公开(公告)号：CN104364883A

公开(公告)日：2015-02-18

申请号：CN201380028938.8

申请日：2013-05-27

Applicant: 株式会社田村制作所 ,  株式会社光波

Inventor： 饭冢和幸 ,  渡边信也 ,  舆公祥 ,  胁本大树 ,  山下佳弘 ,  佐藤慎九郎

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  C30B25/18 ,  C30B29/38 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L29/2003 ,  C30B25/183 ,  C30B25/186 ,  C30B29/16 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02414 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明提供具有Ga2O3基板和Ga2O3基板上的晶体品质高的氮化物半导体层的半导体层叠结构体及包括该半导体层叠结构体的半导体元件。在一个实施方式中，提供半导体层叠结构体(1)，其具有：β-Ga2O3基板(2)，其包含将从(-201)面朝向[102]方向倾斜的面作为主面(2a)的β-Ga2O3晶体；以及氮化物半导体层(4)，其包含在β-Ga2O3基板(2)的主面(2a)上通过晶体外延生长而形成的AlxGayInzN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1，x+y+z＝1)晶体。

公开(公告)号：CN102163688B

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：CN201010281065.X

申请日：2010-09-10

Applicant: 株式会社田村制作所

Inventor： 中川亮 ,  松尾泰秀

IPC: H01L41/107 ,  H01L41/053

Abstract: 本发明提供一种压电体模块，即使在压电体的外表面形成导电体，也能防止壳体的污染。压电体模块具有：被极化的压电体(12)；至少两个电极(12a、12a)，它们形成在压电体的外表面；壳体(14)，其收纳压电体，并具有在该收纳状态下使压电体的一部分的外表面露出的开口(14b)；导电体(24)，其由导电体构成，沿着通过开口而露出的外表面形成，相互连接电极之间而对电极之间赋予电阻值；以及退让部(30)，其与开口相连，避免与形成在露出的外表面上的导电体的接触。

公开(公告)号：CN104073167A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201410079658.6

申请日：2014-03-05

Applicant: 株式会社田村制作所

Inventor： 成濑章一郎 ,  土屋雅裕 ,  喜多村明 ,  清野桃子 ,  岛崎贵则 ,  大野耐一 ,  大年洋司

IPC: C09F1/04 ,  B23K35/363

Abstract: 本发明提供含松香酯焊接用助焊剂组合物及焊膏组合物，含松香酯焊接用助焊剂组合物即便长时间暴露于激烈的冷热循环下，助焊剂残渣也不易出现龟裂。所述松香衍生物化合物是（A）松香类含羧基树脂与（b-1）、（b-2）或（b-3）的任意者脱水缩合而成的：（b-1）将下述通式（1）表示的二聚酸还原而得到的二聚酸衍生物柔软性醇化合物，式（1）中，D为二聚酸来源的脂肪链，n为1～3；（b-2）二聚酸与前述通式（1）的化合物脱水酯化而得到的二聚酸衍生物柔软性醇化合物；（b-3）二聚酸与下述通式（2）表示的醇化合物脱水酯化而得到的二聚酸衍生物柔软性醇化合物，式（2）中，R为碳数2～10的烷基连接基团，包含直链或支链结构，另外n2为1～10。

公开(公告)号：CN104070307A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201410091580.X

申请日：2014-03-13

Applicant: 株式会社田村制作所

Inventor： 中野健 ,  原岛启太 ,  山下宣宏

IPC: B23K35/363 ,  B23K35/24

CPC classification number: B23K35/362 ,  B23K35/3618

Abstract: 本发明提供一种助焊剂组合物及使用其的焊料组合物，该助焊剂组合物含有树脂及活性剂，其中，所述活性剂含有碘类羧基化合物。

公开(公告)号：CN104070306A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201410078839.7

申请日：2014-03-05

Applicant: 株式会社田村制作所

Inventor： 成濑章一郎 ,  土屋雅裕 ,  喜多村明 ,  清野桃子 ,  岛崎贵则 ,  大野耐一 ,  新井正也 ,  大年洋司

IPC: B23K35/363

CPC classification number: B23K35/3613 ,  B23K35/362 ,  B23K2101/42

Abstract: 本发明提供含丙烯酸类树脂的焊接用助焊剂组合物及焊膏组合物，其即便在长期的冷热循环下也能够抑制助焊剂残渣的龟裂的产生，绝缘性也优异，且具有良好的焊接性，可抑制使用其形成的助焊剂残渣的黏性。本发明的焊接用助焊剂组合物的特征在于，其包含丙烯酸类树脂和活化剂，所述丙烯酸类树脂是使包含（甲基）丙烯酸与下述通式（1）表示的化合物的单体共聚而得到的；式（1）中，R1表示氢原子或甲基，R2及R3各自表示碳数2～20的饱和烷基，R2及R3的碳链为直链结构，不包含支链结构。···通式（1）

