公开(公告)号：CN102655107B

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201210055696.9

申请日：2012-02-28

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 福田正直 ,  佐佐木隆史 ,  山口天和 ,  原大介

IPC: H01L21/673 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67757 ,  H01L21/67309

Abstract: 本发明提供具有不对成膜精度带来不良影响且获得耐高温效果的晶片的层叠构造的衬底处理装置。具有将晶片(14)保持在内周侧的支架底座(110)、和具有保持支架底座(110)的外周侧的支架保持部(HS)的各舟皿柱(31a～31c)，支架底座(110)的外径尺寸比晶片(14)的外径尺寸大，并且支架底座(110)能够从支架保持部(HS)拆下。无需通过焊接等固定支架底座(110)和各舟皿柱(31a～31c)，能够由SiC等形成支架底座(110)及各舟皿柱(31a～31c)，能够容易地实现获得耐高温效果的晶片的层叠构造。另外，由于能够通过支架底座(110)使晶片(14)从各舟皿柱(31a～31c)远离，所以能够抑制对成膜精度带来不良影响。

公开(公告)号：CN105274497A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201510350349.2

申请日：2015-06-23

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 佐佐木隆史 ,  山本哲夫

IPC: C23C16/455 ,  H01J37/32 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67017 ,  B08B5/02 ,  C23C16/4405 ,  H01L21/67028

Abstract: 即使在经由簇射头进行气体供给的情况下，也能充分且良好地对簇射头内及处理空间内的各空间进行清洁处理。一种衬底处理装置，其具有：处理空间，其对衬底进行处理；簇射头缓冲室，其隔着设置有贯通孔的分散板而与处理空间相邻；非活性气体供给系统，其向簇射头缓冲室内供给非活性气体；处理空间清洁气体供给系统，其向处理空间内供给清洁气体；控制部，其控制非活性气体供给系统及处理空间清洁气体供给系统，使得清洁气体向处理空间的供给和非活性气体向簇射头缓冲室的供给同时进行。

公开(公告)号：CN104517819A

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201410468894.7

申请日：2014-09-15

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 山本哲夫 ,  盛满和广 ,  丰田一行 ,  大野健治 ,  高崎唯史 ,  广濑育男 ,  佐佐木隆史

IPC: H01L21/22

CPC classification number: C23C16/455 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32834 ,  H01J37/32862 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228

Abstract: 在使用了缓冲空间的单片式装置中，也能够抑制缓冲空间的副产物发生。为解决上述课题，提供一种半导体器件的制造方法，具有：将衬底送入处理室的工序；通过喷头的缓冲室将含第一元素气体供给到载置在所述处理室内的衬底的含第一元素气体供给工序；通过所述缓冲室将含第二元素气体供给到所述衬底的含第二元素气体供给工序；和在所述含第一元素气体供给工序和含第二元素气体供给工序之间进行的排气工序，所述排气工序具有：对所述缓冲室内的环境气体进行排气的缓冲室排气工序；和在所述缓冲室排气工序之后对所述处理室内的环境气体进行排气的处理室排气工序。

公开(公告)号：CN102763193A

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN201180009955.8

申请日：2011-02-22

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 佐佐木隆史 ,  今井义则 ,  栗林幸永 ,  中嶋定夫

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/42 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/45578 ,  C23C16/325 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  Y10S438/931

Abstract: 本发明通过提供一种半导体器件的制造方法而解决问题，该半导体器件的制造方法是衬底处理装置的半导体器件的制造方法，该衬底处理装置包括：反应室，以规定的间隔层叠多张衬底；第1气体供给喷嘴，在用于层叠多张衬底的区域上具有1个以上的第1气体供给口；以及第2气体供给喷嘴，在用于层叠多张衬底的区域上具有1个以上的第2气体供给口，第1气体供给口的方向和第2气体供给口的方向被设置成在到达衬底之前交叉，其中，该半导体器件的制造方法具有以下的工序：将衬底搬入至反应室内的工序；从第1气体供给口向反应室内至少供给含硅气体和含氯气体、或含硅及氯的气体，从第2气体供给口向反应室内至少供给含碳气体和还原气体，从第1气体供给口或第2气体供给口向反应室内进一步供给杂质气体，在衬底上形成膜的工序；以及从反应室搬出衬底的工序。

公开(公告)号：CN105023861A

公开(公告)日：2015-11-04

申请号：CN201410350103.0

申请日：2014-07-22

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 西堂周平 ,  和田优一 ,  佐佐木隆史

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

CPC classification number: C23C16/4412 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/4583 ,  H01L21/6776

Abstract: 衬底处理装置及半导体器件的制造方法。在进行各种气体的上方供给和/或上方排气的情况下，能够适当地进行对于衬底的工艺处理。衬底处理装置构成为，具备：衬底载置台，其载置有衬底；处理气体供给部，其从衬底载置台的上方侧向衬底的表面上供给处理气体；惰性气体供给部，其在处理气体供给部的侧方从衬底载置台的上方侧向衬底的表面上供给惰性气体；以及多个气体排气部，其在处理气体供给部与惰性气体供给部之间将供给到衬底的表面上的气体向衬底的上方侧排气。

公开(公告)号：CN104752163A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201410412612.1

