公开(公告)号：CN114008237A

公开(公告)日：2022-02-01

申请号：CN202080044257.0

申请日：2020-04-27

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 武末健太郎 ,  和田优 ,  松本浩一 ,  川越裕 ,  西村元秀

IPC: C23C14/34 ,  C04B35/01 ,  H01L21/363

Abstract: 本发明提供了一种代替IGZO的高特性的氧化物半导体薄膜制造用的溅射靶及其制造方法。为了达成上述目的，本发明的一个方式的溅射靶由包含铟、锡以及锗的氧化物烧结体构成，锗相对于铟、锡及锗的总和的原子比为0.07以上且0.40以下，锡相对于铟、锡及锗的总和的原子比为0.04以上且0.60以下。由此，能够得到具有10cm2/Vs以上的迁移率的晶体管特性。

公开(公告)号：CN102017168B

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN200980112752.4

申请日：2009-06-03

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 清水康男 ,  小形英之 ,  松本浩一 ,  野口恭史 ,  若森让治 ,  冈山智彦 ,  森冈和 ,  杉山哲康 ,  重田贵司 ,  栗原広行

IPC: H01L31/04 ,  C23C16/50 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67754 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/4587 ,  C23C16/509 ,  C23C16/54 ,  H01L21/67161 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67781 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/182 ,  H01L31/1824 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/546 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种薄膜太阳能电池制造装置包括：收容基板的成膜室；以及在该成膜室内对所述基板通过CVD法进行膜形成的电极单元，所述电极单元具有：阳极和阴极；以及侧壁部，所述侧壁部保持该阳极和阴极，构成所述成膜室的壁部的一部分，进一步对于所述成膜室装卸自如。

公开(公告)号：CN101999159A

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：CN200980112941.1

申请日：2009-06-03

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 清水康男 ,  小形英之 ,  松本浩一 ,  野口恭史 ,  若森让治 ,  冈山智彦 ,  森冈和 ,  杉山哲康 ,  重田贵司 ,  栗原広行 ,  齐藤一也

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/54 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L21/67167 ,  C23C16/5096 ,  C23C16/54 ,  H01J37/32743 ,  H01L21/67161 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67754 ,  H01L21/67781 ,  H01L31/18

Abstract: 一种薄膜太阳能电池制造装置包括：成膜室，被排气以减压并通过CVD法在基板上形成膜；放入取出室，与所述成膜室经由第一开闭部连接，并能够在大气压与减压之间切换；第一托架，保持成膜处理前的基板；以及第二托架，保持成膜处理后的基板，所述放入取出室同时收容所述第一托架与所述第二托架。

公开(公告)号：CN102959681B

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201180030323.X

申请日：2011-06-22

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 林卓郎 ,  曽我部浩二 ,  松本浩一 ,  桥本征典 ,  中村久三 ,  萩原宗源 ,  内田宽人 ,  森胜彦 ,  清水康男 ,  坂元盛昭

IPC: C23C16/44 ,  H01L31/18

CPC classification number: B08B7/00 ,  C23C16/24 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/50 ,  C23C16/545 ,  H01L31/1876 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本申请公开了一种成膜装置及成膜装置的维护方法。在成膜室的两侧的侧面下部分别设置有各两处、总计四处点火部。点火部在对可燃性的副生成物点火时通电。在成膜室的侧面上形成有用于测定成膜室内的压力的第一检测部。在成膜室的侧面下部形成有第二检测部。在成膜室的上部形成有测定成膜室内的空间温度的第三检测部。

公开(公告)号：CN101990585B

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN200980112430.X

申请日：2009-06-05

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 清水康男 ,  小形英之 ,  松本浩一 ,  野口恭史 ,  若森让治 ,  冈山智彦 ,  森冈和 ,  杉山哲康 ,  重田贵司 ,  栗原広行

IPC: C23C16/54 ,  C23C16/24 ,  H01L31/04

CPC classification number: C23C16/4587 ,  C23C16/24 ,  C23C16/54 ,  H01L21/67161 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67712 ,  H01L21/67736 ,  H01L21/67754 ,  H01L31/076 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种成膜装置包括：成膜室(11)，在真空中将希望的膜成膜在基板(W)上；放入取出室(13)，经由第一开闭部(25)被固定于所述成膜室(11)，并能将内部减压为真空气氛；第二开闭部(36)，设置在所述放入取出室(13)的、与设置有所述第一开闭部(25)的面相反的面上；以及托架(21)，以所述基板(W)的成膜面与重力方向大致平行的方式保持所述基板(W)，所述托架或所述基板(W)通过所述第二开闭部(36)被搬入、搬出所述放入取出室(13)，在所述放入取出室(13)中并列配置多个所述托架(21)，在所述放入取出室(13)与所述成膜室(11)之间所述多个托架(21)被并列地搬入或搬出，在所述成膜室(11)中对保持在所述多个托架(21)上的多个所述基板(W)同时进行成膜。

公开(公告)号：CN102959681A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201180030323.X

