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公开(公告)号：CN118156131A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410395269.8
申请日：2024-04-02
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院 , 西安电子科技大学
IPC: H01L21/335 , H01L29/423 , H01L29/778 , H01L29/06 , H01L29/417
Abstract: 本发明涉及一种具有支撑结构的浮空T型栅HEMT器件及其制备方法，该制备方法包括：在衬底层上制备异质结结构；在源电极欧姆区域和漏电极欧姆区域的势垒层上分别制备源电极和漏电极；在源电极和漏电极之间有源区的势垒层上制备钝化层；去除栅电极区域的钝化层，以形成位于所述栅电极区域两侧的第一钝化子层和第二钝化子层；制备浮空T型栅电极，浮空T型栅电极包括栅脚和栅帽；将电极引出，完成浮空T型栅HEMT器件的制备。本发明既实现了在不引入额外寄生电容的情况下，对浮空T型栅电极的表面进行了钝化，又能对浮空T型栅的栅帽进行支撑，提高了工作频率，改善其射频功率特性，提高器件制备良率，降低了成本。
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公开(公告)号：CN118073411A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410216094.X
申请日：2024-02-27
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院 , 西安电子科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/417
Abstract: 本发明公开了一种肖特基/欧姆混合漏极结构的低阻高击穿GaN基HEMT器件及其制备方法，通过引入第一嵌套矩形沟槽和第二嵌套矩形沟槽将接触形式扩展到了三维立体层面，能显著增大欧姆金属与异质结沟道处的接触面积，将进一步减小GaN基HEMT器件的欧姆接触电阻；在不减少接触面积的同时，大量减少小尺寸孔阵的分布，减少金属尖峰毛刺的产生，从而优化电压分布，提高击穿电压；利用肖特基/欧姆混合漏电极在不改变源漏实际间距下，等效缩短源漏间距，进一步缩小器件特征尺寸，从而提高其工作频率，提高其射频功率特性，同时，漏电极肖特基金属的引入能提高漏极击穿电压。
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公开(公告)号：CN118033614A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410110022.7
申请日：2024-01-25
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院 , 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种车载超声波车载雷达的定位算法及其硬件加速的方法及系统，涉及数据处理技术领域，解决了现有技术中面对多个障碍物的情况无法处理，计算结果不正确的问题；该方法包括：分别确定多个车载雷达对应的多个障碍物，计算每个车载雷达与对应多个障碍物之间的距离，得到与每个车载雷达的对应的多个障碍物距离；分别将多个车载雷达作为主车载雷达，其余车载雷达作为次车载雷达，确定每一个车载雷达的探测区域内障碍物的可匹配区域；利用可匹配区域，得到可匹配回波信号集，并进行验证匹配，得到处理后的回波信号集；利用单障碍物定位算法和处理后的回波信号集对障碍物进行定位；实现了较为精准地匹配障碍物回波信息，提高定位精度。
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公开(公告)号：CN117673138A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311697067.0
申请日：2023-12-11
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明涉及一种多级槽终端耐压结构的GaN HEMT器件及其制备方法，所述GaN HEMT器件包括从下至上依次层叠设置的衬底层、成核层、缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层，AlGaN势垒层的上表面设置有N个第一凹槽，N＞1；源极和漏极分别设置于AlGaN势垒层上表面的两端；介质层设置于AlGaN势垒层、源极和漏极上；栅极设置于介质层上，且N个第一凹槽和N个第二凹槽位于栅极和漏极之间。本发明的GaN HEMT器件在保证器件性能的同时，进一步通过重新分配栅极靠近漏极的高电场来延缓雪崩过程，提高GaN基功率器件的工作电压。
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公开(公告)号：CN117614451A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311742829.4
申请日：2023-12-18
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
Abstract: 本发明公开了一种电容阵列版图结构及逐次逼近模数转换器版图结构，其中的电容阵列版图结构包括：第一版图区，包括若干呈矩阵排列的单位电容；第一版图区为电容阵列中的主电容阵列所在的版图区，主电容阵列中容值为一个或者两个单位电容的逼近电容均设置于第一版图区的矩形中心，其他逼近电容呈中心对称设置于第一版图区内；第二版图区，为电容阵列中的子电容阵列和桥接电容所在的版图区，子电容阵列通过桥接电容与主电容阵列相连接；桥接电容以及子电容阵列中容值为一个或者两个单位电容的逼近电容均设置于第二版图区的矩形中心，其他逼近电容呈中心对称设置于第二版图区内。本发明中的结构，能够降低电容阵列中的失配，减少寄生。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113725075B