申请日：2014-08-20

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 佐佐木隆史 ,  山本哲夫

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

CPC classification number: C23C16/4401 ,  C23C16/34 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/52 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32834 ,  H01J37/32853 ,  H01J37/32862 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明涉及高效率地除去喷头内的副产物、并抑制颗粒生成的半导体器件的制造方法、程序及衬底处理装置。本发明的半导体器件的制造方法，具有：成膜工序，通过喷头向处理室内的衬底上供给成膜气体和非活性气体，在所述衬底上形成膜；和堆积膜除去工序，在所述处理室内没有衬底的状态下，将温度比所述成膜工序时供给的所述非活性气体低的非活性气体供给到所述喷头，由此除去因所述成膜工序而堆积在所述喷头内的堆积膜。

公开(公告)号：CN102653883A

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN201210055674.2

申请日：2012-02-28

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 原大介 ,  佐佐木隆史 ,  山口天和 ,  伊藤刚 ,  福田正直 ,  平松宏明 ,  西堂周平

IPC: C30B25/02 ,  C30B25/16 ,  C30B29/36 ,  H01L21/67 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67109 ,  C23C16/325 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/4581 ,  C23C16/4582 ,  C23C16/4583 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/4587 ,  C23C16/4588 ,  C23C16/46 ,  C30B25/08 ,  C30B25/14 ,  C30B29/36 ,  H01L21/67303 ,  H01L21/67309 ,  H01L21/67757

Abstract: 本发明提供衬底处理装置，其具有：处理多个衬底(14)的反应室(44)；保持多个衬底(14)的舟皿(30)；具有向多个衬底(14)供给成膜气体的气体供给口(68、72)的气体供给喷嘴(60、70)；使供给到反应室(44)内的成膜气体排出的排气口(90)；热交换部(34)，设于反应室(44)下部，定义了第二流路，该第二流路比由反应室(44)的内壁和舟皿(30)定义的第一流路窄；气体逃逸部(340)，与设于舟皿(30)上的多个衬底(14)中的最下部衬底相比设置在下方，具有定义最下部衬底与热交换部(34)之间的空间的多根支柱。由此在进行SiC外延生长那样的、在1500℃到1700℃的超高温下的处理时，能够使成膜气体降低到集流腔的耐热温度并提高膜质均匀性。

公开(公告)号：CN102024695A

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN201010286635.4

申请日：2010-09-17

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 佐佐木隆史 ,  福田正直 ,  南政克 ,  女川靖浩

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02233 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/67109 ,  H01L29/7881

Abstract: 本发明的课题在于例如在500℃以上700℃以下的低温下，在整个晶片层叠方向控制原子氧O的浓度，且在整个晶片层叠方向使氧化膜的膜厚分布均等化。本发明提供一种半导体装置的制造方法及衬底处理装置，所述半导体装置的制造方法包括如下工序：从处理室内的多片衬底排列的衬底排列区域的一端侧通过混合部供给含氧气体和含氢气体、且使其朝另一端侧流动，同时从与处理室内的衬底排列区域相对应的途中的多处供给含氢气体、且使其朝另一端侧流动，由此对多片衬底进行氧化处理，其中，使含氧气体和含氢气体在混合部内反应，生成含有原子氧的氧化种，在从混合部内向处理室内喷射氧化种的喷出口位置处使氧化种的浓度最大。

公开(公告)号：CN105274497B

公开(公告)日：2018-08-07

申请号：CN201510350349.2

申请日：2015-06-23

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 佐佐木隆史 ,  山本哲夫

IPC: C23C16/455 ,  H01J37/32 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67017 ,  B08B5/02 ,  C23C16/4405 ,  H01L21/67028

Abstract: 即使在经由簇射头进行气体供给的情况下，也能充分且良好地对簇射头内及处理空间内的各空间进行清洁处理。一种衬底处理装置，其具有：处理空间，其对衬底进行处理；簇射头缓冲室，其隔着设置有贯通孔的分散板而与处理空间相邻；非活性气体供给系统，其向簇射头缓冲室内供给非活性气体；处理空间清洁气体供给系统，其向处理空间内供给清洁气体；控制部，其控制非活性气体供给系统及处理空间清洁气体供给系统，使得清洁气体向处理空间的供给和非活性气体向簇射头缓冲室的供给同时进行。

公开(公告)号：CN107924841A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201680050773.8

申请日：2016-09-15

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 佐佐木隆史 ,  上村大义 ,  吉田秀成

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/45559 ,  C23C16/345 ,  C23C16/455 ,  C23C16/4583 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/31

Abstract: 本发明提高对在纵向上排列的衬底供给的处理气体的浓度均匀性。构成具有气体供给部，气体供给部具备从各自的上端供给相同种类且相同质量流量的处理气体的第一气体供给管和第二气体供给管，气体供给部经由第一气体供给管及第二气体供给管，向收容在纵向上排列的多个衬底的处理室中，供给用于处理衬底的处理气体，其中，当将与配置衬底的衬底配置区域相对的第一气体供给管的长度设为L1、将第一气体供给管的流路截面积设为S1、将与衬底配置区域相对的第二气体供给管的长度设为L2、将第二气体供给管的流路截面积设为S2时，构成为L1比L2长、并且S1比S2小。