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公开(公告)号:CN103649365B
公开(公告)日:2016-10-05
申请号:CN201280031791.3
申请日:2012-05-30
申请人: 佳能安内华股份有限公司
发明人: 铃木英和
IPC分类号: C23C14/35
CPC分类号: C23C14/3407 , C23C14/35 , C23C14/50 , H01J37/3408 , H01J37/3452 , H01J37/3455
摘要: 本发明提供一种溅射装置,其能够减慢容易侵蚀的部分的蚀刻速度且靶标的利用效率良好。在安装在磁控阴极(31)上的矩形的磁路单元(11)中,由矩形的长边部分磁铁构成的直线部单元(111)和具有短边部分的磁铁的端部单元(112)的摇动距离不同。在与靶标安装面平行的X方向上,端部单元(112)的摇动距离比直线部单元(111)长。
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公开(公告)号:CN105900209A
公开(公告)日:2016-08-24
申请号:CN201380081699.2
申请日:2013-12-17
申请人: 应用材料公司
IPC分类号: H01J37/34
CPC分类号: H01J37/342 , H01J37/3405 , H01J37/3435 , H01J37/3452 , H01J37/3455 , H01J37/3461
摘要: 提供一种用于溅射沉积设备的电极组件(120;200;300;400;700;800;900)。这种电极组件包括组件元件(210;310;410;710;810;910),用于提供将沉积的材料和固持可旋转靶材中的至少一者;磁铁系统(230;330;430;730;830;930),设置在组件元件(210;310;410;710;810;910)内;以及磁极片(240;241;242;340;341;342;440;441;442;740;741;742;840;841;842;940;941;942),设置在磁铁系统与组件元件之间。进一步,描述一种用于组装具有磁铁系统(230;330;430;730;830;930)的电极组件的方法。
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公开(公告)号:CN103081061B
公开(公告)日:2016-08-24
申请号:CN201180036763.6
申请日:2011-06-30
申请人: 应用材料公司
IPC分类号: H01L21/203 , H01L21/205
CPC分类号: C23C14/35 , C23C16/517 , H01J37/32651 , H01J37/34 , H01J37/3411 , H01J37/3455
摘要: 本发明的一个或多个实施例涉及沉积设备,所述沉积设备包括接地顶壁、处理腔室和等离子体源组件,所述等离子体源组件具有导电中空圆柱及实质连续接地遮护板,所述接地遮护板实质顺应所述中空圆柱的形状。
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公开(公告)号:CN104603325A
公开(公告)日:2015-05-06
申请号:CN201280069500.X
申请日:2012-12-07
申请人: 希捷科技有限公司
IPC分类号: C23C14/35
CPC分类号: C23C14/3407 , C23C14/35 , H01F7/0284 , H01J37/3452 , H01J37/3455 , Y10T29/49826 , Y10T29/49947
摘要: 一种溅射装置包括模板,该模板具有单元。可移除的插入物被设置在单元内。单元可以是圆形、三角形、正方形、菱形或六角形的。可移除的插入物可以是磁性或非磁性插入物。盖与模板的第一侧连接。轭与模板的第二侧连接。可移除的插入物用于定制靶上的磁场或调整靶上的磁场的形状。轭可用于为磁场提供返回路径。
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公开(公告)号:CN104364417A
公开(公告)日:2015-02-18
申请号:CN201380029020.5
申请日:2013-03-28
申请人: 东京毅力科创株式会社
CPC分类号: H01J37/3455 , C23C14/35 , H01J37/3405 , H01J37/3417 , H01J37/3447 , H01J37/3452 , H01J2237/332 , C23C14/3407
摘要: 本发明提供一种在使用由磁性材料构成的靶进行磁控溅射时能够提高装置的生产率的技术。在本发明中,构成的装置包括:由磁性材料构成的作为靶的圆筒体,其在基板的上方以该圆筒体的中心轴线从所述基板的中心轴线向沿着所述基板的面的方向偏移的方式配置;旋转机构,其用于使该圆筒体绕该圆筒体的轴线旋转;磁体排列体,其设在所述圆筒体的空洞部内;电源部,其用于对所述圆筒体施加电压。并且,在所述磁体排列体的与所述圆筒体的轴线正交的截面形状中,与该截面形状的在圆筒体的周向上的两端部相比,该截面形状的在圆筒体的周向上的中央部向该圆筒体的周面侧突出。由此,即使使用厚度比较厚的靶,也能够抑制自靶泄漏的磁场的强度降低,并且能够抑制侵蚀局部进行。
