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公开(公告)号：CN104185615A
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201380014127.2
申请日：2013-03-28
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B38/00 , B01D53/86 , B01J27/224 , B01J35/04 , B01J37/34 , C04B35/565
CPC classification number: B01J29/70 , B01J21/16 , B01J27/224 , B01J35/04 , C04B35/565 , C04B35/6316 , C04B38/0006 , C04B2111/0081 , C04B2111/2084 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3217 , C04B2235/3418 , C04B2235/349 , C04B2235/3826 , C04B2235/428 , C04B2235/663 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , C04B38/0038
Abstract: 本发明提供耐热冲击性高的碳化硅质多孔体。本发明的碳化硅质多孔体含有碳化硅粒子、金属硅和氧化物相，碳化硅粒子彼此之间介由金属硅和氧化物相中的至少一种来结合。此外，氧化物相具有母相和分散相，所述分散相分散在母相中，且所述分散相的热膨胀率高于母相的热膨胀率。这里，氧化物相中的分散相的含有率的下限值优选为1质量％，氧化物相中的分散相的含有率的上限值优选为40质量％。此外，母相优选为堇青石，分散相优选为莫来石。
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公开(公告)号：CN104045347A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410078454.0
申请日：2014-03-05
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/56 , C04B35/622
CPC classification number: F28F3/12 , B23K1/0008 , B23K1/19 , C04B35/5611 , C04B35/5615 , C04B35/565 , C04B35/58092 , C04B35/645 , C04B37/006 , C04B2235/3839 , C04B2235/3843 , C04B2235/3891 , C04B2235/404 , C04B2235/428 , C04B2235/5436 , C04B2235/72 , C04B2235/77 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , F28F21/086 , H01L21/6833 , Y10T428/249969
Abstract: 提供一种复合材料，所述复合材料与氧化铝之间的线性热膨胀系数差很小，并且具有充分高的导热系数、致密性和强度。本发明的致密复合材料包含37-60质量%的碳化硅颗粒，以及各自含量均低于所述碳化硅颗粒的质量百分比的硅化钛、钛碳化硅和碳化钛，所述致密复合材料具有1%以下的开口孔隙率。该致密复合材料的特性包括，例如40-570℃的平均线性热膨胀系数为7.2-8.2ppm/K，导热系数为75W/mK以上，以及四点弯曲强度为200MPa以上。
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公开(公告)号：CN107840664B
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN201710846104.8
申请日：2017-09-19
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/599 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种硅铝氧氮陶瓷烧结体、其制法、复合基板及电子器件。本发明的硅铝氧氮陶瓷烧结体由Si6‑zAlzOzN8‑z(0＜z≤4.2)表示，开口气孔率为0.1％以下，相对密度为99.9％以上，且X射线衍射图中，硅铝氧氮陶瓷以外的各成分的最大峰的强度的总和相对于硅铝氧氮陶瓷的最大峰的强度的比值为0.005以下。
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公开(公告)号：CN103415490A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201280012338.8
申请日：2012-03-14
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/565 , B01J35/04 , C04B38/00
CPC classification number: B01J29/06 , B01D53/944 , B01J23/38 , B01J35/002 , B01J35/04 , C04B35/565 , C04B35/6316 , C04B38/0006 , C04B2111/0081 , C04B2235/3481 , C04B2235/428 , C04B2235/5436 , C04B2235/80 , C04B38/0074
Abstract: 本发明的碳化硅质多孔体含有碳化硅粒子、金属硅、氧化物相，碳化硅粒子介由金属硅及氧化物相中的至少一方互相结合。此外，氧化物相的主成分为堇青石，开口孔隙率为10～40%。优选碳化硅为50～80重量%，金属硅为15～40重量%，堇青石为1～25重量%。此外，优选体积电阻率为1～80Ωcm，热导率为30～70W/m·K。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111712475A
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN201980011750.X
申请日：2019-02-18
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/117 , B25B11/00 , H01B3/12 , H01L21/683
Abstract: 复合烧结体的制造方法具备：将混合Al2O3、SiC以及MgO而得到的混合粉末成型为规定形状的成型体的工序(步骤S11)、以及将该成型体烧成而生成复合烧结体的工序(步骤S12)。并且，步骤S11中，SiC相对于混合粉末的比例为4.0重量％以上且13.0重量％以下。另外，步骤S11中的Al2O3的纯度为99.9％以上。由此，能够抑制Al2O3的异常粒生长，并且，能够很好地制造具有高相对介电常数及耐电压、以及低tanδ的复合烧结体。
