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公开(公告)号：CN101252164B
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200810074060.2
申请日：2008-02-21
申请人： 夏普株式会社
IPC分类号： H01L33/00 , H01L23/367
CPC分类号： H01L2224/48091 , H01L2924/00014
摘要： 本发明提供一种散热性、可靠性和生产性优异的表面安装型发光二极管。该表面安装型发光二极管(10)具有金属制的基底部件(2)、背面接合固定在基底部件(2)上的半导体发光元件(1)、按照包围半导体发光元件(1)的方式在基底部件(2)上隔着热传导性接合片(5)接合的金属制的反射体(6)。从半导体发光元件(1)产生的热通过基底部件(2)和热传导性接合片(5)向反射体(6)传导，并从反射体(6)向外部散热。反射体(6)是金属制，所以能把从半导体发光元件(1)产生的热高效向外部散热。在反射体(6)设置切削部，如果沿着该切削部切割，就能容易切割，所以不会降低成品率，能提高生产性。
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公开(公告)号：CN101493191A
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200810185247.X
申请日：2008-12-24
申请人： 夏普株式会社
IPC分类号： F21S2/00 , F21V9/10 , H01L33/00 , G02F1/13357 , F21Y101/02
CPC分类号： G02F1/133603 , G02F1/133609 , G02F1/133611
摘要： 一种面光源，按照色度对发光元件进行分组，在相对于目标色度逆向且相同程度地偏离的两个色度组中选出发光元件，将不同色度组的发光元件在纵向及横向上交替地配置而形成。另外，将所属色度组不同的两个发光元件配置成发光元件对，使得构成上述发光元件对的发光元件之间的间隔(d2)比上述发光元件对之间的间隔(d1)较小。一种显示装置，使用该面光源。
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公开(公告)号：CN101309536A
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200810099515.6
申请日：2008-05-13
申请人： 夏普株式会社
发明人： 森本泰司
IPC分类号： H05B37/02 , F21V9/10 , H01L31/12 , H01L33/00 , G02F1/13357 , F21Y101/02
CPC分类号： H05B33/0857 , F21V9/30 , F21V9/40 , F21V23/00 , F21Y2115/10 , G02F1/133609 , G02F2201/52 , G09G3/34 , G09G2320/0666
摘要： 本发明描述了一种发光设备。所述设备包括：发光部分，具有多个光源，所述多个光源中的每一个均包括半导体发光元件和一种或更多种类型的磷光体，所述磷光体用于对从所述半导体发光元件输出的一部分光执行波长转换以辐射荧光，所述多个光源中的每一个均发射不同颜色的光；以及发光控制部分，用于控制所述多个光源中的每一个的发射强度，以控制从所述多个光源发射的组合光的色温。此外，本发明还公开了一种使用所述发光设备作为光源的照明装置、以及一种使用所述发光设备作为背光的液晶显示设备。
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公开(公告)号：CN101493191B
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN200810185247.X
申请日：2008-12-24
申请人： 夏普株式会社
IPC分类号： F21S2/00 , F21V9/10 , H01L33/00 , G02F1/13357 , F21Y101/02
CPC分类号： G02F1/133603 , G02F1/133609 , G02F1/133611
摘要： 一种面光源，按照色度对发光元件进行分组，在相对于目标色度逆向且相同程度地偏离的两个色度组中选出发光元件，将不同色度组的发光元件在纵向及横向上交替地配置而形成。另外，将所属色度组不同的两个发光元件配置成发光元件对，使得构成上述发光元件对的发光元件之间的间隔(d2)比上述发光元件对之间的间隔(d1)较小。一种显示装置，使用该面光源。
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公开(公告)号：CN100498466C
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200610141466.9
申请日：2006-09-29
申请人： 夏普株式会社
IPC分类号： G02F1/13357 , G09G3/34 , G02F1/133
摘要： 本发明提供一种用于非自发光型图像显示面板的背光灯装置。该背光灯装置具有与显示面板的显示区域对应的发光区域，通过组合多个配置了颜色传感器和红色、绿色及蓝色LED的背光灯基板来构成上述发光区域，其中，上述颜色传感器检测入射光的光量，根据上述颜色传感器的检测结果来控制上述LED的发光量。由此，可望减少在背光灯装置中发光区域整体的亮度不均。
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公开(公告)号：CN101312185A
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200810131474.4
申请日：2008-03-21
申请人： 夏普株式会社
IPC分类号： H01L25/075 , H01L23/31 , H01L21/50 , H01L21/56
