a distance between the substrate holder and the mold holder for contact and separation between the imprint material and the mold, an energy supply tool to supply, to the imprint material, energy for curing the imprint material supplied onto the substrate held by the substrate holder, and a controller to control the adjuster and the energy supply tool. The controller controls the adjuster so as to start separation between the imprint material and the mold in a period during which the energy supply tool supplies the energy to the imprint material that is in contact with the mold.

    Abstract translation: 压印装置通过使由模具架保持的模具与压印材料接触来固化供给到由基板保持器保持的基板上的压印材料。 压印装置包括调节器，用于调节衬底保持器和模具保持器之间的距离，用于压印材料和模具之间的接触和分离;能量供应工具，用于向压印材料提供用于固化供给到压印材料上的压印材料的能量 由基板保持器保持的基板，以及用于控制调节器和能量供给工具的控制器。 控制器控制调节器，以便在能量供应工具向与模具接触的压印材料提供能量的时间段期间开始压印材料和模具之间的分离。

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