公开(公告)号：WO2018224977A1

公开(公告)日：2018-12-13

申请号：PCT/IB2018/054050

申请日：2018-06-06

Applicant: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION ,  IBM UNITED KINGDOM LIMITED ,  IBM (CHINA) INVESTMENT COMPANY LIMITED

Inventor： CANAPERI, Donald, Francis ,  CHINTHAMANIPETA, Pavan ,  PATLOLLA, Raghuveer, Reddy ,  PEETHALA, Cornelius, Brown

IPC: C11D1/00

CPC classification number: H01L21/30625 ,  B08B3/08 ,  B08B3/10 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/67046 ,  H01L21/67051

Abstract: A method is presented for post chemical mechanical polishing (PCMP) clean for cleaning a chemically- mechanically polished semiconductor wafer. The method includes planarizing the semiconductor wafer, subjecting the semiconductor wafer to a de-oxygenated mixture of Dl water and PCMP solution, and applying a de-oxygenated environment during the cleaning. The solution can be de-oxygenated by nitrogen degas or by introducing a reducing agent. The environment can be de-oxygenated by purging with an inert gas, such as nitrogen.

公开(公告)号：WO2016070036A1

公开(公告)日：2016-05-06

申请号：PCT/US2015/058302

申请日：2015-10-30

Applicant: VEECO PRECISION SURFACE PROCESSING LLC

Inventor： MAUER, Laura ,  TADDEI, John ,  CLARK, John ,  LAWRENCE, Elena ,  ZWIMMANN, Eric, Kurt ,  GOLDBERG, David, A. ,  YUTKOWITZ, Jonathan

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/66 ,  G01N21/55

CPC classification number: H01L22/12 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/30608 ,  H01L21/67046 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/76898 ,  H01L22/20

Abstract: A system and method for performing a wet etching process is disclosed. The system includes multiple processing stations accessible by a transfer device, including a measuring station to optically measure the thickness of a wafer before and after each etching steps in the process. The system also includes a controller to analyze the thickness measurements in view of a target wafer profile and generate an etch recipe, dynamically and in real time, for each etching step. In addition, the process controller can cause a single wafer wet etching station to etch the wafer according to the generated etching recipes. In addition, the system can, based on the pre and post-etch thickness measurements and target etch profile, generate and/or refine the etch recipes.

Abstract translation: 公开了一种用于执行湿蚀刻工艺的系统和方法。 该系统包括可由传送装置访问的多个处理站，包括在该过程中每个蚀刻步骤之前和之后光学测量晶片的厚度的测量站。 该系统还包括控制器，用于根据目标晶片轮廓分析厚度测量值，并为每个蚀刻步骤动态地并且实时地产生蚀刻配方。 此外，过程控制器可以使单个晶片湿蚀刻工位根据生成的蚀刻配方来蚀刻晶片。 此外，该系统可以基于蚀刻前和蚀刻前厚度测量和目标蚀刻轮廓，生成和/或细化蚀刻配方。

公开(公告)号：WO2016067562A1

公开(公告)日：2016-05-06

申请号：PCT/JP2015/005279

申请日：2015-10-20

Applicant: 株式会社荏原製作所

Inventor： 石橋　知淳

IPC: H01L21/304 ,  B08B1/04 ,  B08B3/02

CPC classification number: H01L21/67046 ,  A46B13/00 ,  B08B1/04 ,  B08B3/022 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/304 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/68728

Abstract: 　洗浄ヘッドが基板の半径方向に移動しながら基板の表面を洗浄する新規の基板洗浄装置を提供する。基板（Ｓ）を洗浄する基板洗浄装置（５０）は、基板（Ｓ）を支持して回転させる外周支持部材（５１）と、外周支持部材（５１）によって回転する基板（Ｓ）の被洗浄面に接触して被洗浄面を洗浄するための洗浄面を有するスポンジ（５４１）と、洗浄面を被洗浄面に接触させたままスポンジ（５４１）を基板（Ｓ）の半径方向に移動するアーム（５３）と、被洗浄面に対する洗浄面の接触圧を制御する制御部（６０）とを備える。制御部（６０）は、スポンジ（５４１）が基板（Ｓ）のエッジ付近にあるときに、スポンジ（５４１）が基板（Ｓ）の中心付近にあるときよりも、接触圧を小さくする。

