溅射装置
    111.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103649365B

    公开(公告)日:2016-10-05

    申请号:CN201280031791.3

    申请日:2012-05-30

    发明人: 铃木英和

    IPC分类号: C23C14/35

    摘要: 本发明提供一种溅射装置,其能够减慢容易侵蚀的部分的蚀刻速度且靶标的利用效率良好。在安装在磁控阴极(31)上的矩形的磁路单元(11)中,由矩形的长边部分磁铁构成的直线部单元(111)和具有短边部分的磁铁的端部单元(112)的摇动距离不同。在与靶标安装面平行的X方向上,端部单元(112)的摇动距离比直线部单元(111)长。

    磁控溅射装置
    115.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104364417A

    公开(公告)日:2015-02-18

    申请号:CN201380029020.5

    申请日:2013-03-28

    IPC分类号: C23C14/34 C23C14/35

    摘要: 本发明提供一种在使用由磁性材料构成的靶进行磁控溅射时能够提高装置的生产率的技术。在本发明中,构成的装置包括:由磁性材料构成的作为靶的圆筒体,其在基板的上方以该圆筒体的中心轴线从所述基板的中心轴线向沿着所述基板的面的方向偏移的方式配置;旋转机构,其用于使该圆筒体绕该圆筒体的轴线旋转;磁体排列体,其设在所述圆筒体的空洞部内;电源部,其用于对所述圆筒体施加电压。并且,在所述磁体排列体的与所述圆筒体的轴线正交的截面形状中,与该截面形状的在圆筒体的周向上的两端部相比,该截面形状的在圆筒体的周向上的中央部向该圆筒体的周面侧突出。由此,即使使用厚度比较厚的靶,也能够抑制自靶泄漏的磁场的强度降低,并且能够抑制侵蚀局部进行。

    磁场生成设备和溅射设备
    116.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104278243A

    公开(公告)日:2015-01-14

    申请号:CN201410319170.6

    申请日:2014-07-04

    申请人: 索尼公司

    IPC分类号: C23C14/35

    摘要: 本发明提供一种能够轻易地调节磁场分布的磁场生成设备和使用所述磁场生成设备的溅射设备,所述磁场生成设备包括:两个以上主磁极部,其用于生成主磁场;一个以上副磁极部,其包括通过分割得到的多个第一分割磁体,并且生成用于对生成的主磁场进行调节的副磁场;以及轭部,其包括对应于所述一个以上副磁极部而与所述多个第一分割磁体相对的一个以上第一轭。

    溅射装置
    119.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103649365A

    公开(公告)日:2014-03-19

    申请号:CN201280031791.3

    申请日:2012-05-30

    发明人: 铃木英和

    IPC分类号: C23C14/35

    摘要: 本发明提供一种溅射装置,其能够减慢容易侵蚀的部分的蚀刻速度且靶标的利用效率良好。在安装在磁控阴极(31)上的矩形的磁路单元(11)中,由矩形的长边部分磁铁构成的直线部单元(111)和具有短边部分的磁铁的端部单元(112)的摇动距离不同。在与靶标安装面平行的X方向上,端部单元(112)的摇动距离比直线部单元(111)长。

    薄膜形成方法及薄膜形成装置

    公开(公告)号:CN101528972B

    公开(公告)日:2013-06-19

    申请号:CN200780039552.1

    申请日:2007-10-12

    IPC分类号: C23C14/34

    摘要: 当隔一定间隔并列设置多个阴极靶,用溅镀形成规定薄膜的情况下,抑制在处理基板表面上形成的薄膜上产生波浪形的膜厚分布及膜质分布。当通过给溅射室11a内与处理基板S相向且隔规定间隔并列设置的多个阴极靶31a~31h投入电力,用溅镀形成规定的薄膜期间,使各阴极靶平行于处理基板以一定速度往返运动的同时,使各阴极靶的前面分别形成隧道形的磁力线M的磁铁组合件分别平行于各阴极靶,以一定速度往返运动。当各阴极靶到达往返运动的折返位置时,使各阴极靶的往返运动在规定的时间内停止。