公开(公告)号：WO2015163965A2

公开(公告)日：2015-10-29

申请号：PCT/US2015/014371

申请日：2015-02-04

申请人： BOARD OF REGENTS, THE UNIVERSITY OF TEXAS SYSTEM

发明人： BELKIN, Mikhail ,  JUNG, Seungyong ,  VIJAYRAGHAVAN, Karun

IPC分类号： H01S5/20

CPC分类号： H01S5/0604 ,  G02F1/3534 ,  G02F2203/13 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/0208 ,  H01S5/0422 ,  H01S5/06256 ,  H01S5/06258 ,  H01S5/1021 ,  H01S5/1092 ,  H01S5/12 ,  H01S5/125 ,  H01S5/3401 ,  H01S5/34306

摘要： A terahertz difference-frequency generation quantum cascade laser source that provides monolithic, electrically-controlled tunable terahertz emission. The quantum cascade laser includes a substrate, a lower cladding layer positioned above the substrate and an active region layer with optical nonlinearity positioned on the lower cladding layer. The active region layer is arranged as a multiple quantum well structure. One or more feedback gratings are etched into spatially separated sections of the cladding layer positioned on either side of the active region. The periodicity of each grating section determines the mid-infrared lasing frequencies. The grating sections are electrically isolated from one another and biased independently. Tuning is achieved by changing a refractive index of one or all of the grating sections via a DC current bias thereby causing a shift in the mid-infrared lasing frequency. In this manner, a monolithic, electrically-pumped, tunable THz source is achieved.

摘要翻译： 太赫兹差频产生量子级联激光源，提供单片式，电控可调谐的太赫兹发射。 量子级联激光器包括衬底，位于衬底上方的下包层和位于下包层上的具有光学非线性的有源区层。 有源区层配置为多量子阱结构。 一个或多个反馈光栅被蚀刻到位于有源区两侧的包覆层的空间分离的部分中。 每个光栅部分的周期性确定中红外激光频率。 光栅部分彼此电隔离并独立偏置。 通过经由DC电流偏置改变一个或所有光栅部分的折射率来实现调谐，从而引起中红外激光频率的偏移。 以这种方式，实现了单片，电泵浦的可调THz源。

公开(公告)号：WO2014018599A1

公开(公告)日：2014-01-30

申请号：PCT/US2013/051780

申请日：2013-07-24

申请人： BOARD OF REGENTS, THE UNIVERSITY OF TEXAS SYSTEM

发明人： BELKIN, Mikhail ,  ADAMS, Robert ,  AMANN, Markus, Christian ,  VIZBARAS, Augustinas

IPC分类号： H01S5/10 ,  H01S5/30 ,  H01S5/34

CPC分类号： H01S5/2031 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0208 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/0604 ,  H01S5/1085 ,  H01S5/18 ,  H01S5/3401 ,  H01S5/3402 ,  H01S5/34313 ,  H01S5/34346 ,  H01S2301/145 ,  H01S2302/02

摘要： A terahertz source implementing a Čerenkov difference-frequency generation scheme in a quantum cascade laser. The laser includes an undoped or semi-insulating InP substrate with an exit facet that is polished at an angle between 10° to 40°. The laser further includes a first waveguide cladding layer(s) in contact with an active layer (arranged as a multiple quantum well structure) and a current extraction layer on top of the substrate. Furthermore, the laser includes a second waveguide cladding layer(s) on top of the active layer, where the first and second waveguide cladding layers are disposed to form a waveguide structure by which terahertz radiation generated in the active layer is guided inside the laser. The terahertz radiation is emitted into the substrate at a Čerenkov angle relative to a direction of the nonlinear polarization wave in the active layer, and once in the substrate, propagates towards the exit facet.

