公开(公告)号：WO2021142599A1

公开(公告)日：2021-07-22

申请号：PCT/CN2020/071890

申请日：2020-01-14

申请人： 深圳市大疆创新科技有限公司

发明人： 张鼎 ,  王腾飞 ,  许美蓉 ,  李文浩

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/02381 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/4824 ,  H01L23/485 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/81

摘要： 本申请实施例提供一种芯片封装结构及封装方法，其中，芯片封装结构包括：基板，基板上具有第一连接部及第二连接部，第一连接部与第二连接部通过基板的内部线路电连接；其中，第二连接部为贯穿基板的通孔，通孔内设置有带有连接孔的电镀层；芯片，芯片设置于基板之上，并与第一连接部电连接，以便第二连接部与芯片之间通过基板的内部线路形成信号通路；保护层，保护层设置于基板上，并将芯片及第二连接部包裹于保护层内，保护层上与第二连接部对应的位置具有过线孔，以便信号线穿过过线孔与第二连接部电连接。本申请实施例提供的技术方案，可减少信号通路上的寄生电容，有效提高接收端的信号质量，提高信号线连接可靠性，且减小体积，降低成本。

公开(公告)号：WO2021243686A1

公开(公告)日：2021-12-09

申请号：PCT/CN2020/094582

申请日：2020-06-05

申请人： YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.

发明人： WANG, Di ,  ZHOU, Wenxi ,  XIA, Zhiliang ,  YANG, Yonggang ,  ZHANG, Kun ,  ZHANG, Hao ,  AI, Yiming

IPC分类号： H01L27/11551 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/02333 ,  H01L2224/02373 ,  H01L2224/02381 ,  H01L23/4824 ,  H01L24/03 ,  H01L24/08 ,  H01L24/11 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/11582

摘要： Aspects of the disclosure provide a semiconductor device and a method for fabricating the same. The method for fabricating the semiconductor device can include forming a stack of alternating first insulating layers and first sacrificial layers over a semiconductor substrate, and forming a staircase in the stack having a plurality of steps, with at least a first step of the staircase including a first sacrificial layer of the first sacrificial layers over a first insulating layer of the first insulating layers. Further, the method can include forming a recess in the first sacrificial layer, forming a second sacrificial layer in the recess, and replacing a portion of the first sacrificial layer and the second sacrificial layer with a conductive material that forms a contact pad.

公开(公告)号：WO2021141798A1

公开(公告)日：2021-07-15

申请号：PCT/US2020/067266

申请日：2020-12-29

申请人： TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED ,  TEXAS INSTRUMENTS JAPAN LIMITED

发明人： SRIDHARAN, Vivek, Swaminathan ,  TUNCER, Enis ,  MANACK, Christopher, Daniel ,  THOMPSON, Patrick, Francis

IPC分类号： H01L21/50 ,  H01L23/525 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/02333 ,  H01L2224/02381 ,  H01L23/5221 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5286 ,  H01L24/02 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/81 ,  H01L24/95

摘要： A semiconductor device (150) includes a semiconductor surface having circuitry (180) with metal interconnect layers (122) over the semiconductor surface including a selected metal interconnect layer providing an interconnect trace (171) having a first and second end (171a, 171b). A top dielectric layer (119) is on the top metal interconnect layer. A redistribution layer (RDL) (123) is on the top dielectric layer. A corrosion interruption structure (CIS) (170) including the interconnect trace bridges an interrupting gap (123b) in a trace of the RDL.