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公开(公告)号：CN103099644A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201310028573.0
申请日：2009-06-17
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: A61B8/4416 , A61B5/0035 , A61B5/0095 , A61B8/0825 , A61B8/14 , A61B8/145 , A61B8/4444 , A61B8/4494 , A61B8/483 , A61B8/5238
Abstract: 提供了一种超声探测器和包含超声探测器的检查对象成像装置，所述超声探测器即使在超声波检查法中使用的超声波的频带和光声波的频带相互分开时，也能够形成图像而没有劣化。超声探测器包含能够发送和接收超声波的第一阵列器件；以及能够接收光声波的第二阵列器件。第一阵列器件包含沿与扫描方向垂直的方向布置的多个机电变换器，第二阵列器件包含以二维方式布置的多个机电变换器，并且，第一阵列器件和第二阵列器件在同一平面上且沿扫描方向被设置。
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公开(公告)号：CN1015009B
公开(公告)日：1991-12-04
申请号：CN86108874
申请日：1986-12-25
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L21/02425 , C23C16/452 , H01L21/02422 , H01L21/0245 , H01L21/02532 , H01L21/0262
Abstract: 沉积膜形成方法，其中通过各自独立地反应区通入形成沉积膜的气态原料和对所述原料有氧化作用的气态卤素氧化剂以便按化学反应形成沉积膜。该方法包括，在活化区预先活化可形成能带宽控制剂的气态物质(B)以形成活化体：然后将所述的活化体通入反应区以便在处于成膜区的基体上形成可控制能带宽的沉积膜。
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公开(公告)号：CN1011626B
公开(公告)日：1991-02-13
申请号：CN87102801
申请日：1987-04-17
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: G03G5/08242 , G03G5/08228 , Y10S430/146
Abstract: 电子摄影用的改进的光接收元件至少具有由A-Si(H，X)系列材料构成的光电导层和由A-Si(C，O，N)(H，X)构成的表面层。其特征在于，在表面层中所含原子(C，O，N)的浓度，从表面层与光电导层之间的界面位置起向着表面层的自由表面逐渐增大，同时在该界面处留下与表面层的折射系数和光电导层的折射系数之间的折射系数差(Δn)[Δn≤0.62]相对应的部分，而这在成像过程中可以忽略不计。
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公开(公告)号：CN87102801A
公开(公告)日：1988-01-20
申请号：CN87102801
申请日：1987-04-17
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: G03G5/08242 , G03G5/08228 , Y10S430/146
Abstract: 电子摄影用的改进的光接收元件至少具有由A—Si(H，X)系列材料构成的光电导层和由A—Si(C，O，N)(H，X)构成的表面层。其特征在于，在表面层中所含原子(C，O，N)的浓度，从表面层与光电导层之间的界面位置起向着表面层的自由表面逐渐增大，同时在该界面处留下与表面层的折射系数和光电导层的折射系数之间的折射系数差(n)[Δn≦0.62]相对应的部分，而这在成像过程中可以忽略不计。
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公开(公告)号：CN87102172A
公开(公告)日：1987-11-11
申请号：CN87102172
申请日：1987-01-23
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: G03G5/0825 , G03G5/08235 , G03G5/08242 , G03G5/08257
Abstract: 用于电子照相技术中的光接收元件，包括复印用基体和由电荷注入阻挡层、光导层和表面层组成的光接收层。其中电荷注入阻挡层由含硅原子作为主要成分的非晶态材料和一种电导率控制元素组成；光导层由含硅原子作为主要成分的非晶态材料和选自氢原子和卤素原子的至少一种元素组成；表面层由含硅原子、碳原子和卤素原子的非晶态材料组成，且表面层中氢原子的含量在(41-70)原子％范围之内。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN86108685A
公开(公告)日：1987-07-29
申请号：CN86108685
申请日：1986-12-25
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L21/02532 , G03G5/08278 , H01L21/02422 , H01L21/02425 , H01L21/0245 , H01L21/02505 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L31/075 , H01L31/202 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 通过把形成沉积膜的气态原料和对所说的原料具有氧化作用性质的气态卤素氧化剂分别独立地送入反应空间，由化学反应形成沉积膜的制备沉积膜的方法，包括预先把用于形成价电子控制剂的气态物质(D)在一个激活空间里形成激活产物，并且将所说的激活产物送入反应空间，以便形成掺杂的沉积膜。
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公开(公告)号：CN102057297B
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN200980121431.0
申请日：2009-04-03
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: G01S7/52049 , G01S15/8952
Abstract: 一种超声波图像形成方法包括：第一步骤，接收从物体反射的第一信号；第二步骤，基于如此接收的第一信号获得像差校正值；第三步骤，当基于像差校正值校正的第二超声波被发送到所述物体时，接收从该物体反射的第二信号；和第四步骤，从像差校正值和第二信号形成图像。第二超声波的中心频率在0.5MHz和20MHz之间，第一超声波的中心频率在第二超声波的中心频率的3/16和9/20之间。通过这种方法，可获得精确的像差校正值，并且即使像差大且难以校正，也可实现高分辨率的超声波成像。
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公开(公告)号：CN100362667C
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200410005828.2
申请日：1999-03-16
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/04 , H01L31/0368 , H01L31/075 , H01L31/20 , H01L21/205 , C23C16/22
CPC classification number: H01L31/076 , H01L31/03685 , H01L31/03687 , H01L31/056 , H01L31/206 , Y02E10/52 , Y02E10/545 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 在包含微晶态半导体的半导体元件中，在微晶态晶粒内提供半导体结。而且在包含微晶态半导体的半导体元件中，提供不同直径的微晶态晶粒作为混合物，以便形成半导体层。因此，半导体结的不连续性得以改善，从而改善半导体元件的特性，耐用性，耐热性。半导体层中的变形也降低。
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公开(公告)号：CN1311564C
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN200310124701.8
申请日：1998-03-10
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/0376 , H01L31/04
CPC classification number: H02J7/35 , B32B17/04 , B32B17/10788 , H01L31/048 , H01L31/076 , Y02B10/12 , Y02B10/14 , Y02E10/548 , Y02P90/50 , Y10S136/293
Abstract: 一种光电转换元件，其中含有可透射导电层和保护件并且对特定波长范围内的光具有低透射率的表面材料设置在由多个非单晶半导体结构成的光电转换部分的光入射表面上，并且其中在长期使用期间，在通过所述表面材料的光照射下，由所述多个半导体结中具有最好特性的半导体结产生的光电流总是小于由其它半导体结产生的光电流。
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公开(公告)号：CN1532942A
公开(公告)日：2004-09-29
申请号：CN200410005828.2
申请日：1999-03-16
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/04 , H01L31/0368 , H01L31/075 , H01L31/20 , H01L21/205 , C23C16/22
CPC classification number: H01L31/076 , H01L31/03685 , H01L31/03687 , H01L31/056 , H01L31/206 , Y02E10/52 , Y02E10/545 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 在包含微晶态半导体的半导体元件中，在微晶态晶粒内提供半导体结。而且在包含微晶态半导体的半导体元件中，提供不同直径的微晶态晶粒作为混合物，以便形成半导体层。因此，半导体结的不连续性得以改善，从而改善半导体元件的特性，耐用性，耐热性。半导体层中的变形也降低。
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