摘要翻译： 在量子级联激光器中实现Cerenkov差分频率产生方案的太赫兹源。 激光器包括具有出口小面的未掺杂或半绝缘的InP衬底，其以10°至40°的角度抛光。 激光器还包括与有源层（排列为多量子阱结构）接触的第一波导包层和在衬底的顶部上的电流提取层。 此外，激光器包括在有源层顶部上的第二波导覆层，其中第一和第二波导覆层被设置成形成波导结构，通过该波导结构在激光器内部引导有源层中产生的太赫兹辐射。 相对于有源层中的非线性偏振波的方向，太赫兹辐射以Cerenkov角发射到衬底中，并且一旦在衬底中向着出射面传播。

公开(公告)号：WO2011162236A1

公开(公告)日：2011-12-29

申请号：PCT/JP2011/064128

申请日：2011-06-21

申请人： 住友電気工業株式会社 ,  中山 茂 ,  辻 裕

发明人： 中山　茂 ,  辻　裕

IPC分类号： C04B35/443 ,  C04B35/645 ,  H01L33/32 ,  H01S5/343

CPC分类号： C04B35/443 ,  B32B18/00 ,  C04B35/5154 ,  C04B35/58 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/79 ,  C04B2235/9653 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/36 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0079 ,  H01S5/0208 ,  H01S5/32341

摘要： 　サファイア基板からなる発光素子よりも安価な発光素子を形成することが可能な基板、当該基板の製造方法、および当該基板を用いた発光素子を提供する。本発明の基板（１０）は、スピネルからなる、発光素子（３０）用の基板（１０）である。基板（１０）を構成するスピネルの焼結体の組成がＭｇＯ・ｎＡｌ ２ Ｏ ３ 　（１．０５≦ｎ≦１．３０）であり、Ｓｉ元素の含有量が２０ｐｐｍ以下であることが好ましい。

摘要翻译： 公开了一种能够生产比使用蓝宝石衬底的发光元件便宜的发光元件的衬底; 一种生产该基材的方法; 以及使用该基板的发光元件。 具体公开了一种由尖晶石组成的发光元件（30）的基板（10）。 构成基板（10）的尖晶石的烧结体的组成优选由MgO·nAl 2 O 3（其中，1.05 = n = 1.30）表示，Si元素的含量为20ppm以下。

公开(公告)号：WO2014103428A1

公开(公告)日：2014-07-03

申请号：PCT/JP2013/072949

申请日：2013-08-28

申请人： 株式会社村田製作所

发明人： 岩田圭司 ,  松原一平 ,  粉奈孝行 ,  渡邊博 ,  柳ヶ瀬雅司

IPC分类号： H01S5/183

CPC分类号： H01S5/18394 ,  H01S5/0208 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/0422 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/18383 ,  H01S5/3432 ,  H01S2301/176

摘要： 　半絶縁性半導体からなるベース基板（１１）と、ベース基板（１１）の表面に形成された、Ｎ型半導体コンタクト層（２１）、Ｎ型ＤＢＲ層（２２）、活性層（４０）、Ｐ型半導体ＤＢＲ層（２３）、Ｐ型半導体コンタクト層（２４）をそれぞれ含む発光領域多層部と、Ｐ型半導体コンタクト層（２４）に接続されているアノード用電極（９２１）と、ベース基板（１１）の表面側に形成された、Ｎ型半導体コンタクト層（２１）に接続されているカソード用電極（９１１）とを備える。Ｎ型ＤＢＲ層（２２）は、組成の異なる層を１５ペア以上積層されている。これにより、コストを抑えつつ、ベース基板に起因する結晶欠落による不良の発生を抑制できる垂直共振面発光レーザを提供する。

摘要翻译： 该垂直腔表面发射激光器设置有：由半绝缘半导体形成的基底（11）; 形成在基底基板（11）的表面上的发光区域多层部分，其包括N型半导体接触层（21），N型DBR层（22），有源层（40），P 型半导体DBR层（23）和P型半导体接触层（24）; 与所述P型半导体接触层（24）连接的阳极电极（921）。 以及形成在所述基底基板（11）的表面侧并与所述N型半导体接触层（21）连接的阴极电极（911）。 N型DBR层（22）通过层叠15层以上具有不同组成的层而获得。 因此，提供了一种垂直腔表面发射激光器，其能够抑制由于基底衬底引起的晶体缺失引起的缺陷的发生，同时抑制成本。