CPC分类号： H01B1/10 , F21K9/232 , F21Y2115/10 , H01L24/45 , H01L24/73 , H01L25/0753 , H01L33/50 , H01L2224/32225 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45169 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/01015 , H01L2924/0102 , H01L2924/01047 , H01L2924/01063 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/12041 , H01L2924/181 , H01L2924/19107 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要： 本发明提供一种组合了发光元件和荧光体的发光装置及其制造方法，该发光装置(1)具有基板(2)和发光部，发光部具有搭载在基板(2)上并且与外部电连接的多个发光元件(4)、形成为覆盖发光元件(4)并且含有第一荧光体的第一密封体层(5)、在第一密封体层(5)上形成的含有第二荧光体的第二密封体层(6)，以及该发光装置的制造方法包括在基板上搭载多个发光元件(4)，使发光元件(4)与外部电极电连接的工序、覆盖发光元件(4)以形成含有第一荧光体的第一密封体层(5)的工序、测定第一密封体层形成后发光装置的色度特性的工序、以及在第一密封体层(5)上形成第二密封体层(6)以根据测定的色度特性调整得到色度偏差的工序。该发光装置能够通过荧光体抑制色偏差等，同时容易制造。
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公开(公告)号：CN101252164A
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200810074060.2
申请日：2008-02-21
申请人： 夏普株式会社
IPC分类号： H01L33/00 , H01L23/367
CPC分类号： H01L2224/48091 , H01L2924/00014
摘要： 本发明提供一种散热性、可靠性和生产性优异的表面安装型发光二极管。该表面安装型发光二极管(10)具有金属制的基底部件(2)、背面接合固定在基底部件(2)上的半导体发光元件(1)、按照包围半导体发光元件(1)的方式在基底部件(2)上隔着热传导性接合片(5)接合的金属制的反射体(6)。从半导体发光元件(1)产生的热通过基底部件(2)和热传导性接合片(5)向反射体(6)传导，并从反射体(6)向外部散热。反射体(6)是金属制，所以能把从半导体发光元件(1)产生的热高效向外部散热。在反射体(6)设置切削部，如果沿着该切削部切割，就能容易切割，所以不会降低成品率，能提高生产性。
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公开(公告)号：CN100379106C
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200510075919.8
申请日：2005-06-01
申请人： 夏普株式会社
CPC分类号： B82Y20/00 , G11B7/1275 , H01S5/2206 , H01S5/2231 , H01S5/3432 , H01S5/34326 , H01S5/4031 , H01S5/4087 , H01S2301/173 , H01S2304/04
摘要： 一种半导体激光元件及其制造方法，该半导体激光元件中，在p型 GaAs盖层的层厚和p型 AlXGa1-XAs (X＝0.550)第二包层的层厚相加的层厚与p型 GaAs 盖层的层厚和p型 AlGaInP 第二上包层的层厚相加的层厚的比跟干蚀刻p型 GaAs 盖层以及p型 AlXGa1-XAs (X＝0.550)第二包层时的蚀刻速率与干蚀刻p型 GaAs 盖层以及p型 AlGaInP 第二上包层时的蚀刻速率的比大致相同。
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公开(公告)号：CN1578031A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410054490.X
申请日：2004-07-22
申请人： 夏普株式会社
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/2206 , H01S5/2231 , H01S5/3432 , H01S5/4031 , H01S5/4087 , H01S2304/04
摘要： 本发明公开了一种半导体激光器件及其制造方法。首先形成在n型GaAs缓冲层(22)上的第一半导体激光器(39)的n型AlGaAs包层由第二n型AlxGa1－xAs(x＝0.500)包层(23)和第一n型AlxGa1－xAs(x＝0.425)包层(24)的两层结构构成。利用这种布置，在通过利用HF蚀刻位于n型GaAs缓冲层(22)侧的第二n型包层(23)而进行的去除中，因为第二n型包层(23)的Al混晶比x为0.500，所以不出现模糊，允许达到镜面蚀刻。而且借助对GaAs的选择性，蚀刻在n型GaAs缓冲层(22)处自动停止。甚至在上述情况下，由于位于AlGaAs多量子阱有源层(25)侧的第一n型包层(24)的Al混晶比x为0.425，因此通过使垂直辐射角θ⊥等于36度，可以提高椭圆度。
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公开(公告)号：CN101309536B
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN200810099515.6
申请日：2008-05-13
申请人： 夏普株式会社
发明人： 森本泰司
IPC分类号： G02F1/13357 , H05B37/02 , F21V9/10 , H01L31/12 , H01L33/00 , F21Y101/02
CPC分类号： H05B33/0857 , F21V9/30 , F21V9/40 , F21V23/00 , F21Y2115/10 , G02F1/133609 , G02F2201/52 , G09G3/34 , G09G2320/0666
摘要： 本发明描述了一种发光设备。所述设备包括：发光部分，具有多个光源，所述多个光源中的每一个均包括半导体发光元件和一种或更多种类型的磷光体，所述磷光体用于对从所述半导体发光元件输出的一部分光执行波长转换以辐射荧光，所述多个光源中的每一个均发射不同颜色的光；以及发光控制部分，用于控制所述多个光源中的每一个的发射强度，以控制从所述多个光源发射的组合光的色温。此外，本发明还公开了一种使用所述发光设备作为光源的照明装置、以及一种使用所述发光设备作为背光的液晶显示设备。
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