公开(公告)号：CN102480235B

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201110381808.5

申请日：2011-11-25

Applicant: 株式会社田村制作所

Inventor： 青木弘利 ,  高田启明

IPC: H02M7/04 ,  H02M3/335

CPC classification number: H02M3/33523 ,  H02M2001/0006 ,  H02M2001/0035 ,  Y02B70/16

Abstract: 本发明提出了一种开关式电源，该开关式电源具有一次侧电路和二次侧电路，其中一次侧电路包括：对交流电压进行整流和平滑的第一DC生成电路、一次绕组、开关装置、开/关控制所述开关装置的控制电路、以及提供用于驱动所述控制电路的电源的电源单元，二次侧电路包括：二次绕组、对二次绕组上生成的电压进行整流和平滑的第二DC生成电路、以及传输单元，该传输单元配置为接收关于负载电路操作状态的控制信号并将所述控制信号传输到所述电源单元，以及其中所述传输单元和所述电源单元绝缘；所述电源单元响应于所述控制信号打开或关断用于驱动所述控制电路的电源。

公开(公告)号：CN103918082A

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201280054764.8

申请日：2012-11-08

Applicant: 株式会社田村制作所

Inventor： 泷沢胜 ,  仓又朗人

IPC: H01L29/47 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明提供一种即使增大反向耐压也能够抑制正向电压的增大以及与欧姆电极层的接触电阻的增大的肖特基势垒二极管。肖特基势垒二极管(1)具备：n型半导体层(3)，其由n型的具有导电性的Ga2O3类化合物半导体构成；以及肖特基电极层(2)，其与n型半导体层(3)肖特基接触，在n型半导体层(3)形成有与肖特基电极层(2)肖特基接触的电子载流子浓度比较低的n-半导体层(31)、以及具有比n-半导体层(31)高的电子载流子浓度的n+半导体层(32)。

公开(公告)号：CN103917700A

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201280050469.5

申请日：2012-10-12

Applicant: 株式会社田村制作所 ,  株式会社光波

Inventor： 增井建和 ,  山冈优

IPC: C30B29/16 ,  C30B33/02 ,  H01L21/20

Abstract: 本发明提供在还原气氛、惰性气氛中的施主浓度变化得到抑制的β－Ga2O3系基板的制造方法，以及能在还原气氛、惰性气氛下使品质偏差小的高品质结晶膜外延生长的结晶层叠结构体的制造方法。本发明提供的β－Ga2O3系基板的制造方法包括从含有IV族元素的β－Ga2O3系结晶中切出β－Ga2O3系基板的工序，其中，在包含还原气氛和惰性气氛中的至少一方的气氛下对切出上述β－Ga2O3系基板之前的β－Ga2O3系结晶或切出的上述β－Ga2O3系基板实施退火处理。

公开(公告)号：CN103781947A

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201280043326.1

申请日：2012-08-06

Applicant: 株式会社田村制作所

Inventor： 佐佐木公平

IPC: C30B29/16 ,  C23C14/08 ,  C23C16/40 ,  C30B29/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01L29/24 ,  C30B13/00 ,  C30B15/34 ,  C30B23/066 ,  C30B29/16 ,  C30B29/22 ,  C30B29/68 ,  H01L21/02414 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/04 ,  H01L29/045

Abstract: 本发明提供能够实现在β-Ga2O3单晶基板上形成的含Ga氧化物层的高品质化的外延生长用基板。外延生长用基板1由β-Ga2O3系单晶构成，将其（010）面、或者相对于（010）面以37.5°以内的角度范围倾斜的面作为主面。另外，晶体层叠结构体2具有外延生长用基板1和在外延生长用基板1的主面10上形成的由含Ga氧化物构成的外延晶体20。

公开(公告)号：CN103518008A

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN201280017340.4

申请日：2012-04-03

Applicant: 株式会社田村制作所 ,  株式会社光波

Inventor： 饭塚和幸 ,  森岛嘉克 ,  佐藤慎九郎

IPC: C30B29/38 ,  C23C16/34 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L29/267 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/303 ,  C30B25/183 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02414 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66212 ,  H01L29/66318 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/872 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12

Abstract: 本发明提供厚度方向的电阻低的半导体层叠体及其制造方法、以及具有该半导体层叠体的半导体元件。提供具有Ga2O3基板2、Ga2O3基板2上的AlGaInN缓冲层3、AlGaInN缓冲层3上的含Si的氮化物半导体层4、形成在氮化物半导体层4内的AlGaInN缓冲层3侧的部分区域上的Si浓度在5×1018/cm3以上的Si高浓度区域4a的半导体层叠体1。