公开(公告)号：WO2013128794A1

公开(公告)日：2013-09-06

申请号：PCT/JP2013/000398

申请日：2013-01-25

申请人： パナソニック株式会社

发明人： 山中　一彦 ,  吉田　真治

IPC分类号： H01S5/024

CPC分类号： H01S5/02469 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48464 ,  H01S5/0208 ,  H01S5/02212 ,  H01S5/02216 ,  H01S5/02256 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/02484 ,  H01S5/0425 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： 　それぞれが絶縁性部材からなり、互いに対向し熱的に接続された第１のヒートシンク（２０）及び第２のヒートシンク（３０）と、半導体発光素子（１０）とを備えている。　半導体発光素子は、第１のヒートシンクと第２のヒートシンクとの間の空隙部（３１ｃ）に保持されている。第２のヒートシンクは、第１のヒートシンクとの対向面に第１の電極及び第２の電極を有し、対向面の裏面に第３の電極及び第４の電極を有し、第１の電極は発光素子の下部電極と接続されており、第２の電極は発光素子の上部電極と接続されている。第１の電極と第３の電極、及び第２の電極と第４の電極とは接続されている。

摘要翻译： 本发明提供有：彼此面对的第一散热器（20）和第二散热器（30），它们各自包括绝缘部件; 和半导体发光元件（10）。 半导体发光元件被保持在第一散热器和第二散热器之间的间隙部分（31c）中。 第二散热器在面向第一散热器的表面上具有第一电极和第二电极，以及在面向第一散热器的表面的反面上的第三电极和第四电极。 第一电极连接到发光元件的下电极，第二电极连接到发光元件的上电极。 连接第一和第三电极，并连接第二和第四电极。

公开(公告)号：WO2012172606A1

公开(公告)日：2012-12-20

申请号：PCT/JP2011/003431

申请日：2011-06-16

申请人： 古河電気工業株式会社 ,  高木 啓史 ,  石井 宏辰 ,  岩井 則広 ,  大友 晋哉

发明人： 高木　啓史 ,  石井　宏辰 ,  岩井　則広 ,  大友　晋哉

IPC分类号： H01S5/183

CPC分类号： H01S5/18369 ,  H01S5/0208 ,  H01S5/02284 ,  H01S5/0604 ,  H01S5/0683 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/18327 ,  H01S5/18341 ,  H01S5/18358 ,  H01S2304/04

摘要： 　高屈折率誘電体層と低屈折率誘電体層との周期構造を有する誘電体多層膜反射鏡（１１６）と、誘電体多層膜反射鏡（１１６）を少なくとも一方の端面とし、かつ、活性層（１０５）を含む共振器（１１０）とを備えた半導体レーザにおいて、高屈折率誘電体層および低屈折率誘電体層のいずれか一方の少なくとも一つの層に、主モードのレーザ光に対し非線形性を有する非線形層を備える。

摘要翻译： 一种半导体激光器，配备有：具有高折射率电介质层和低折射率电介质层的周期性结构的电介质多层膜反射镜（116） 以及具有作为其至少一个端面的所述电介质多层膜反射镜（116）并且包括有源层（105）的谐振器（110）。 其中，所述高折射率电介质层或所述低折射率电介质层中的至少一层在前导模式中配备有相对于激光具有非线性的非线性层。

公开(公告)号：WO2010055750A1

公开(公告)日：2010-05-20

申请号：PCT/JP2009/068106

申请日：2009-10-21

申请人： 株式会社日立製作所 ,  斎藤 慎一 ,  青木 雅博 ,  杉井 信之 ,  小田 克矢 ,  菅原 俊樹

发明人： 斎藤　慎一 ,  青木　雅博 ,  杉井　信之 ,  小田　克矢 ,  菅原　俊樹

IPC分类号： H01S5/32 ,  H01L21/316 ,  H01L31/10 ,  H01S5/125

CPC分类号： H01S5/3201 ,  H01L31/103 ,  H01L31/1808 ,  H01S5/0208 ,  H01S5/021 ,  H01S5/026 ,  H01S5/0264 ,  H01S5/0424 ,  H01S5/1032 ,  H01S5/1231 ,  H01S5/125 ,  H01S5/3223 ,  Y02E10/50