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公开(公告)号：CN109690943A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201780055823.6
申请日：2017-09-15
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H03H9/25
CPC classification number: H03H9/25 , B28B3/00 , B28B7/34 , B28B11/0845 , B32B18/00 , B32B37/10 , B32B37/18 , B32B38/0012 , B32B2250/02 , B32B2305/80 , B32B2307/10 , B32B2307/20 , B32B2307/538 , B32B2307/546 , B32B2307/72 , B32B2310/0875 , B32B2315/02 , B32B2457/00 , C04B37/001 , C04B37/003 , C04B2237/341 , C04B2237/345 , C04B2237/52 , C04B2237/708 , H03H3/10 , H03H9/02574 , H03H9/02622 , H03H9/058
Abstract: 本发明的复合基板是支撑基板和功能性基板直接接合而成的复合基板，其中，支撑基板为硅铝氧氮陶瓷烧结体。支撑基板中的音速优选为5000m/s以上。支撑基板的40℃～400℃的热膨胀系数优选为3.0ppm/K以下。
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公开(公告)号：CN104185615B
公开(公告)日：2018-07-03
申请号：CN201380014127.2
申请日：2013-03-28
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: B01J35/04 , B01J27/224 , C04B38/00 , B01D53/86 , B01J37/34 , C04B35/565
CPC classification number: B01J29/70 , B01J21/16 , B01J27/224 , B01J35/04 , C04B35/565 , C04B35/6316 , C04B38/0006 , C04B2111/0081 , C04B2111/2084 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3217 , C04B2235/3418 , C04B2235/349 , C04B2235/3826 , C04B2235/428 , C04B2235/663 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , C04B38/0038
Abstract: 本发明提供耐热冲击性高的碳化硅质多孔体。本发明的碳化硅质多孔体含有碳化硅粒子、金属硅和氧化物相，碳化硅粒子彼此之间介由金属硅和氧化物相中的至少一种来结合。此外，氧化物相具有母相和分散相，所述分散相分散在母相中，且所述分散相的热膨胀率高于母相的热膨胀率。这里，氧化物相中的分散相的含有率的下限值优选为1质量％，氧化物相中的分散相的含有率的上限值优选为40质量％。此外，母相优选为堇青石，分散相优选为莫来石。
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公开(公告)号：CN104254913B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201480001099.5
申请日：2014-03-06
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/683 , C04B35/565
CPC classification number: H01L21/67109 , B21D53/02 , B32B9/005 , B32B37/10 , B32B38/0012 , B32B2311/00 , B32B2311/24 , B32B2315/02 , C04B35/5615 , C04B35/575 , C04B35/62635 , C04B37/006 , C04B2235/3826 , C04B2235/3843 , C04B2235/3891 , C04B2235/5436 , C04B2235/5472 , C04B2235/656 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , C04B2237/365 , C04B2237/366 , C04B2237/402 , C04B2237/708 , H01L21/6831 , H01L21/6833 , H01L21/68757 , Y10T29/4935
Abstract: 半导体制造装置用部件(10)具有AlN制静电卡盘(20)、冷却板(30)、以及冷却板?卡盘接合层(40)。冷却板(30)具有第1～第3基板(31～33)、形成于第1以及第2基板(31、32)之间的第1金属接合层(34)、形成于第2以及第3基板(32、33)之间的第2金属接合层(35)、以及制冷剂通路(36)。第1～第3基板(31～33)由致密质复合材料形成，所述致密质复合材料从含量多的起依次包含SiC、Ti3SiC2以及TiC。金属接合层(34、35)通过在第1以及第2基板(31、32)之间和第2以及第3基板(32、33)之间夹持Al?Si?Mg系接合材料并将各基板(31～33)进行热压接合而形成。
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公开(公告)号：CN103415490B
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201280012338.8
申请日：2012-03-14
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/565 , B01J35/04 , C04B38/00
CPC classification number: B01J29/06 , B01D53/944 , B01J23/38 , B01J35/002 , B01J35/04 , C04B35/565 , C04B35/6316 , C04B38/0006 , C04B2111/0081 , C04B2235/3481 , C04B2235/428 , C04B2235/5436 , C04B2235/80 , C04B38/0074
Abstract: 本发明的碳化硅质多孔体含有碳化硅粒子、金属硅、氧化物相，碳化硅粒子介由金属硅及氧化物相中的至少一方互相结合。此外，氧化物相的主成分为堇青石，开口孔隙率为10～40%。优选碳化硅为50～80重量%，金属硅为15～40重量%，堇青石为1～25重量%。此外，优选体积电阻率为1～80Ωcm，热导率为30～70W/m·K。
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