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    太阳能电池组件用多晶硅片的制备方法
    1.
    发明公开
    太阳能电池组件用多晶硅片的制备方法 无效

    公开(公告)号：CN109023521A

    公开(公告)日：2018-12-18

    申请号：CN201810991724.5

    申请日：2018-08-29

    申请人： 孟静

    发明人： 孟静

    IPC分类号： C30B29/06 ,  C30B28/10 ,  C30B28/06 ,  C30B33/10

    CPC分类号： C30B29/06 ,  C30B28/06 ,  C30B28/10 ,  C30B33/10

    摘要： 本发明公开了一种太阳能电池组件用多晶硅片的制备方法，涉及多晶硅片的制备方法技术领域。所述方法在制备多晶硅棒的过程中，首先通过钛‑硅合金熔体的硅与二硅化钛的多次共晶定向凝固及等离子熔炼去除硅熔体中的碳、硼、磷等元素，然后进一步通过铝‑硅合金熔体的铝与硅的多次共晶定向凝固及真空电子束熔炼去除钛、铁等元素，然后通过对多晶硅的提拉实现再次提纯，通过上述三步实现太阳能级多晶硅的提纯，能够去除多晶硅中的多种杂质，制备的多晶硅棒的纯度较高，因此，制备的所述多晶硅片的纯度较高，从而提高了太阳能电池组件的光电转换效率。

    一种硅酸盐晶体的生长方法
    3.
    发明公开
    一种硅酸盐晶体的生长方法 无效

    公开(公告)号：CN105803517A

    公开(公告)日：2016-07-27

    申请号：CN201610165600.2

    申请日：2016-03-22

    申请人： 沈丽明

    发明人： 沈丽明

    IPC分类号： C30B15/00 ,  C30B28/10 ,  C30B29/34

    CPC分类号： C30B15/00 ,  C30B28/10 ,  C30B29/34

    摘要： 发明提供的一种硅酸盐晶体的生长方法，包括以下步骤：将稀土氧化物和氧化硅置于球磨机中球磨混料，得混合粉料；将混合粉料分批装入衬有玻璃纸的模具中，在油压机中压成料饼；将料饼置于坩埚中，通入混合气体高温烧结，使其发生固相反应，降温至室温；将装有产物的坩埚置于提拉炉中，恒温使其完全熔化，得熔体；将籽晶在结晶温度下接触熔体，控制籽晶旋转速度经缩颈、放肩、等径、收尾、原位退火五步提拉工艺使晶体生长，得硅酸盐晶体。本发明采用提拉法促进硅酸盐晶体生长，通过对原料、生长条件、生长工艺优化，使制得的硅酸盐晶体生长性能均一、质量高、完全透明，无包裹体、气泡、开裂等宏观缺陷。

    一种生产原生多晶硅用方型硅芯材料及制备方法
    4.
    发明公开
    一种生产原生多晶硅用方型硅芯材料及制备方法 无效

    公开(公告)号：CN104264221A

    公开(公告)日：2015-01-07

    申请号：CN201410457411.3

    申请日：2014-09-10

    申请人： 河南协鑫光伏科技有限公司

    发明人： 林会社

    IPC分类号： C30B29/06 ,  C30B28/10

    CPC分类号： C30B29/06 ,  C30B28/10

    摘要： 本发明公开了一种生产原生多晶硅用方型硅芯材料及制备方法，生产原生多晶硅用方型硅芯材料由原生免洗多晶硅90~120kg；菜籽多晶硅5~30kg；碎多晶硅15~30kg；母合金1.7~3g按照一定比例，经过投料，拉晶，收尾，截晶，切割而成，与现有技术相比，本发明生产出的方型硅芯优点在于晶体单一晶向生长，晶体结构较为稳定，切割时不易断裂，杂质在晶体中有一定的分布规律，电阻率测试数据稳定；提高多晶硅产量、节能降耗；方型硅芯截面积大、强度高，承载能力大，同时方型硅芯尺寸标准和卡瓣夹持垂直度容易保证，搭桥用圆锥榫连接十分可靠，大大降低了还原炉倒炉的可能性。

