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公开(公告)号：CN118854267A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411336613.2
申请日：2024-09-25
申请人： 无锡展硕科技有限公司
发明人： 季中伟
IPC分类号： C23C16/52 , C23C16/455 , C23C16/509 , H01L21/67
摘要： 本发明涉及应用于半导体器件领域的一种半导体薄膜成膜系统及方法，包括有成膜系统本体，成膜系统本体内设置有反应室箱、成膜控制箱和搭载在成膜控制箱内的气体稳定辅助子系统，采用流速感应结构、稳定调气结构、电磁调控条和气体稳定辅助子系统的配合，能够在半导体薄膜成膜的过程中一方面实现对反应气体进气量状态的实时监测，另一方面也能够在进气量调控异常时，对内置导管的进气通道进行智能调控，释放或者限制反应气体通入反应腔内的进气量，有效增加进气量调控的功能性，进而能够在半导体薄膜成膜的过程中，有效保证反应气体的持续稳定性，提高半导体薄膜成膜的合格率，促进其的成膜质量，降低成本损耗，提高半导体薄膜成膜的经济效益。
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公开(公告)号：CN117352430B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202311310856.4
申请日：2023-10-10
申请人： 拓荆科技股份有限公司
发明人： 郭东
IPC分类号： H01L21/67 , C23C16/509 , H01J37/32
摘要： 本发明涉及半导体制造技术领域，更具体的说，涉及一种包含射频系统的半导体处理设备。本发明提供了一种半导体处理设备，至少包括反应腔室、射频接收极、射频发射极：所述射频接收极，设置在反应腔室内的上方；所述射频发射极，设置在反应腔室内的下方，用于向反应腔室上方发射射频功率信号。本发明通过将射频功率从反应腔室底部导入，并采用连接器与匹配器直接相连的方式，实现了待处理基板沉积速率的显著提升，提高了工艺均匀稳定性。
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公开(公告)号：CN117980533A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202280061703.8
申请日：2022-08-05
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/04 , C23C16/509 , H01L21/02 , H01L21/768
摘要： 半导体处理的示例性方法可包括将含硅前驱物提供到半导体处理腔室的处理区域。方法可包括在限定半导体处理腔室的处理区域的表面上沉积含硅层。方法可包括在半导体处理腔室的处理区域内形成含氢前驱物的等离子体。方法可包括在设置在半导体处理腔室的处理区域内的基板上沉积含硅材料。
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公开(公告)号：CN117646196A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202410079231.X
申请日：2024-01-19
申请人： 北京捷造光电技术有限公司
IPC分类号： C23C16/509 , C23C16/50 , C23C16/52 , C23C16/455 , H01J37/32
摘要： 本发明公开了一种大面积多区PECVD沉积装置，包括：处理室本体和处理室上盖界定的薄膜沉积所用的真空环境，真空系统藕接到所述处理室本体，压力控制系统控制处理室本体的薄膜沉积所需气体源供给工艺气体的准确流量，气源输送管路藕接到喷淋电极，使输送到喷淋电极的工艺气体均匀分布，所述喷淋电极藕接到处理室上盖，地电极藕接到所述处理室本体，喷淋电极和地电极形成一对平行电极板呈多区平面排布布局。本发明的优点是：结构简单精良，能控制电极的线性尺寸，在满足大面积PECVD沉积系统中，多区独立的一对平行板上下电极并通过基板组成多区放电空间，满足大面积等离子体处理过程中的均匀性要求。
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公开(公告)号：CN115161621B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202210900773.X
申请日：2022-07-28
申请人： 龙鳞(深圳)新材料科技有限公司
IPC分类号： C23C16/458 , C23C16/509
摘要： 本发明属于气相沉积技术领域，公开了一种平行电极旋转镀膜设备。该平行电极镀膜设备通过第一电极组件和第二电极组件对待镀膜工件进行化学气相沉积镀膜，治具轴上插设有托盘，托盘用于盛放待镀膜工件，同时公转组件带动治具组件沿预设中心转动，自转组件带动治具轴绕自身轴线转动，不仅治具组件的安装更加便捷，还能实现镀膜的均匀性；同时，本实施例中的定位组件上插设有第一电极组件和第二电极组件，能够防止第一电极组件、第二电极组件或治具组件发生形变时互相接触，提高了镀膜的质量和均匀性。
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公开(公告)号：CN111540675B