Abstract translation: 提供了一种新颖的基板清洁装置，其中清洁头在基板的径向方向上移动时清洁基板的表面。 清洗基板（S）的基板清洗装置（50）包括：支撑并旋转基板（S）的外周支撑部件（51）。 具有用于清洁由外周支撑构件（51）旋转的基板（S）的待清洁表面的清洁表面的海绵（541）通过与待清洁的表面接触; 使所述海绵（541）沿着所述基板（S）的径向移动同时保持所述清洁表面与待清洁表面接触的臂（53） 以及控制单元（60），其控制清洁表面与待清洁表面的接触压力。 当海绵（541）靠近基板（S）的边缘时，与海绵（541）接近基板（S）的中心相比，控制单元（60）减小了所述接触压力。

公开(公告)号：WO2016045072A1

公开(公告)日：2016-03-31

申请号：PCT/CN2014/087493

申请日：2014-09-26

Applicant: ACM RESEARCH (SHANGHAI) INC.

Inventor： WANG, Xi ,  CHENG, Cheng ,  WU, Jun ,  WANG, Hui

IPC: B08B1/04 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67046 ,  B08B1/002 ,  B08B1/02 ,  B08B1/04 ,  B08B3/041 ,  B08B3/08 ,  H01L21/02096 ,  H01L21/68764

Abstract: An apparatus and method for cleaning semiconductor wafer are provided. The apparatus includes a brush module, a swing arm, a rotating actuator and an elevating actuator. The brush module has a brush head for providing mechanical force on a surface of a wafer. An end of the swing arm mounts the brush module. The rotating actuator is connected with the other end of the swing arm. The rotating actuator drives the swing arm to swing across the whole surface of the wafer, which brings the brush head moving across the whole surface of the wafer. The elevating actuator is connected with the other end of the swing arm. The elevating actuator drives the swing arm to rise or descend, which brings the brush module rising or descending. The apparatus cleans the semiconductor wafer by means of the brush head, which improves the cleaning effect.

Abstract translation: 提供了一种用于清洁半导体晶片的设备和方法。 该装置包括刷子模块，摆臂，旋转致动器和升降致动器。 刷子模块具有用于在晶片的表面上提供机械力的刷头。 摆臂的一端安装刷子模块。 旋转执行器与摆臂的另一端连接。 旋转的致动器驱动摆臂跨过晶片的整个表面，这使得刷头移动跨越晶片的整个表面。 升降驱动器与摆臂的另一端连接。 升降驱动器驱动摆臂上升或下降，使刷子模块上升或下降。 该装置通过刷头清洁半导体晶片，这改善了清洁效果。

公开(公告)号：WO2015098699A1

公开(公告)日：2015-07-02

申请号：PCT/JP2014/083565

申请日：2014-12-18

Applicant: 並木精密宝石株式会社

Inventor： 青田　奈津子 ,  高橋　祐司 ,  八木澤　崇広 ,  黒岩　輝夫 ,  片倉　春治 ,  会田　英雄 ,  石田　悠宗 ,  内海　秀太

IPC: H01L21/304 ,  F26B5/08 ,  H01L21/683

CPC classification number: F26B5/08 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67034 ,  H01L21/67046 ,  H01L21/6838

