使用反射及透射图来检测光罩劣化

    公开(公告)号:CN104303048B

    公开(公告)日:2018-05-04

    申请号:CN201380025799.3

    申请日:2013-03-07

    Abstract: 在检验期间使用光学光罩检验工具来针对每一局部区域获得对应于从光罩的每一局部区域的多个子区域反射的光的多个反射强度值的平均值。还在所述检验期间使用所述光学光罩检验工具来针对每一局部区域获得对应于透射通过所述光罩的每一局部区域的所述子区域的光的多个透射强度值的平均值。通过针对每一局部区域组合多个反射强度值的所述平均值与多个透射强度值的所述平均值而产生组合强度分布图,使得:如果光罩尚未劣化,那么从所述组合强度分布图消除所述光罩的光罩图案;且如果所述光罩已劣化,那么不从所述组合强度分布图消除所述光罩的所述光罩图案。

    半导体材料光致发光测量中掺杂浓度和少数载流子寿命分离

    公开(公告)号:CN102483378A

    公开(公告)日:2012-05-30

    申请号:CN201080033122.0

    申请日:2010-07-19

    CPC classification number: G01N21/6489 G01N2201/06113 G01N2201/10 H01L22/12

    Abstract: 分离由掺杂浓度和少数载流子寿命分别对半导体材料产生的光致发光(PL)的影响的方法。在一个实施方式中本底掺杂浓度以其他技术被测量,使得PL测量结果根据有效少数载流子寿命被分析。在另一个实施方式中有效寿命以其他技术被测量,使得PL测量结果根据本底掺杂浓度被分析。在又一个实施方式中,通过计算两次PL测量结果的强度比本底掺杂浓度的影响被消除,所述PL测量结果是在不同的光谱范围下被获得,或者在不同的激发波长下被产生。本方法特别适用与诸如硅块或硅锭的体样品,其中相比于薄的、表面受限的样品如硅晶片,信息可以在很大的体寿命值范围内被获得。本方法还可应用于太阳电池的生产中以改善硅块和硅锭的制造,以及为晶片提供切割导引。

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