摘要： 　本発明の目的は、シリコンなどの基板上に通常のシリコン・プロセスを用いて容易に形成可能で、かつ、高効率に発光するゲルマニウム・レーザ・ダイオードを提供することである。本発明によるゲルマニウム発光素子は、発光層となる単結晶ゲルマニウムに引張り歪みが印加されることで直接遷移型になっており、該ゲルマニウム発光層の両端に隣接して、シリコンまたはゲルマニウムまたはシリコン・ゲルマニウムからなる薄い半導体層が接続されており、なおかつ、該薄い半導体層は量子閉じ込め効果が起こらない程度の厚さを有し、該薄い半導体層のもう一方の端部は高濃度に不純物がドーピングされた厚い電極に接続されており、該電極はp型とｎ型にそれぞれドーピングされており、なおかつ、該電極と直接接することなく導波路が形成されており、該導波路の端部にはミラーが形成される事を特徴とするゲルマニウム・レーザ・ダイオードである。

摘要翻译： 公开了一种锗激光二极管，其可以通过常规硅工艺容易地在诸如硅的基板上形成，并且可以以高效率发光。 锗激光二极管的特征在于，由于向作为发光层的单晶锗施加拉伸应变，锗发光元件是直接转变型的，硅，锗或硅 - 锗的薄半导体层是 连接在锗发光层的两端附近，薄型半导体层具有不产生量子限制效应的厚度，薄型半导体层的另一端与高掺杂杂质的厚电极连接，电极掺杂 到p型和n型，提供波导而不与电极直接接触，并且在波导的端部设置反射镜。

公开(公告)号：WO8907833A3

公开(公告)日：1989-10-19

申请号：PCT/US8900666

申请日：1989-02-17

申请人： MASSACHUSETTS INST TECHNOLOGY

发明人： CALAWA ARTHUR R ,  SMITH FRANK W ,  MANFRA MICHAEL J ,  CHEN CHANG-LEE ,  HOLLIS MARK A ,  DIADIUK VICKY ,  LE HAN O

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/285 ,  H01L21/335 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L21/8252 ,  H01L29/10 ,  H01L29/51 ,  H01L29/812 ,  H01L31/09 ,  H01L31/18 ,  H01S5/02 ,  H01S5/026 ,  H01S5/223 ,  H01L21/203 ,  H01L21/314 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L29/517 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02634 ,  H01L21/28587 ,  H01L21/8252 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66863 ,  H01L29/66924 ,  H01L29/8128 ,  H01L31/09 ,  H01L31/184 ,  H01S5/0208 ,  H01S5/021 ,  H01S5/026 ,  H01S5/223 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521 ,  Y10S148/003 ,  Y10S148/025 ,  Y10S148/041 ,  Y10S148/056 ,  Y10S148/154 ,  Y10S438/971

摘要： A new III-V buffer material is described which is produced by low temperature growth of III-V compounds by MBE that has unique and desirable properties, particularly for closely spaced, submicron gate length active III-V semiconductor devices, such as HEMT's, MESFET's and MISFET's and also for ultra-high-speed photoconductor swicthing devices. In the case of the III-V material, GaAs, the buffer is grown under arsenic stable growth conditions, at a growth rate of 1 micron/hour, and at a substrate temperature preferably in the range of 150 to about 300°C. The new material is crystalline, highly resistive, substantially optically inactive, and can be overgrown with high quality III-V active layers.