Abstract: 【課題】小型の基板の洗浄と乾燥の両工程を行うことが可能であり、且つ体積の増大を防止し、更に小型の基板であっても乾燥工程時に充分な遠心力を加えて基板の乾燥を行うことが可能であり、高い基板清浄度が達成される洗浄装置を提供する。 【解決手段】表面積が25.8064ｃｍ 2 未満の基板を洗浄及び乾燥する１つのチャック装置を備え、更に外形の体積が1.0ｍ 3 未満であり、乾燥時に151ｇ以上の遠心力を基板に加える洗浄装置である。チャック装置は基板を回転させる回転軸を備え、その回転軸の軸心に対して基板を偏心して配置し基板を乾燥させる。更にチャック装置を回転する回転機構を備え、回転機構によりチャック装置が回転され、基板を偏心によりスピン乾燥する。又は、チャック装置が回転軸を有する円盤台であり、円盤台の中心以外に基板を吸着して保持する真空チャックを備える。

Abstract translation: 本发明提供一种能够进行洗涤和干燥小基板的步骤的洗涤装置，其中可防止在干燥步骤期间能够施加足够的离心力的基板干燥，即使在 小的底物，并且可以实现高的底物纯度。 [解决方案]提供一种其结构体积小于1.0m 3的清洗装置，其在干燥时向衬底施加至少151g的离心力，并且包括用于洗涤和干燥衬底的表面 面积小于25.8064cm2。 卡盘装置包括用于旋转基板的旋转轴。 基板相对于旋转轴的旋转中心配置为偏心，然后将基板干燥。 还提供了一种用于旋转卡盘装置的旋转机构。 卡盘装置通过旋转机构旋转，并且使用偏心旋转干燥基板。 或者，卡盘装置是具有旋转轴的盘基座，并且设置有真空卡盘，该真空卡盘通过将基板吸附到除了中心以外的盘基座的区域来保持基板。

公开(公告)号：WO2015061741A1

公开(公告)日：2015-04-30

申请号：PCT/US2014/062264

申请日：2014-10-24

Applicant: APPLIED MATERIALS, INC

Inventor： SAKATA, Clinton P. ,  CHEN, Hui ,  ATKINSON, Jim K. ,  BROWN, Brian J. ,  TANG, Jianshe ,  CHEN, Yufei ,  DING, Yunshuang

IPC: B24B37/34 ,  B24B37/04 ,  B25J15/00

CPC classification number: B08B1/006 ,  B08B1/04 ,  H01L21/67046

Abstract: In some embodiments, an apparatus for cleaning a substrate is provided that includes (1) a substrate chuck configured to support a substrate with a front side of the substrate accessible; (2) a buff pad assembly configured to support a buff pad having a diameter smaller than a diameter of the substrate; and (3) a swing arm coupled to the buff pad and configured to position and rotate the buff pad along the front side of the substrate, and control an amount of force applied by the buff pad against the front side of the substrate during cleaning. The substrate chuck, buff pad assembly and swing arm are configured to buff clean the substrate. Numerous additional aspects are disclosed.

Abstract translation: 在一些实施例中，提供了一种用于清洁衬底的设备，其包括（1）衬底卡盘，其构造成支撑具有可接近的衬底的前侧的衬底; （2）抛光垫组件，其构造成支撑直径小于所述基底的直径的抛光垫; 和（3）摆动臂，其联接到所述抛光垫并且构造成沿着所述基板的前侧定位和旋转所述抛光垫，并且在清洁期间控制由所述抛光垫施加在所述基板的前侧上的力的量。 衬底卡盘，抛光垫组件和摆臂配置为抛光清洁衬底。 公开了许多附加方面。

公开(公告)号：WO2014120775A1

公开(公告)日：2014-08-07

申请号：PCT/US2014/013607

申请日：2014-01-29

Applicant: APPLIED MATERIALS, INC

Inventor： KO, Sen-Hou ,  KARUPPIAH, Lakshmanan

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01L21/67046 ,  B08B1/008 ,  B08B1/04 ,  B24B37/107 ,  B24B37/34 ,  H01L21/02041 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/02096 ,  H01L21/304 ,  H01L21/463 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67219 ,  H01L21/6838

