公开(公告)号：CN103918082A

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201280054764.8

申请日：2012-11-08

Applicant: 株式会社田村制作所

Inventor： 泷沢胜 ,  仓又朗人

IPC: H01L29/47 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明提供一种即使增大反向耐压也能够抑制正向电压的增大以及与欧姆电极层的接触电阻的增大的肖特基势垒二极管。肖特基势垒二极管(1)具备：n型半导体层(3)，其由n型的具有导电性的Ga2O3类化合物半导体构成；以及肖特基电极层(2)，其与n型半导体层(3)肖特基接触，在n型半导体层(3)形成有与肖特基电极层(2)肖特基接触的电子载流子浓度比较低的n-半导体层(31)、以及具有比n-半导体层(31)高的电子载流子浓度的n+半导体层(32)。

公开(公告)号：CN107251195A

公开(公告)日：2017-10-13

申请号：CN201680012004.9

申请日：2016-02-08

Applicant: 株式会社田村制作所 ,  国立研究开发法人理化学研究所

Inventor： 森岛嘉克 ,  饭塚和幸 ,  仓又朗人 ,  平山秀树

IPC: H01L21/205 ,  C30B25/18 ,  C30B29/38 ,  H01L21/20 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/007 ,  C30B25/18 ,  C30B25/183 ,  C30B29/16 ,  C30B29/38 ,  C30B29/406 ,  C30B29/68 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L33/025 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32

Abstract: 提供一种透明的氮化物半导体模板和能够简便地制造该氮化物半导体模板的制造方法，该氮化物半导体模板具有高质量的氮化物半导体，适于紫外线LED用途，具有导电性。提供氮化物半导体模板(10)，其具有：Ga2O3基板(11)；缓冲层(12)，其形成在Ga2O3基板(11)上，以AlN为主成分；第1氮化物半导体层(13)，其形成在缓冲层(12)上，以AlxGa1‑xN(0.2＜x≤1)为主成分；以及第2氮化物半导体层(14)，其形成在第1氮化物半导体层(13)上，以AlyGa1‑yN(0.2≤y≤0.55，y＜x)为主成分。

公开(公告)号：CN104885195B

公开(公告)日：2018-01-16

申请号：CN201380068787.9

申请日：2013-12-25

Applicant: 株式会社田村制作所 ,  株式会社光波

Inventor： 森岛嘉克 ,  佐藤慎九郎 ,  俊藤健 ,  饭冢和幸 ,  仓又朗人

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  C30B29/38 ,  H01L33/16 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/22 ,  C30B29/16 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02414 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02639 ,  H01L33/007 ,  H01L33/18 ,  H01L33/32

Abstract: 提供一种晶体层叠结构体和包含该晶体层叠结构体的发光元件，晶体层叠结构体能实现光输出较高的发光元件，具有Ga2O3基板和氮化物半导体层。在一实施方式中提供一种晶体层叠结构体(1)，其具有：Ga2O3基板(2)；介电体层(3)，其以部分地覆盖Ga2O3基板(2)的上表面的方式形成于Ga2O3基板(2)上，与Ga2O3基板(2)的折射率之差为0.15以下；以及氮化物半导体层(4)，其隔着介电体层(3)形成于Ga2O3基板(2)上，与介电体层(3)和Ga2O3基板(2)的上表面的没有被介电体层(3)覆盖的部分接触。

公开(公告)号：CN103503148A

公开(公告)日：2014-01-08

申请号：CN201280016886.8

申请日：2012-04-03

Applicant: 株式会社田村制作所 ,  株式会社光波

Inventor： 佐藤慎九郎 ,  仓又朗人 ,  森岛嘉克 ,  饭塚和幸

IPC: H01L29/26 ,  C23C16/34 ,  H01L21/205 ,  H01L21/331 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L29/12 ,  H01L29/267 ,  H01L29/47 ,  H01L29/737 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L29/2003 ,  C23C16/0218 ,  C23C16/0227 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/303 ,  C30B25/183 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02414 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/267 ,  H01L29/7371 ,  H01L29/7788 ,  H01L29/7789 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/8122 ,  H01L29/8128 ,  H01L29/872 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明提供一种厚度方向的电阻低的半导体层叠体及其制造方法、以及包括该半导体层叠体的半导体元件。本发明提供包括将氧被六角网格状配置的面设为主面的Ga2O3基板（2）、Ga2O3基板（2）上的AlN缓冲层（3）、以及AlN缓冲层（3）上的氮化物半导体层（4）的半导体层叠体（1）。