摘要翻译： 描述了一种新型III-V缓冲材料，其由具有独特和期望特性的MBE低温生长III-V族化合物产生，特别是对于密集间隔的亚微米栅极长度有源III-V半导体器件，例如HEMT，MESFET 和MISFET以及超高速光电导体器件。 在III-V族材料GaAs的情况下，在砷稳定生长条件下，以1微米/小时的生长速率和优选在150至约300℃范围内的衬底温度下生长缓冲液。 这种新型材料具有结晶性，高电阻性，基本无光学性，并且可以用高质量的III-V有源层长满。

公开(公告)号：WO2015163965A3

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：PCT/US2015014371

申请日：2015-02-04

申请人： UNIV TEXAS

发明人： BELKIN MIKHAIL ,  JUNG SEUNGYONG ,  VIJAYRAGHAVAN KARUN

IPC分类号： H01S5/20 ,  H01S5/34

CPC分类号： H01S5/0604 ,  G02F1/3534 ,  G02F2203/13 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/0208 ,  H01S5/0422 ,  H01S5/06256 ,  H01S5/06258 ,  H01S5/1021 ,  H01S5/1092 ,  H01S5/12 ,  H01S5/125 ,  H01S5/3401 ,  H01S5/34306

摘要： A terahertz difference-frequency generation quantum cascade laser source that provides monolithic, electrically-controlled tunable terahertz emission. The quantum cascade laser includes a substrate, a lower cladding layer positioned above the substrate and an active region layer with optical nonlinearity positioned on the lower cladding layer. The active region layer is arranged as a multiple quantum well structure. One or more feedback gratings are etched into spatially separated sections of the cladding layer positioned on either side of the active region. The periodicity of each grating section determines the mid-infrared lasing frequencies. The grating sections are electrically isolated from one another and biased independently. Tuning is achieved by changing a refractive index of one or all of the grating sections via a DC current bias thereby causing a shift in the mid-infrared lasing frequency. In this manner, a monolithic, electrically-pumped, tunable THz source is achieved.

摘要翻译： 太赫兹差频生成量子级联激光源，提供单片式电控可调谐太赫兹发射。 量子级联激光器包括衬底，位于衬底上方的下包层以及位于下包层上的具有光学非线性的有源区域层。 有源区域层被布置为多量子阱结构。 将一个或多个反馈光栅蚀刻到位于有源区任一侧的包层的空间分离部分。 每个光栅部分的周期性决定了中红外激射频率。 光栅部分彼此电隔离并独立偏置。 调谐是通过经由DC电流偏置改变一个或全部光栅部分的折射率，从而引起中红外激光频率的偏移而实现的。 以这种方式，实现了单片式电泵浦可调谐THz源。

公开(公告)号：WO2013176202A1

公开(公告)日：2013-11-28

申请号：PCT/JP2013/064302

申请日：2013-05-23

申请人： 株式会社村田製作所

发明人： 岩田圭司 ,  松原一平 ,  粉奈孝行 ,  渡邊博 ,  柳ヶ瀬雅司

IPC分类号： H01S5/02 ,  H01S5/183 ,  H01S5/42

CPC分类号： H01S5/183 ,  H01L24/75 ,  H01L24/83 ,  H01S5/0208 ,  H01S5/02276 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/34 ,  H01S5/3432 ,  H01S5/423

摘要： 垂直共振面発光レーザ素子（１０）の表面には、カソード用電極（９１１）、カソード用パッド電極（９１２Ａ，９１２Ｂ）、カソード用配線電極（９１３Ａ，９１３Ｂ）、アノード用電極（９２１）、アノード用パッド電極（９２２）、アノード用配線電極（９２３）が配置されている。アノード用電極（９２１）の直下には、活性層をクラッド層およびＤＢＲ層で挟持した構成の発光領域多層部が形成されている。この発光領域多層部が形成されている領域が発光領域（７００）となる。発光領域（７００）は、第１の方向に対して、平コレットが吸着する吸着領域（８００）よりも第１の方向の一方端側に、吸着領域（８００）に略接するもしくは所定距離だけ離間するように配置される。

摘要翻译： 设置阴极电极（911），阴极焊盘电极（912A，912B），阴极配线电极（913A，913B），阳极电极（921），阳极焊盘电极（922）和阳极配线电极（923） 在垂直腔表面发射激光元件（10）的表面上。 直接在阳极电极（921）的下方形成包含介于包覆层和DBR层之间的有源层的发射区域多层部分。 所述发射区域多层部分形成的区域构成发射区域（700）。 所述发射区域（700）被设置为与从平坦夹头保持的保持区域（800）或者与所述保持区域的第一方向上的一侧更接近或者以规定距离 800）。