Abstract: A method and apparatus for cleaning a substrate after chemical mechanical planarizing (CMP) is provided. The apparatus comprises a housing, a substrate holder rotatable on a first axis and configured to retain a substrate in a substantially vertical orientation, a first pad holder having a pad retaining surface facing the substrate holder in a parallel and spaced apart relation, the first pad holder rotatable on a second axis disposed parallel to the first axis, a first actuator operable to move the pad holder relative to the substrate holder to change a distance between the first axis and the second axis, and a second pad holder disposed in the housing, the second pad holder having a pad retaining surface facing the substrate holder in a parallel and spaced apart relation, the second pad holder rotatable on a third axis parallel to the first axis and the second axis.

Abstract translation: 提供了一种用于在化学机械平面化（CMP）之后清洁衬底的方法和设备。 该装置包括壳体，可在第一轴线上旋转并被构造成将基底保持在基本垂直取向的衬底保持器，第一衬垫保持器具有以平行和间隔的关系面向衬底保持器的衬垫保持表面，第一衬垫 支架可在平行于第一轴线设置的第二轴线上旋转，第一致动器可操作以相对于衬底支架移动衬垫支架以改变第一轴线与第二轴线之间的距离，以及设置在壳体中的第二垫座， 所述第二焊盘保持器具有以平行和间隔的关系面对所述衬底保持器的焊盘保持表面，所述第二焊盘保持器可在平行于所述第一轴线和所述第二轴线的第三轴线上旋转。

公开(公告)号：WO2013187090A1

公开(公告)日：2013-12-19

申请号：PCT/JP2013/055452

申请日：2013-02-28

Applicant: 大日本スクリーン製造株式会社

Inventor： 篠原　敬 ,  渋川　潤 ,  加藤　洋

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/68707 ,  B25J11/0095 ,  G01N21/9501 ,  G01N2201/06113 ,  H01L21/67046 ,  H01L21/67781

Abstract: 本発明の目的は、一度に複数枚の基板を適切に反転させることができる技術を提供することである。この目的を達成するために、基板反転装置は、複数の基板（Ｗ）を、水平姿勢で上下方向に間隔をあけて積層された状態で支持する支持機構（７０）と、支持機構（７０）にて支持される複数の基板（Ｗ）のそれぞれを挟持して一度に反転させる挟持反転機構（８０）とを備える。支持機構（７０）において、基板（Ｗ）を支持する支持部材（７４）は、上下方向から見て基板の中心から遠ざかりつつ下方に移動されて、支持位置から待避位置に移動される。一方、挟持反転機構（８０）において、基板を挟持する挟持部材（８３）は、挟持部材駆動部によって離間位置から接近位置まで移動され、当該接近位置で弾性部材によって基板の側面に向けて弾性付勢される。

Abstract translation: 本发明的目的是提供一次适当地反转多个基板的技术。 为了实现该目的，该基板反转装置设置有：在基板沿垂直方向以一定间隔水平堆叠的状态下支撑多个基板（W）的支撑机构（70） 以及夹持/翻转机构（80），其夹持由支撑机构（70）支撑的每个基板（W），并且一次反转基板。 在支撑机构70中，当从垂直方向观察时，支撑基板（W）的支撑部件（74）向下移动，同时远离基板的中心移动，并且移动到侧面位置 从支持位置。 在夹层/翻转机构80中，通过夹持构件驱动单元将夹持基板的夹持构件83从远离位置移动到关闭位置，并且在关闭位置，夹持构件弹性地 通过弹性构件压向基板的侧面。

公开(公告)号：WO2012170767A1

公开(公告)日：2012-12-13

申请号：PCT/US2012/041477

申请日：2012-06-08

Applicant: ILLINOIS TOOL WORKS INC. ,  WILLIS, Robert ,  WITHERS, Bradley, S.

