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    用于多信号单线进入暗室的滤波装置
    2.
    发明公开
    用于多信号单线进入暗室的滤波装置 审中-实审

    公开(公告)号：CN114062740A

    公开(公告)日：2022-02-18

    申请号：CN202111189327.4

    申请日：2021-10-12

    申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司

    发明人： 张肖 ,  陈燕宁 ,  董广智 ,  钟明琛 ,  宋彦斌 ,  单书珊 ,  赵扬 ,  鹿祥宾

    IPC分类号： G01R1/18

    摘要： 本发明实施例提供一种用于多信号单线进入暗室的滤波装置，属于滤波技术领域。所述装置包括：金属外壳；暗室屏蔽体；所述金属外壳与所述暗室屏蔽体围合构成具有密封腔的箱体结构，所述密封腔内封装有金属沙；所述暗室屏蔽体用于接入包覆有金属屏蔽层的单芯导线并容许剥离金属屏蔽层的所述单芯导线穿过所述密封腔后进入暗室，所述单芯导线的金属屏蔽层断面与所述暗室屏蔽体接触，以通过所述暗室屏蔽体、所述金属外壳及所述金属沙构成的导电平面消耗干扰信号。本发明方案既保证了单芯导线上的各种有用信号顺利进入电波暗室，又防止了其它干扰信号进入电波暗室，满足了同一线路上多种信号进入暗室的相关要求。

    基于手动绑线机的高密度封装芯片失效定位方法
    5.
    发明公开
    基于手动绑线机的高密度封装芯片失效定位方法 无效 转让

    公开(公告)号：CN110299299A

    公开(公告)日：2019-10-01

    申请号：CN201910602633.2

    申请日：2019-07-05

    申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司

    发明人： 单书珊 ,  陈燕宁 ,  付振 ,  赵扬 ,  潘成

    IPC分类号： H01L21/66 ,  H01L21/68

    摘要： 本发明公开了一种基于手动绑线机的高密度封装芯片失效定位方法，包括如下步骤：S1：提供COB转接板，并对转接板进行开窗预处理；S2：提供透明薄载玻片；S3：将芯片背面开封或者正面开封，露出硅基面；S4：将芯片的开封面朝向载波片，并进行粘接固定；S5：芯片粘接固定后将透明薄载玻片粘到转接板的开窗部位，使得硅基面朝向待观测面；S6：设置绑线机参数；S7：使用绑线机将芯片的待测针脚与转接板的指定管脚相连接；以及S8：使用EMMI定位芯片失效位置。本发明的高密度封装芯片失效定位方法克服了直接开封测试法中由许多类型封装无外延针脚无法测试问题，也可以规避芯片取die直测法无法背面定位的问题，同时具备价格低廉、使用范围广的优点。

    用于TSV封装芯片的内部信号量测的方法
    6.
    发明公开
    用于TSV封装芯片的内部信号量测的方法 有权 转让

    公开(公告)号：CN107564829A

    公开(公告)日：2018-01-09

    申请号：CN201710734193.7

    申请日：2017-08-24

    申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  国家电网公司

    发明人： 蔡斌 ,  李建强 ,  陈燕宁 ,  邵瑾 ,  乔彦彬 ,  赵扬 ,  刘晓昱

    IPC分类号： H01L21/66

    摘要： 本发明公开了一种用于TSV封装芯片的内部信号量测的方法，该方法包括如下步骤：S1，将待测TSV封装芯片的背面进行研磨抛光，以露出TSV通孔和硅基板；S2，在距离TSV通孔的边缘的硅基板上沉积一个SiO2薄膜区域，以隔离硅基板；S3，清理TSV通孔的表面；S4，在TSV通孔下方的芯片和SiO2薄膜之间沉积金属Pt；S5，在SiO2薄膜上沉积测试板；S6，使用探针与测试板接触，从而将测试力施加在芯片上，以实现芯片内部信号的量测。本发明的方法简单易操作，便于探针的连接测试，同时避免了在探针测试过程中由于探针接触到硅基板而导致信号无法施加在TSV通孔上的问题，从而显著提高了测试的效率和准确性。