申请日：2011-06-22

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 林卓郎 ,  曽我部浩二 ,  松本浩一 ,  桥本征典 ,  中村久三 ,  萩原宗源 ,  内田宽人 ,  森胜彦 ,  清水康男 ,  坂元盛昭

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/44 ,  H01L31/04

CPC classification number: B08B7/00 ,  C23C16/24 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/50 ,  C23C16/545 ,  H01L31/1876 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本申请公开了一种成膜装置及成膜装置的维护方法。在成膜室的两侧的侧面下部分别设置有各两处、总计四处点火部。点火部在对可燃性的副生成物点火时通电。在成膜室的侧面上形成有用于测定成膜室内的压力的第一检测部。在成膜室的侧面下部形成有第二检测部。在成膜室的上部形成有测定成膜室内的空间温度的第三检测部。

公开(公告)号：CN102301487A

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN201080005941.4

申请日：2010-01-29

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 内田宽人 ,  藤长徹志 ,  若井雅文 ,  小林忠正 ,  植喜信 ,  中村久三 ,  浅利伸 ,  齐藤一也 ,  松本浩一 ,  清水康男 ,  森胜彦

IPC: H01L31/04

CPC classification number: C23C16/54 ,  C23C16/24 ,  H01L31/076 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1824 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: 该光电转换装置的制造方法为在基板(1)上形成的透明导电膜(2)上依次层压第一光电转换单元(3)和第二光电转换单元(4)的光电转换装置(10)的制造方法，在多个第一等离子体CVD反应室(62、63、64、65)中，分别形成第一p型半导体层(31)、第一i型半导体层(32)、第一n型半导体层(33)和第二p型半导体层(41)，将所述第二p型半导体层(41)暴露在大气气氛中，在形成第二i型半导体层(42)之前，向第二等离子体CVD反应室(72)内供给含p型杂质的气体，在所述第二等离子体CVD反应室(72)中，在大气中暴露过的所述第二p型半导体层(41)上形成所述第二i型半导体层(42)，在所述第二i型半导体层(42)上形成所述第二n型半导体层(43)。

公开(公告)号：CN102017169A

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200980112754.3

申请日：2009-06-05

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 清水康男 ,  小形英之 ,  松本浩一 ,  野口恭史 ,  神保洋介 ,  冈山智彦 ,  森冈和 ,  杉山哲康 ,  重田贵司 ,  栗原広行 ,  桥本征典 ,  若松贞次

IPC: H01L31/04 ,  C23C16/505 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L31/18 ,  C23C16/50 ,  C23C16/5096 ,  C23C16/54 ,  H01J37/32568 ,  H01L21/67748 ,  H01L31/1876 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种薄膜太阳能电池制造装置包括：成膜空间(81)，以基板(W)的成膜面与重力方向大致平行的方式配置所述基板(W)，并通过CVD法将希望的膜形成在所述成膜面上；阴极单元(68、118、128)，具有施加有电压的阴极(75)和两个以上的供电点(88)，所述阴极(75)配置在两侧；以及阳极(67)，与配置在所述阴极单元(68、118、128)的两侧的所述阴极(75)隔开并对置地配置。

公开(公告)号：CN114008237B

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202080044257.0

申请日：2020-04-27

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 武末健太郎 ,  和田优 ,  松本浩一 ,  川越裕 ,  西村元秀

IPC: C23C14/34 ,  C04B35/01 ,  H01L21/363

Abstract: 本发明提供了一种代替IGZO的高特性的氧化物半导体薄膜制造用的溅射靶及其制造方法。为了达成上述目的，本发明的一个方式的溅射靶由包含铟、锡以及锗的氧化物烧结体构成，锗相对于铟、锡及锗的总和的原子比为0.07以上且0.40以下，锡相对于铟、锡及锗的总和的原子比为0.04以上且0.60以下。由此，能够得到具有10cm2/Vs以上的迁移率的晶体管特性。

公开(公告)号：CN101789358B

公开(公告)日：2014-02-19

申请号：CN200910129865.7

申请日：2009-03-30

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 池田均 ,  冈山智彦 ,  松本浩一 ,  森冈和 ,  目崎芳则

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/324

Abstract: 本发明提供能够以低成本制造、高效率良好加热处理基板的加热处理装置。该加热处理装置具有真空腔(20)、支持部件(30)和加热装置(40)，真空腔(20)具备：腔本体(21)，该腔本体(21)由具有贯通孔(24)的多个腔部件(25)构成，在邻接的腔部件(25)的至少一个上，沿与另一个抵接的面的贯通孔(24)的开口部的整个周围连续设置槽部(27)，各腔部件(25)在夹着安装在槽部(27)中的密封部件(26)、分别紧靠的状态下被固定，腔本体(21)具有由多个贯通孔(24)构成的处理空间(A)；堵住处理空间(A)的壁面部件(22)和盖部件(23)，支持部件(30)配置在处理空间(A)内、支持基板(S)，加热装置(40)用辐射热加热基板(S)。