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202110789451.8
申请日：2021-07-13
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H01L21/28 , H01L21/04 , H01L29/45 , C23C16/22 , C23C16/505
Abstract: 本发明提供的一种金刚石混合终端表面电导的制备方法，利用C‑Si代替氢终端金刚石表面空气吸附层，采用原位刻蚀硅的方法作为Si的来源，在金刚石表面形成混合终端，制备C‑H/C‑Si混合终端金刚石，本发明操作简单，成本低廉，不需要复杂的工艺设备及步骤，就可以解决C‑H表面金刚石电导不稳定的问题，提高金刚石表面电导特性。
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公开(公告)号：CN116845111A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310822885.2
申请日：2023-07-05
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L21/329 , H01L29/20
Abstract: 本发明公开了一种双终端氮化镓基二极管及其制备方法，其中的器件包括：衬底以及设置于衬底上的缓冲层、沟道层和势垒层；P‑GaN双终端层，设置于势垒层上除阴极位置区域和阳极位置区域以外区域；P‑GaN双终端层包括分别设置于第一区域和第二区域的第一终端和第二终端，第一区域为P‑GaN双终端层靠近阳极位置区域的端部中的部分区域，第二区域为除第一区域以外的区域；第二终端为对第二区域的P‑GaN材料进行等离子体处理后得到；阴电极，设置于势垒层上的阴极位置区域；阳电极，设置于势垒层上的阳极位置区域，并与第一终端和第二终端均电接触。本发明中的器件，正向工作时电流密度较高、开启电压较低，反向工作时漏电电流较小、击穿电压较高。
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公开(公告)号：CN116760413A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310727140.8
申请日：2023-06-19
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H03M1/12 , G06F30/392
Abstract: 本发明公开了一种流水线模数转换器版图结构，其包括功能电路版图区和围绕功能电路版图区设置的输入输出接口版图区；功能电路版图区包括电源电路版图区、数字信号电路版图区和混合信号电路版图区；数字信号电路版图区与电源电路版图区相邻，混合信号电路版图区呈U型环结构环绕电源电路版图区和数字信号电路版图区，且电源电路版图区位于U型环结构环设空间的底部，数字信号电路版图区位于U型环结构环设空间的开口处；电源电路版图区用于提供参考电流，混合信号电路版图区用于对输入信号进行量化，数字信号电路版图区用于产生时钟信号，并对混合信号电路版图区产生的量化结果进行校准。本发明中的结构，能够提高流水线模数转换器的性能和可靠性。
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公开(公告)号：CN114312565B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202111653146.2
申请日：2021-12-30
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: B60Q9/00 , B60L58/26 , B60L15/20 , H01M10/613 , H01M10/625 , H01M10/48 , H01M10/6568 , H01M10/6556
Abstract: 本发明公开了一种过热警报型新能源汽车电池组,涉及汽车电池的技术领域，包括壳体、循环泵及检测提醒机构，本发明在使用时，通过壳体中检测提醒机构中的导电杆、导电条及热变形金属片，在热变形金属片受热弯折后与导电板接触使警示灯自动打开，对司机进行提醒，并通过电阻条及双程记忆弹簧，在双程记忆弹簧受热收缩时，导电板与电阻条接触，使汽车电驱动系统的电路中电流减少，使得车速下降，从而再次对司机进行提醒，进而对蓄电池进行有效的防护，不需要额外的传感器及控制装置，节约生产成本。
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公开(公告)号：CN116666459A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310574169.7
申请日：2023-05-17
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H01L29/861 , H01L29/16 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种能够实现快速响应的穿通型SiC‑TVS器件及其制备方法，该器件包括SiC衬底、SiC外延层、第一电极和第二电极，其中，SiC外延层包括位于SiC衬底上表面的基区以及嵌入在基区上表面且彼此间隔的若干个发射区，发射区与SiC衬底具有相同的掺杂类型，发射区与基区具有相反的掺杂类型；第一电极设置在SiC外延层上表面，由位于发射区上表面的若干个发射极以及位于基区上表面的若干个基极短接组成，其中，若干个发射极与若干个基极交替接触设置；第二电极位于SiC衬底的下表面。本发明通过在基区表面离子注入形成若干个均匀分布的发射区，并将基极与发射极短接，有效削弱正偏PN结在基区一侧由于少子注入引起的少子堆积效应，大幅提高了器件的钳位响应速度。
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