公开(公告)号：CN115976650A

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN202211664306.8

申请日：2018-07-09

Applicant: 株式会社田村制作所 ,  株式会社希克斯 ,  国立研究开发法人情报通信研究机构

Inventor： 仓又朗人 ,  渡边信也 ,  佐佐木公平 ,  八木邦明 ,  八田直记 ,  东胁正高 ,  小西敬太

IPC: C30B33/06 ,  H01L21/02 ,  H01L29/24 ,  H01L29/872 ,  H01L29/78 ,  C30B29/16

Abstract: 提供一种包含单晶Ga2O3系基板的半导体基板，其特征在于，包含将包括Ga2O3系单晶的单晶Ga2O3系基板的接合面与包括多晶体的多晶基板的接合面接合而成的接合基板，上述多晶基板是多晶SiC基板、多晶金刚石基板、多晶Si基板、多晶Al2O3基板、多晶AlN基板中的任意一基板，上述单晶Ga2O3系基板的厚度比上述多晶基板的厚度薄，通过遵循JIS R 1607的断裂韧性试验得到的上述多晶基板的断裂韧性值为3MPa·m1/2以上。

公开(公告)号：CN106575608B

公开(公告)日：2020-11-17

申请号：CN201580041387.8

申请日：2015-07-24

Applicant: 株式会社田村制作所 ,  国立研究开发法人情报通信研究机构

Inventor： 佐佐木公平 ,  仓又朗人 ,  东胁正高

IPC: H01L21/20 ,  C30B29/16 ,  H01L21/329 ,  H01L21/336 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L29/12 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872

Abstract: 提供散热特性和耐电压性优异的Ga2O3系的半导体元件及其制造方法以及能够用于制造该半导体元件的半导体基板和晶体层叠结构体。作为一个实施方式，提供肖特基二极管(10)，该肖特基二极管具有：基底基板(11)，其具有0.05μm以上且50μm以下的厚度，由Ga2O3系晶体形成；以及外延层(12)，其由Ga2O3系晶体形成，外延生长于基底基板(11)上。

公开(公告)号：CN110233178A

公开(公告)日：2019-09-13

申请号：CN201910677483.1

申请日：2012-11-08

Applicant: 株式会社田村制作所

Inventor： 泷沢胜 ,  仓又朗人

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H01L21/02 ,  H01L21/34 ,  H01L29/47

Abstract: 本发明提供一种即使增大反向耐压也能够抑制正向电压的增大以及与欧姆电极层的接触电阻的增大的肖特基势垒二极管。肖特基势垒二极管(1)具备：n型半导体层(3)，其由n型的具有导电性的Ga2O3类化合物半导体构成；以及肖特基电极层(2)，其与n型半导体层(3)肖特基接触，在n型半导体层(3)形成有与肖特基电极层(2)肖特基接触的电子载流子浓度比较低的n-半导体层(31)、以及具有比n-半导体层(31)高的电子载流子浓度的n+半导体层(32)。

公开(公告)号：CN110869543A

公开(公告)日：2020-03-06

申请号：CN201880046032.1

申请日：2018-07-09

Applicant: 株式会社田村制作所 ,  株式会社希克斯 ,  国立研究开发法人情报通信研究机构

Inventor： 仓又朗人 ,  渡边信也 ,  佐佐木公平 ,  八木邦明 ,  八田直记 ,  东胁正高 ,  小西敬太

IPC: C30B29/16 ,  C30B33/06 ,  H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78 ,  H01L29/872

Abstract: 提供一种半导体基板(1)，其是由单晶Ga2O3系基板(10)与多晶基板(11)接合而成的，单晶Ga2O3系基板(10)的厚度薄于多晶基板(11)的厚度，多晶基板(11)的断裂韧性值高于单晶Ga2O3系基板(10)的断裂韧性值。

公开(公告)号：CN103918082B

公开(公告)日：2019-08-20

申请号：CN201280054764.8

申请日：2012-11-08

Applicant: 株式会社田村制作所

Inventor： 泷沢胜 ,  仓又朗人

IPC: H01L29/47 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明提供一种即使增大反向耐压也能够抑制正向电压的增大以及与欧姆电极层的接触电阻的增大的肖特基势垒二极管。肖特基势垒二极管(1)具备：n型半导体层(3)，其由n型的具有导电性的Ga2O3类化合物半导体构成；以及肖特基电极层(2)，其与n型半导体层(3)肖特基接触，在n型半导体层(3)形成有与肖特基电极层(2)肖特基接触的电子载流子浓度比较低的n‑半导体层(31)、以及具有比n‑半导体层(31)高的电子载流子浓度的n+半导体层(32)。

公开(公告)号：CN106575608A

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201580041387.8

申请日：2015-07-24

Applicant: 株式会社田村制作所 ,  国立研究开发法人情报通信研究机构

Inventor： 佐佐木公平 ,  仓又朗人 ,  东胁正高

IPC: H01L21/20 ,  C30B29/16 ,  H01L21/329 ,  H01L21/336 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L29/12 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872

Abstract: 提供散热特性和耐电压性优异的Ga2O3系的半导体元件及其制造方法以及能够用于制造该半导体元件的半导体基板和晶体层叠结构体。作为一个实施方式，提供肖特基二极管(10)，该肖特基二极管具有：基底基板(11)，其具有0.05μm以上且50μm以下的厚度，由Ga2O3系晶体形成；以及外延层(12)，其由Ga2O3系晶体形成，外延生长于基底基板(11)上。