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公开(公告)号：CN111627975B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202010541152.8
申请日：2016-07-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 伊佐敏行
Abstract: 本发明的一个方式的目的之一是减少显示装置的显示不良。提高显示装置的显示品质。本发明的一个方式是包括显示面板和第一导电层的显示装置。显示面板包括具有一对电极的显示元件。一对电极中的靠近于显示面板的一个表面的电极被供应恒定电位。第一导电层被供应恒定电位。当设置在显示面板的另一个表面上的第二导电层接触于第一导电层时，第二导电层也被供应恒定电位。第二导电层包括不与第一导电层固定的部分。
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公开(公告)号：CN110622348A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201880025241.8
申请日：2018-04-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种具有优良特性的蓄电系统。提供一种安全性高的蓄电系统。提供一种劣化小的蓄电系统。提供一种具有优良特性的蓄电池。蓄电系统包括神经网络及蓄电池。神经网络包括输入层、输出层及输入层与输出层之间的一个或多个隐藏层。指定的隐藏层以指定的权系数连接到上一个隐藏层或输入层，指定的隐藏层以指定的权系数连接到下一个隐藏层或输出层。在蓄电池中，蓄电池的电压与取得电压的时间作为一个数据组被测量。对输入层输入在不同时间测量的数据组，根据从输出层输出的信号改变蓄电池的工作条件。
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公开(公告)号：CN107851728A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201680043037.X
申请日：2016-07-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 伊佐敏行
Abstract: 本发明的一个方式的目的之一是减少显示装置的显示不良。提高显示装置的显示品质。本发明的一个方式是包括显示面板和第一导电层的显示装置。显示面板包括具有一对电极的显示元件。一对电极中的靠近于显示面板的一个表面的电极被供应恒定电位。第一导电层被供应恒定电位。当设置在显示面板的另一个表面上的第二导电层接触于第一导电层时，第二导电层也被供应恒定电位。第二导电层包括不与第一导电层固定的部分。
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公开(公告)号：CN102007586B
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN200980113810.5
申请日：2009-04-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/205 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1288 , C23C16/0272 , C23C16/24 , C23C16/4404 , H01L27/1214 , H01L29/04 , H01L29/41733 , H01L29/66765 , H01L29/78621 , H01L29/78669 , H01L29/78678 , H01L29/78696
Abstract: 所公开的是一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管在具有绝缘表面的衬底上包括：覆盖栅电极的栅极绝缘层；起沟道形成区域作用的半导体层；以及包含赋予一导电类型的杂质元素的半导体层。该半导体层以多个晶粒分散在非晶硅中且晶粒具有倒锥形或倒金字塔形的状态存在。晶粒沿半导体层沉积的方向大致放射状生长。倒锥形或倒金字塔形的晶粒的顶点远离栅极绝缘层与半导体层之间的界面。
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公开(公告)号：CN101378082B
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN200810212476.6
申请日：2008-08-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L27/12 , H01L21/336 , H01L21/84 , G02F1/1368
Abstract: 本发明的目的在于提供一种具有电特性及可靠性都高的薄膜晶体管的显示装置、以及一种量产性高地制造该显示装置的方法。在具有沟道停止型的反交错型薄膜晶体管的显示装置中，该沟道停止型的反交错型薄膜晶体管具有包括沟道形成区的微晶半导体膜，并且在该微晶半导体膜的沟道形成区中的不重叠于源电极及漏电极的区域中选择性地设置有包括一种导电型的杂质元素的杂质区。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1890698B
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：CN200480035706.6
申请日：2004-11-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09F9/30
CPC classification number: H01L27/1292 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L27/3262
Abstract: 本发明的目的是提供一种能够通过利用改进的材料以及通过简化的制造步骤来制造的显示器件，并且提供其制造技术。本发明的显示器件的一个特征是包括具有开口的绝缘层、形成在所述开口中的第一导电层、以及形成在所述绝缘层和第一导电层上的第二导电层，其中第一导电层比第二导电层更宽和更厚，以及其中通过喷溅含有导电材料的微滴来形成第二导电层。
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公开(公告)号：CN101937932A
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN201010219834.3
申请日：2010-06-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L29/36
CPC classification number: H01L29/6675 , H01L29/04 , H01L29/4908 , H01L29/66765 , H01L29/78669 , H01L29/78678 , H01L29/78696
Abstract: 本发明的目的在于提供一种截止电流低且导通电流和场效应迁移率高的薄膜晶体管。本发明的技术要点在于：在反交错型的薄膜晶体管中，层叠形成氮化硅层和使该氮化硅层氧化而成的氧化硅层作为栅极绝缘层，并且形成从与该栅极绝缘层的氧化硅层的界面正上进行结晶生长而成的微晶半导体层。因为从栅极绝缘层正上进行结晶生长，所以可以得到结晶性高且导通电流和场效应迁移率高的薄膜晶体管。另外，通过设置缓冲层，降低截止电流。
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公开(公告)号：CN101884112A
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200880118999.2
申请日：2008-11-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , G09F9/30 , H01L21/336 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49
CPC classification number: H01L27/1288 , H01L27/1214 , H01L29/42384 , H01L29/4908 , H01L29/78609
Abstract: 本发明提供了一种使用少数量掩模的薄膜晶体管和显示器件的制造方法。将第一导电膜、绝缘膜、半导体膜、杂质半导体膜、和第二导电膜堆叠。然后，使用多色调掩模在其上面形成具有凹陷部分的抗蚀剂掩模。执行第一蚀刻以形成薄膜堆叠体，并执行其中对薄膜堆叠体进行侧蚀刻的第二蚀刻以形成栅极电极层。使抗蚀剂凹入，然后形成源极电极、漏极电极等；由此，制造薄膜晶体管。
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公开(公告)号：CN1828931A
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN200610006625.4
申请日：2006-01-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/40 , H01L29/78 , H01L23/522 , H01L21/288 , H01L21/768 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/288 , H01L21/02672 , H01L21/76838 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L27/1285 , H01L27/1292 , H01L27/3248 , H01L27/3276 , H01L51/0019 , H01L51/0022 , H01L51/0023 , H01L2924/0002 , Y02P80/30 , H01L2924/00
Abstract: 具有结节的导电层邻接地形成为其间具有均匀的距离。排放导电层的微滴以在配线的长度方向上交错微滴的中心，使得排放微滴的中心在相邻导电层之间的线宽方向上不在同一线上。由于交错了微滴中心，所以各自具有最宽线宽(结节的最宽宽度)的导电层部分彼此不连接，且导电层邻接地形成为其间具有更短的距离。
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公开(公告)号：CN111788492B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN201980016772.5
申请日：2019-03-05
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G01R31/367 , G01R31/392 , H01M10/42 , H01M10/48 , H02J7/00 , G01R31/3842
Abstract: 提供一种不容易产生错误工作且能够高精度地进行异常检测的二次电池的控制方法。本发明是一种二次电池的充电状态推测装置，包括：产生电磁噪声的器件；测量与器件电连接的二次电池的电压值的第一检测单元；测量与器件电连接的二次电池的电流值的第二检测单元；从使用第一检测单元或第二检测单元得到的多个包括电磁噪声的数据抽出电磁噪声与驱动模式之间的因果关系，根据该因果关系进行数据校正的校正单元；以及根据数据校正后的数据使用回归模型算出充电率的运算单元。
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