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公开(公告)号:CN104278243A
公开(公告)日:2015-01-14
申请号:CN201410319170.6
申请日:2014-07-04
申请人: 索尼公司
IPC分类号: C23C14/35
CPC分类号: H01J37/3452 , C23C14/35 , H01F7/0278 , H01J37/3405 , H01J37/345 , H01J37/3455
摘要: 本发明提供一种能够轻易地调节磁场分布的磁场生成设备和使用所述磁场生成设备的溅射设备,所述磁场生成设备包括:两个以上主磁极部,其用于生成主磁场;一个以上副磁极部,其包括通过分割得到的多个第一分割磁体,并且生成用于对生成的主磁场进行调节的副磁场;以及轭部,其包括对应于所述一个以上副磁极部而与所述多个第一分割磁体相对的一个以上第一轭。
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公开(公告)号:CN103998645A
公开(公告)日:2014-08-20
申请号:CN201280061998.5
申请日:2012-09-26
申请人: 佳能安内华股份有限公司
IPC分类号: C23C14/35
CPC分类号: H01J37/3405 , C23C14/3407 , H01J37/3455
摘要: 一种溅镀装置,其具备以阴极主体与阴极磁铁成为相同电位的方式施加电力的电力施加装置,施加在阴极磁铁上的电力,经配置在了安装在阴极磁铁上的磁铁旋转轴与阴极主体之间的花键供给。
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公开(公告)号:CN102227514B
公开(公告)日:2014-08-20
申请号:CN200980147190.7
申请日:2009-12-25
申请人: 佳能安内华股份有限公司
CPC分类号: H01F41/18 , B82Y25/00 , C23C14/34 , C23C14/3464 , C23C14/54 , H01F10/3254 , H01J37/3417 , H01J37/3447 , H01J37/3452 , H01J37/3455 , H01J37/3476 , H01L43/12
摘要: 一种溅射装置配备有:基板保持器(22),在基板的待处理面的面方向上可旋转地保持基板(21);基板侧磁体(30),在基板(21)的待处理面处形成磁场,并且被布置在基板(21)周边;阴极(41),用于产生放电的功率被施加到该阴极(41),并且,该阴极(41)被布置在基板(21)的斜上方;位置检测单元(23),检测基板(21)的旋转位置;和控制器(5),根据由位置检测单元(23)检测的旋转位置来控制用于产生放电的功率。
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公开(公告)号:CN103649365A
公开(公告)日:2014-03-19
申请号:CN201280031791.3
申请日:2012-05-30
申请人: 佳能安内华股份有限公司
发明人: 铃木英和
IPC分类号: C23C14/35
CPC分类号: C23C14/3407 , C23C14/35 , C23C14/50 , H01J37/3408 , H01J37/3452 , H01J37/3455
摘要: 本发明提供一种溅射装置,其能够减慢容易侵蚀的部分的蚀刻速度且靶标的利用效率良好。在安装在磁控阴极(31)上的矩形的磁路单元(11)中,由矩形的长边部分磁铁构成的直线部单元(111)和具有短边部分的磁铁的端部单元(112)的摇动距离不同。在与靶标安装面平行的X方向上,端部单元(112)的摇动距离比直线部单元(111)长。
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公开(公告)号:CN101528972B
公开(公告)日:2013-06-19
申请号:CN200780039552.1
申请日:2007-10-12
申请人: 株式会社爱发科
IPC分类号: C23C14/34
CPC分类号: C23C14/352 , C23C14/568 , H01J37/32376 , H01J37/3408 , H01J37/3455
摘要: 当隔一定间隔并列设置多个阴极靶,用溅镀形成规定薄膜的情况下,抑制在处理基板表面上形成的薄膜上产生波浪形的膜厚分布及膜质分布。当通过给溅射室11a内与处理基板S相向且隔规定间隔并列设置的多个阴极靶31a~31h投入电力,用溅镀形成规定的薄膜期间,使各阴极靶平行于处理基板以一定速度往返运动的同时,使各阴极靶的前面分别形成隧道形的磁力线M的磁铁组合件分别平行于各阴极靶,以一定速度往返运动。当各阴极靶到达往返运动的折返位置时,使各阴极靶的往返运动在规定的时间内停止。
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