    从熔体中生长硅单晶的方法和装置
    8.
    发明公开
    从熔体中生长硅单晶的方法和装置 有权

    公开(公告)号：CN101886289A

    公开(公告)日：2010-11-17

    申请号：CN201010154972.8

    申请日：2010-03-30

    申请人： 硅电子股份公司

    发明人： P·菲拉尔

    IPC分类号： C30B15/00

    CPC分类号： C30B15/14 ,  C30B13/28 ,  C30B15/00 ,  C30B15/10 ,  C30B15/203 ,  C30B15/206 ,  C30B15/305 ,  C30B21/06 ,  C30B27/02 ,  C30B28/10 ,  C30B29/06 ,  C30B30/04 ,  Y10T117/1008 ,  Y10T117/1068

    摘要： 本发明涉及一种从熔体中生长硅单晶的方法和装置。所述方法包括：在坩埚中提供所述熔体；在熔体上施加水平磁场，所述磁场在场中心C具有磁感应B；将气体在所述硅单晶与热遮蔽体之间导向熔体自由表面；并且控制所述气体流过以基本上垂直于所述磁感应B的方向延伸的熔体自由表面区域。所述的装置包括：用于承载熔体的坩埚；用于在熔体上施加水平磁场磁系统，所述磁场在磁场中心C处具有磁感应B；围绕硅单晶的热遮蔽体，该热遮蔽体具有与面对熔体自由表面的底盖连接的低端，该低端相对于坩埚轴M具有非轴对称形状，从而在硅单晶和热遮蔽体之间导向熔体自由表面的气体被底盖驱使流过熔体自由表面，所述熔体自由表面按基本上垂直于磁感应B的方向进行延伸。

    一种高硅铝合金缸套材料及其制备方法
    9.
    发明公开
    一种高硅铝合金缸套材料及其制备方法 有权

    公开(公告)号：CN107513646A

    公开(公告)日：2017-12-26

    申请号：CN201710566433.7

    申请日：2017-07-12

    申请人： 西安理工大学

    发明人： 杜玉洲 ,  蒋百灵

    IPC分类号： C22C21/02 ,  C22C1/02 ,  C30B29/52 ,  C30B28/10 ,  C30B33/04

    CPC分类号： C22C21/02 ,  C22C1/026 ,  C30B28/10 ,  C30B29/52 ,  C30B33/04

    摘要： 本发明公开了一种高硅铝合金缸套材料，按照质量百分比由以下组分组成：Si17％～40％、Mg0.5％-2.5％、Cu0.5％-1.5％、Mn0.5％-1.5％、Ni0.2％-0.8％、余量为Al，以上各组分的质量百分比总和为100％。其重量轻。本发明还公开了上述高硅铝合金缸套材料的制备方法，具体为：步骤1，按重量百分比分别称取上述组分；步骤2，将步骤1称取的原材料混合放入坩埚里，加热升温并保温直至其全部熔融，得到熔融液，再将熔融液降温至一定的温度并保温；步骤3，在提拉杆上安放一粒籽晶，让籽晶接触熔融液体表面，待籽晶表面稍熔后，提拉或者提拉并开启电磁搅拌装置，获得铸态高硅铝合金；铸态高硅铝合金的内部气体含量降低，组织致密化好。

    一种生长多晶硅靶材的方法
    10.
    发明公开
    一种生长多晶硅靶材的方法 失效

    公开(公告)号：CN106978624A

    公开(公告)日：2017-07-25

    申请号：CN201710223931.1

    申请日：2017-04-07

    申请人： 河北工业大学

    发明人： 陈洪建 ,  王佳 ,  阎文博 ,  张恩怀

    IPC分类号： C30B28/10 ,  C30B29/06 ,  C23C14/35

    CPC分类号： C30B28/10 ,  C23C14/3414 ,  C23C14/35 ,  C30B29/06

    摘要： 本发明涉及一种生长多晶硅靶材的方法，包括装炉、化料、引晶、放肩、转肩、等径和收尾过程，所述引晶过程是：多晶硅原料化料完成后，将加热功率降至引晶所需大小，降温至使熔体硅的液面具有过冷度，降低提拉装置上的籽晶杆，使籽晶底面接触熔体硅，待观测到籽晶与熔体硅接触位置的光圈稳定时，以3~7mm/min的拉晶速率向上拉籽晶，晶体在籽晶和熔体硅的接触面随籽晶的提高而生长即凝固，当得到的晶体尺寸维持在直径为3~5mm、长度为160~190mm时，得到细晶，进而降低拉晶速率进入放肩阶段；所述放肩过程是：拉晶速率降低至0.4～0.8mm/min，同时以15～25℃/hr的降温速率进行线性降温，使晶体放肩，直至晶体直径为小于产品所需直径5～7mm的大小时，停止线性降温。