Inventor： WILLIS, Robert ,  WITHERS, Bradley, S.

IPC: B08B1/04 ,  A46B13/00

CPC classification number: H01L21/67046 ,  A46B13/001 ,  B08B1/04

Abstract: A cleaning device for cleaning substrates is provided. The cleaning device includes a generally cylindrically-shaped brush mandrel and a cylindrical brush. The brush mandrel has a body section with an outer surface positioned about a central axis. The outer surface is interrupted by an engagement member having primary features adjacent secondary features. The brush has a hollow bore formed around the brush mandrel with an inner surface interrupted by a second engagement member which mates the first engagement member. The primary features flow in a direction generally perpendicular to a rotational direction of the brush mandrel around the central axis and include a first surface which is generally perpendicular to the outer surface. The secondary features include a second surface which flows in a direction generally perpendicular to the first surface and along the central axis. No primary feature includes a radially obstructing feature formed over any secondary feature.

Abstract translation: 提供了用于清洁基板的清洁装置。 清洁装置包括大致圆柱形的刷心轴和圆柱形刷。 刷心轴具有主体部分，其外表面围绕中心轴线定位。 外表面被具有相邻次要特征的主要特征的接合构件中断。 刷子具有形成在刷心轴周围的中空孔，其内表面被与第一接合构件配合的第二接合构件中断。 主要特征沿着大致垂直于中心轴线的刷心的旋转方向的方向流动并且包括大致垂直于外表面的第一表面。 次要特征包括沿着大致垂直于第一表面并沿着中心轴线的方向流动的第二表面。 没有主要特征包括在任何次要特征上形成的径向阻碍特征。

公开(公告)号：WO2012039364A1

公开(公告)日：2012-03-29

申请号：PCT/JP2011/071275

申请日：2011-09-16

Applicant: 東京エレクトロン株式会社 ,  国立大学法人東北大学 ,  根本 剛直 ,  谷 員力

Inventor： 根本　剛直 ,  谷　員力

IPC: H01L21/3205 ,  B24B37/04 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02074 ,  H01L21/67046 ,  H01L21/7684

Abstract: 【課題】ダマシン配線構造を有する半導体装置において、ＣＭＰ法によるＣｕ配線への処理により発生するＣｕ配線の腐食（コロージョン）の発生を防止し、配線抵抗の上昇を抑制し、信頼性の担保された半導体装置の製造方法および半導体装置の製造システムを提供する。 【解決手段】ダマシン配線構造を有する半導体装置の製造方法であって、基板上の層間絶縁膜に形成される配線パターン溝にバリアメタル膜およびＣｕ膜が形成された状態で、ケミカルメカニカルポリッシングによって配線パターン溝以外に堆積したＣｕを除去する工程と、配線パターン溝以外に堆積したバリアメタルをケミカルメカニカルポリッシングによって除去する工程と、前記バリアメタルを除去する工程後、除電する工程と、基板上に残るスラリーおよび残渣物を洗浄する工程と、を有する半導体装置の製造方法が提供される。

Abstract translation: 本发明提供一种半导体器件制造方法和半导体器件制造系统，其能够防止通过CMP方式对Cu布线进行处理而导致的Cu布线的腐蚀的发生， 还能够防止具有镶嵌布线结构的半导体器件中的布线电阻增加，并且可以制造具有确保的可靠性的半导体器件。 [解决方案]提供一种具有镶嵌布线结构的半导体器件的制造方法，其包括以下步骤：在形成在基板上的层间绝缘膜上的布线图案槽中形成阻挡金属膜和Cu膜，并除去Cu 通过化学机械抛光在层间绝缘膜上的布线图案槽以外的部分积累; 通过化学机械抛光去除积层在层间绝缘膜上的布线图案凹槽之外的部分上的阻挡金属; 并且在去除阻挡金属的步骤之后，中和所得到的产品; 并洗涤残留在基材上的浆料和残余物。