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN201910665554.6
申请日：2019-07-23
申请人： 铠侠股份有限公司
IPC分类号： H01L21/285 , H01L21/67 , H10B43/35 , H10B43/20 , C23C16/14 , C23C16/16 , C23C16/455 , C23C16/509
摘要： 本发明的实施方式提供一种能够抑制因钼的附着所产生的问题的半导体制造装置及半导体装置的制造方法。根据一实施方式，半导体装置的制造方法包括将衬底收容到收容部内。进而，所述方法包括：将含有钼的第1气体供给到所述收容部内而在所述衬底形成含有钼的膜。进而，所述方法包括：在将形成了所述膜的所述衬底从所述收容部搬出后，将含有氯的第2气体供给到所述收容部内，而将附着在所述收容部内的表面的钼去除。
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公开(公告)号：CN117305816A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311285731.0
申请日：2023-10-07
申请人： 拉普拉斯新能源科技股份有限公司
IPC分类号： C23C16/458 , C23C16/509 , H01L31/18 , H01L21/67
摘要： 本发明公开了一种支撑桨及镀膜系统，支撑桨用于承载舟结构进出热炉，其特征在于，舟结构具有导电舟脚，支撑桨包括桨本体和电极，桨本体穿设于热炉的炉门，且桨本体用于支撑舟结构，电极的部分设置于桨本体，电极端部的一部分穿出桨本体，且用于与导电舟脚接触。该支撑桨能够支撑舟结构，且能够保证电极与舟结构接触紧密，确保射频电源的能量能够顺利的馈入到舟结构中，确保舟结构整体放电不均匀，硅片成膜均匀性好，从而确保电池片最终转换效率。
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公开(公告)号：CN117248194A
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202311290697.6
申请日：2023-09-28
申请人： 拉普拉斯新能源科技股份有限公司
IPC分类号： C23C16/458 , C23C16/509 , C23C16/46
摘要： 本申请提供了一种镀膜腔体结构、镀膜方法以及PECVD设备，镀膜腔体结构包括盖体、基座、载物结构和升降装置。盖体具有多个彼此独立的镀膜空间；基座位于盖体的下方，基座与盖体围合形成容置腔，镀膜空间位于容置腔内；载物结构包括载物架以及载物件，载物架位于容置腔内，载物件用于承载待镀膜件；载物件的数量为多个，且各载物件与各镀膜空间对应地设置，载物件可分离地设置于载物架内；升降装置的至少部分位于容置腔内，升降装置用于驱动载物件靠近或远离对应的镀膜空间，以使载物件上的待镀膜件伸入至对应的镀膜空间，或从镀膜空间中退出。该镀膜腔体结构具有抗干扰、效率高、镀膜效果好等优点。
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公开(公告)号：CN113802107B
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202010546760.8
申请日：2020-06-16
IPC分类号： C23C16/26 , C23C16/509 , C01B32/186
摘要： 本发明提供一种利用PECVD制备石墨烯的装置及方法，装置包括沉积炉、等离子体源、第一极板和第二极板，第一极板设置于沉积炉内，第一极板连接于等离子体源的发射端；第二极板设置于沉积炉内，第二极板与第一极板相对设置，且在沉积炉的第一区域具有重叠部分，第二极板连接于等离子体源的接地端。相比现有技术中的电感耦合的方式，由于第一极板和第二极板之间以电容耦合方式激发等离子体，使等离子的分布更均匀，生长在基底上的石墨烯更加均匀，提高了石墨烯薄膜的质量。通过相对设置的极板产生等离子体的方式，使两个极板间产生的辉光区域的面积相比现有技术线圈产生的辉光区域的面积更大，进而本实施例的装置能够生长出大尺寸的石墨烯。
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公开(公告)号：CN116516321A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310162685.9
申请日：2023-02-24
申请人： 福建金石能源有限公司
IPC分类号： C23C16/509 , C23C16/458 , C23C16/455 , C23C16/24 , H01L31/18 , H01L31/075
摘要： 本发明涉及一种箱式可扩展堆栈PECVD系统，它包括带有可移动腔门的反应腔体、通过特气管路向反应腔体供气的特气柜、通过抽气管路抽吸反应腔体内气体的真空泵组、通过固定座组件设于反应腔体内且可横向布置和/或纵向布置的多个堆栈式反应承载组件、分布于堆栈式反应承载组件旁侧的加热组件以及为用电设备提供电力支持的电柜。本发明的目的在于提供一种箱式可扩展堆栈PECVD系统，镀膜均匀性高，设备占地面积小，产能高，可极大地降低设备成本。
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